MT47H32M16NF-25EIT:H_快閃記憶體晶片ufs21與30的區別本文導讀：常見的NANDFLASH應用是嵌入式系統採用的DOC(DiskOnChip)和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。目前市面上的FLASH主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生產NANDFlash的主要廠家有Samsung和Toshiba。SRAM是StaticRandomAccessMemory的縮寫，中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。"靜態"是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM(DRAM)不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器(ROM)和FlashMemory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器。
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導讀：SRAM的工作原理圖解，SRAM中的每一bit存儲在由4個場效應管（M1,M2,M3,M4）構成兩個交叉耦合的反相器中。註：其實CMOS靜態反相器等價於一個非門！6T：指的是由六個電晶體組成，SRAM中的每一bit存儲在由4個場效應管（M1,M2,M3,M4）構成兩個交叉耦合的反相器中。另外兩個場效應管（M5,M6）是存儲基本單元到用於讀寫的位線(BitLine)的控制開關。一個SRAM基本單元有0and1兩個電平穩定狀態。SRAM基本單元由兩個CMOS反相器組成。兩個反相器的輸入、輸出交叉連接，即個反相器的輸出連接第二個反相器的輸入，第二個反相器的輸出連接個反相器的輸入。這實現了兩個反相器的輸出狀態的鎖定、保存。
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MT47H32M16NF-25EIT:H_快閃記憶體晶片ufs21與30的區別光束的波長成為一個限制。荷蘭ASML公司是晶片行業主流光刻機供應商，已經研發了可發出較小波長光的EUV（紫外線）掃描儀。這項技術可在晶圓上蝕刻較窄的線條，因此可實現更小的工藝尺寸，即晶圓上的DRAM裸片數量更多，因此每個晶圓的容量會更高，每GB容量成本也會更低。但資本開支巨大，目前ASML公司每年僅生產30臺EUV光刻機，這些光刻機重達180噸，每臺成本1.2億美元。三星在1Znm工藝節點中使用了EUV，SK海力士計劃使用EUV技術批量生產1αnmDRAM和1βnmDRAM。美光認為EUV到2023年甚至更晚才具有成本競爭力，也就是1δnm工藝節點才是市場決勝的關鍵。另外，美光的財務似乎也緩過來了。近期把截至12月3日的季度營收預期，從50-54億美元上調至57億-57.5億美元。