發表於 2018-01-29 11:03:23
在一般較低性能的三相電壓源逆變器中,各種與電流相關的性能控制,通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可,如變頻器中的自動轉矩補償、轉差率補償等。同時,這一檢測結果也可以用來完成對逆變單元中IGBT實現過流保護等功能。因此在這種逆變器中,對IGBT驅動電路的要求相對比較簡單,成本也比較低。
TLP250包含一個GaAlAs光發射二極體和一個集成光探測器,8腳雙列封裝結構。適合於IGBT或電力MOSFET柵極驅動電路。表1給出了其工作時的真值表。
表1 TLP250工作時的真值表
1)輸入閾值電流(IF):5mA(最大);
2)電源電流(ICC):11mA(最大);
3)電源電壓(VCC):10~35V;
4)輸出電流(IO):±0.5A(最小);
5)開關時間(tPLH/tPHL):0.5μs(最大);
6)隔離電壓:2500Vpms(最小)。
TLP250管腳排列(俯視圖)
①TLP250輸出電流較小,對較大功率IGBT實施驅動時,需要外加功率放大電路;
②由於流過IGBT的電流是通過其他電路檢測來完成的,而且僅僅檢測流過IGBT的電流,這就有可能對於IGBT的使用效率產生一定的影響,比如IGBT在安全工作區時,有時出現的提前保護等;
③要求控制電路和檢測電路對於電流信號的響應要快,一般由過電流發生到IGBT可靠關斷應在10μS以內完成;
④當過電流發生時,TLP250得到控制器發出的關斷信號,對IGBT的柵極施加一負電壓,使IGBT硬關斷。這種主電路的du/dt比正常開關狀態下大了許多,造成了施加於IGBT兩端的電壓升高很多,有時就可能造成IGBT的擊穿。
TLP250測試電路
在圖1-18中,V1和V2的選取與用於IGBT驅動的柵極電阻有直接的關係,例如,電源電壓為24V時,TR1和TR2的Icmax≥24/Rg。
TLP250驅動IGBT時,由於TLP250不具備過流保護功能,當IGBT過流時,通過控制信號關斷IGBT,IGBT中電流的下降很陡,且有一個反向的衝擊。這將會產生很大的di/dt和開關損耗,而且對控制電路的過流保護功能要求很高。
圖1-17用於額定值1200V/50A以下IGBT的驅動
圖1-18用於額定值1200V/50A以上IGBT的驅動
TLP250封裝尺寸
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