近年來，手機快充的普及給人們工作和生活帶來了極大的方便，隨著快充技術的迅速發展，更快速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求，而對於各大充電器廠商來說，大功率、高效率、小體積、安全穩定的高功率密度快充方案將成為這場戰役中的制勝關鍵。
在傳統以及準諧振反激形式應用中，由於MOS導通時的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會有較高的開關損耗及DI/Dt造成的EMI幹擾，影響系統效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出現，很好的解決了這些痛點。
說到ZVS（零電壓開關技術）反激，相信大家並不陌生，早在2018年，華為在mate20發布會上推出的40W SuperCharge超級快充充電器，就採用了英飛凌ZVS反激快充方案，這也是ZVS反激的首次商用，該方案具有小體積、大功率、高效率等特點，有效的提高了產品效率及功率密度，因而在華為旗艦機標配超級快充中一直被沿用。
而作為一家國內領先的模擬IC設計公司，亞成微電子於近期成功推出了國內首款ZVS反激式開關電源晶片RM6801S，填補了國內空白。RM6801S是一款高性能高可靠性電流控制型PWM開關控制晶片，內置700V高壓啟動，X-cap放電，可調交流輸入Brown in/out等功能，工作頻率高達130Khz，全電壓範圍內待機功耗小於65mW，滿足六級能效標準，並且支持CCM/QR混合模式以及擁有完備的各種保護功能，專有ZVS技術降低MOSFET開關損耗，改善EMI特性。採用分段驅動技術，搭配超結MOSFET（CoolMOS），併兼容直驅E-MODE GaN功率器件版本，提高產品效率及功率密度，簡化EMI濾波電路設計，降低EMI器件成本，完美應用於大功率快速充電器。
亞成微電子是一家專注於高速功率集成技術的高端模擬IC設計公司，2014年1月在新三板掛牌（股票代碼430552）。擁有由海歸博士領銜的國內一流研發團隊，自主研發的產品已獲得國家專利55項，國際專利2項，另有50餘項專利正在受理中，其中包含國際專利3項。
主要產品包括為5G通信設備提供關鍵的核心晶片ET- PA；物聯網終端及可穿戴設備用的高功率密度DC-DC電源晶片（MHz）；LED驅動晶片和AC-DC電源管理晶片，在USB PD快充領域，亞成微致力於為客戶提供高功率密度快充解決方案，目前已推出了採用新一代PWM控制技術（自供電雙繞組架構）的初級主控晶片RM6715S、RM6717S以及內置coolMOS的QR方案RM6514S、RM6517D。同時又配套推出了內置SGT MOS的次級同步整流晶片RM3405SH、RM3412SH和RM3413SH。