有塊數字電路板需要對其軌電壓去耦進行「最壞情況」分析,但挑戰在於要確定最壞情況下的電流脈衝情況。HCrednc
當前的任務是要表明,將軌電壓傳送到一塊元器件稠密的電路板上時,其對於每安培電路板電流變化,不會經受超過40mV的瞬時漂移。上述變化(從10~90%和從90~10%)的上升和下降時間規定為不超過3ns。HCrednc
分析的第一部分是要表徵電流漂移。為此設計了兩個模型:正弦半波和帶位移餘弦。如圖1和圖2所示,可以對這兩種情況推導出脈衝輪廓的參數,從而產生3ns的上升時間和3ns的下降時間。HCrednc
這兩個脈衝模型之間的主要區別在於,正弦半波在電流流動的起止位置具有拐角,在這些地方一階導數會發生突變;帶位移餘弦模型可以使這些過渡變得平滑,因此沒有一階導數突變。其結果很快就會顯而易見。HCrednc
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圖1:正弦半波脈衝模型在電流的起止位置具有拐角,在這些地方一階導數會發生突變。HCrednc
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圖2:帶位移餘弦脈衝模型使過渡變得平滑,因此沒有一階導數突變。HCrednc
把這兩個脈衝模型重疊起來就會發現,儘管它們倆有所不同,但是確實彼此非常接近。HCrednc
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圖3:兩個脈衝模型非常接近。HCrednc
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圖4:電路板和電源電容器可以看作五個R、L、C的組合。HCrednc
可以確定,+5V電源軌上的電容可以看作五個R、L、C的組合,其中有些是關於單個電容器,還有一些是關於多組電容器(圖4)。性能分析方法是將符合所選脈衝模型的電流脈衝注入,然後使用遞歸微分方程檢查圖5所示的電壓結果「e」。HCrednc
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圖5:用遞歸微分方程檢查電壓結果(本例中j=5)。HCrednc
由於負載電流是從電容器組合中拉出,而不是將其灌入到這個組合,因此計算出的電壓「e」必須要從+5V電源軌中減去。結果如圖6所示。HCrednc
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圖6:從圖中可知兩種脈衝模型的軌電壓漂移情況。HCrednc
上述結果表明,兩種電流脈衝模型均符合<40mV的要求。值得注意的是,正弦半波模型的軌電壓突變是由正弦半波不連貫的di/dt所引起,在現實世界中,這只是實際情況的近似值。HCrednc
(本文授權編譯自EDN美國版,原文參考連結:Worst case analysis of rail voltage decoupling,由趙明燦編譯)HCrednc
本文為《電子技術設計》2021年1月刊雜誌文章,版權所有,禁止轉載。免費雜誌訂閱申請點擊這裡。HCrednc
(責編:趙明燦)HCrednc