金鑑材料分析 氬離子拋光切割機/CP離子研磨截面拋光儀 LED檢測

2020-12-17 騰訊網

1. 設備型號

Gatan 685

技術指標與配置:

(1)功能:具備平面大面積離子拋光、橫截面離子拋光及高精度離子束鍍膜,全面解決高端場 發射電鏡所有制樣需求;

(2)離子槍角度:0°到 + 18°,每隻離子槍可獨立調節;

(3)離子槍束能量:0.1keV~8keV , 可在不同電壓下自動優化離子束束流;

(4)拋光區域面積:平面拋光區域直徑≥10mm,橫截面≥2mm×2mm;

(5)最大樣品尺寸:直徑32mm×高15mm;

(6)冷臺部分:帶有液氮冷臺,以及精確控溫系統,一次加注液氮續航能力6-8小時;

(7)耙材裝置:同時安裝兩種靶材,金靶、鉑靶。

優勢:

具備樣品切割和拋光兩項功能;

配溫控液氮冷卻臺,去除熱效應對樣品的損傷,有助於避免拋光過程中產生的熱量而導致的樣品融化或者結構變化;

配碳/鉻鍍膜,對於同一個樣品,可在同一真空環境下完成拋光及鍍膜,防止樣品氧化,可以用於SEM/FIB導電鍍膜樣品製作。

2. 原理

氬離子切割技術是一種利用寬離子束( 1mm)來切割樣品,以獲得寬闊而精確的電子顯微分析區域的樣品表面製備技術。一個堅固的擋板遮擋住樣品的非目標區域,有效的遮蔽了下半部分的離子束,創造出一個側切割平面,去除樣品表面的一層薄膜。

氬離子拋光技術又稱CP截面拋光技術,是對樣品表面進行拋光,去除損傷層,從而得到高質量樣品,用於在SEM,光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

3. 性能

樣品粘貼在樣品載臺上的一個獨特的llion+樣品擋板上,便於使樣品準確的定位。系統筒化操作,使樣品可以重複插入樣品臺。

4. 氬離子拋光與切割/CP截面拋光的優點

機械拋光的缺點

相比較下氬離子拋光/CP截面拋光的優點:

(1)對由硬材料和軟材料組成的複合材料樣品, 能夠很精細地製作軟硬接合部的截面, 而使用傳統方法制樣是很困難的。

(2)比FIB方法的拋光面積更大(~1mm以上)。

5. 寄樣要求

1. 送樣前需要對樣品進行預處理:樣品預磨拋,樣品要磨平,樣品的上下表面要平行,樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平,在顯微鏡下看起來光滑,不粗糙。

2. 金鑑樣品的尺寸要求:

2.1塊狀樣品:以待拋光區域為中心點,樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨走)

2.2粉末樣品:10g以上。

註:具體的樣品要求可諮詢在線業務!

6. 金鑑拋光樣品臺簡介

6.1平面拋光樣品臺

平面拋光的樣品尺寸要求:

塊狀樣品:以待拋光區域為中心點,樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨走)

6.2 截面拋光樣品臺

截面拋光樣品尺寸要求:

不超過擋板大小即可,但拋光區域大概只有檔板中線區域的1mm

7.金鑑設備參數

8. 案例分析

(1)金屬結合面

(2)鋰電池石墨電極截面觀察

(3)鋰電池石墨顆粒平面拋

(4)線路板截面拋光

(5)晶片N極截面拋光

(6)支架鍍層二焊點截面拋光

(7)支架鍍層結構截面拋

(8)頁巖拋光

(9)樣品拋光後顯示出高度孿晶的晶粒

(10) 拋光後的鋯合金的菊池花樣

(11)EBSD歐拉角分布圖

(12)IPFZ 面分布

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