拜美國「所賜」,國產半導體材料獲突破,有望終結國外技術壟斷!

中企半導體國產化再獲突破,有望打破日韓壟斷,國家也出手了!

近些年來，中國科技企業的發展態勢相對良好，以華為來說，其先進強大的5G技術與物美價廉的5G設備在全球通訊設備市場上備受各國青睞。儘管華為在發展的過程中多次受到美國的幹擾與打壓，但在今年三季度還是以30%的市佔比贏得了全球通訊設備市場的「第一」寶座，這份成績是華為不懈努力下的豐盛成果。然而，即使是取得了這樣矚目的成績，華為本身也存在相對的「軟肋」。或者說，與其說是華為的「軟肋」，不如說是國內科技企業的「通病」。那就是在半導體方面存在稍許缺憾。

新材料專題報告:半導體材料及顯示材料投資機會分析

隨著 Smic以及長存對於資本開支的增加，可預期對應半導體材料的需求也將隨之爆發。當前國產化半導體材料逐步突破海外技術，無論是CMP拋光液、拋光墊，又或是IC載板，均已可實現一定的國產替代，伴隨著需求的增加，國產半導體材料有望獲得逐步放量，突破長期被壟斷的材料市場。

國產晶片迎來突破,中國巨頭造出光刻膠,打破日本技術壟斷

光刻膠是一種對光敏感的混合液體，是半導體晶片製造過程中所需的關鍵材料，主要用於光刻曝光環節。光刻膠主要有KrF、ArF、EUV幾種，我國在低端光刻膠領域雖然有不錯的表現，但在高端領域，我國仍要依賴海外。

打破半導體晶圓劃切設備的國外壟斷,「京創先進」完成數千萬元A輪...

「京創先進」全稱為江蘇京創先進電子科技有限公司，成立於2013年，主要從事半導體級別精密劃切設備研發、生產和銷售。公司目前已經研發出了8寸、12寸晶圓劃切設備，打破了國外廠家長期壟斷的局面。其12寸全自動劃片機已經在2019年量產出貨，2020年進入國內頭部封測廠。

打破日本技術壟斷,中企巨頭突破晶片材料,關鍵性堪比光刻機

在晶片製造所涉及的材料上，光刻膠是不可或缺的。而光刻膠的應用領域非常廣，包括在印刷工業領域。日本長期維持對光刻膠的壟斷，但中國企業傳來好消息，突破了關鍵晶片材料，打破壟斷。

半導體製造的關鍵設備基本為什麼由美國、日本企業所壟斷?

半導體製造的關鍵設備基本為什麼由美國、日本企業所壟斷？物理氣相沉積：PVD設備應用材料，日本Evatec，日本Ulvac，美國Vaportech，英國Teer，瑞士Platit，德國Cemecon，北方微電子，瀋陽中科儀器，成都南光，中國電子科技集團第48所，科睿設備化學氣相沉積：CVD設備應用材料，泛林集團，美國GT，Soitec，美國ProtoFlex，法國Semco，ASML，東京電子，日本尼康，日本佳能，北方華創

這所大學立功了!打破國外壟斷:成功研製首臺國產12寸晶圓設備

【12月31日訊】相信大家都知道，我國在整個晶片產業鏈技術方面，一直都依賴於進口，從最開始的EDA軟體，再到半導體材料、設備等等，這些核心技術、設備一直都被國外廠商所壟斷，而就在近日，全球半導體產業鏈掀起了一個漲價潮，整體晶片售價漲幅高達20%。

中科院研發者回應5納米光刻技術突破ASML壟斷

目前，國內製作的掩模版主要是中低端的，裝備材料和技術大多來自國外。劉前對《財經》記者說，如果超高精度雷射光刻加工技術能夠用於高精度掩模版的製造，則有望提高我國掩模版的製造水平，對現有光刻機的晶片的線寬縮小也是十分有益的。這一技術在智慧財產權上是完全自主的，成本可能比現在的還低，具有產業化的前景。

半導體設備行業深度報告:國產突破正加速

鍍膜與刻蝕兩環節設備合計約 50%，是國產替代的主力領域，相關公司有望從中受益。國內半導體設備企業技術逐漸成熟，加上近年來本土晶圓產線建設力度加大，各環節設備企業迎來高速成長。而在後道封裝/LED 光刻上，上海微電子、奧地利 EVG、德國 SUSS、美國 Veeco、美國魯道夫等有產品線覆蓋，而本土除上海微外還有中電科 48 所、中電科 45 所等參與晶圓前道光刻機研發。本土其他與光刻相關廠商主要集中在掩膜對準、電子束曝光、雷射直寫等環節，包括影速光電、金盛微納、新諾科技、合肥芯碁等。

中國半導體不再被「卡脖子」!從材料開始,解密十大新材料替代現狀...

本期的智能內參，我們推薦國盛證券的研究報告《國產替代揭開序幕，新材料行業春天將至》，揭秘在半導體行業穩步增長的大背景下，半導體材料和顯示材料的國產替代邏輯。如果想收藏本文的報告（國產替代揭開序幕，新材料行業春天將至），可以在智東西（公眾號：zhidxcom）回復關鍵詞「nc437」獲取。

中國半導體不再被「卡脖子」!從材料開始,解密十大新材料替代現狀

在國家產業政策大力扶持和國內半導體市場穩定增長等利好條件下，特別是國家「02 專項」等專業化科研項目的培育下，國內半導體材料領域將湧現更多具有國際競爭力的公司和產品，在更多關鍵半導體材料領域實現進口替代，打破國外廠商的壟斷。

你不熟的比亞迪半導體,已是打破國外廠商壟斷的獨角獸了

歷經8年蟄伏，在晶片核心技術備受關注的今天，比亞迪半導體「及時」地成長為國內領先的車規級半導體整體方案供應商。比亞迪充分利用整車優勢，打破國產車規級半導體下遊應用瓶頸，並成功打造集成化的車規級產品協同應用平臺，現產品已基本覆蓋新能源汽車核心應用領域，如電控系統、整車熱管理系統、車身及車載相關系統等。據中金公司預估，比亞迪半導體拆分上市後可達300億市值。

中科院突破5nm光刻技術壟斷?事實殘酷卻又是把雙刃劍

該論文的通訊作者博士生導師劉前特別強調，「不用EUV光刻機就能造成5nm晶片」是一個誤讀，超解析度雷射光刻技術與極紫外光刻技術是兩回事。中科院研發的5nm超高精度雷射光刻加工方法的主要用途是製作光掩模，因為目前國內製作的掩模板主要是中低端的，裝備材料和技術大多來自國外。

「芯觀點」國外依存度超60%!半導體材料國產化替代之路任重道遠

集微網消息（文/木棉），EDA、材料、設備並稱為集成電路的三大基礎，此前集微網已經盤點過國產EDA和設備發展情況（相關連結詳見文末），此文將繼續盤點國產材料的最新進展。但是，對於中國大陸市場而言，一方面是不斷增長的銷售規模，另一方面也面臨著巨大的國產半導體材料缺口。目前全球半導體製造材料基本被美日等公司壟斷。

半導體被寫入「十四五」!中國先進半導體材料及輔助材料發展戰略...

儘管我國已成為白光 LED 晶片及半導體照明燈具的生產大國，但在 LED 外延材料生產及其晶片製備技術方面較為薄弱，70% 以上的核心專利技術由美國、日本、德國等國家掌握，如汽車前燈等高端應用所需的功率型白光 LED 晶片主要是由美國流明（Lumileds）公司提供。目前，SiC 單晶襯底領域形成了美國、歐洲、日本三方壟斷的局面 [9]。

半導體材料行業專題報告:光刻膠,高精度光刻關鍵材料

國產光刻膠技術遠落後於國外我國光刻膠產業發展滯後於下遊產業發展，與國外差距大。近幾年全球消費電子產業、半導體產業、光電產業向我國轉移的趨勢愈加明顯，隨著下遊產品 PCB、LCD、半導體等產業迅速發展，國內市場對於 LCD、半導體的需求迅猛增加。

半導體材料大突破!首隻國產ArF光刻膠通過驗證

半導體材料大突破！首隻國產ArF光刻膠通過驗證南大光電公告，公司控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠產品近日成功通過客戶的使用認證，這標誌著「ArF光刻膠產品開發和產業化」項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一隻國產ArF光刻膠。

中科院取得突破,新技術成國之利器!一旦普及,有望替代矽基晶片

近年來，由於美國對我國晶片企業的持續打壓，令中國半導體產業技術自研、打破壟斷的決心更堅定。同時，「國家隊」也加大支援力度。其中，中國科學院便在美國針對華為的禁令生效後當即表示，要集結全院之力攻克光刻機等技術難題，幫助中國企業擺脫卡脖子的命運。值得一提的是，中科院不僅要全面入局光刻機的製造領域，而且還兼顧了晶片設計和製造方面的技術攻關。得益於院內的濟濟人才，中科院在多年來掌握了不少晶片領域的核心技術。

半導體光刻膠行業專題報告:國產半導體光刻膠迎發展良機

光刻是半導體製造微圖形工藝的核心，光刻膠是關鍵材料光刻膠是光刻工藝中最關鍵材料，國產替代需求緊迫。光刻工藝是指在光照作用下，藉助光刻膠將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術，在半導體製造領域，隨著集成電路線寬縮小、集成度大為提升，光刻工藝技術難度大幅提升，成為延續摩爾定律的關鍵技術之一。

製造晶片的關鍵材料,幾乎被日本壟斷,這家中國巨頭打破技術壁壘

國產晶片的生產，一直有一道難以逾越的鴻溝擺在半導體企業面前，那就是光刻膠被海外廠商壟斷。光刻膠是製造晶片的關鍵材料，對光刻工藝有著非常重要影響。某種意義上來講，在沒有光刻膠的情況下，即便國內企業研發出高端光刻機，也很難完成高端晶片的生產。