Dialog半導體公司 發表於 2020-12-23 09:41:13
設備的設計越來越多地採用片上嵌入式內存容量有限的微控制器,或者乾脆完全避開快閃記憶體。原因之一是,儘管可以嵌入所需的任意大小容量的內存,但是為了實現更高性能而逐漸縮小尺寸這個自然趨勢使得內置或擴展嵌入式內存的成本過高。
新型高性能控制器,例如無快閃記憶體NXP RT系列MCU,正在去掉嵌入式快閃記憶體,以滿足當今用於物聯網(IoT)和工業物聯網(IIoT)的設備設計的價格和性能要求。
這意味著外部SPI flash正逐漸成為被關注的焦點。隨之而來的挑戰是如何與MCU無縫操作,以確保其CPU性能不受影響,同時還要將功耗降至最低水平。
為了成為MCU的理想合作夥伴,外部快閃記憶體必須:
執行低功耗且快速的讀寫操作;
提供超低功耗的睡眠模式;
減少擦除和存儲數據所需的CPU周期;
減少或消除確定狀態所需的MCU和快閃記憶體之間的總線事務;
修改快閃記憶體中存儲的數據時避免使用系統RAM緩衝區。
Dialog半導體公司的新型FusionHD NOR Flash中內置了以上這些性能。FusionHD在將整體系統能耗降低多達70%的同時,運行速度還比競爭對手的快閃記憶體設備提高了5倍。
FusionHD通過利用具有一系列系統增強特性的低功耗架構來實現此性能。這些功能包括:
小頁面擦除(page erase)架構,提供更快速的寫入性能和更低的系統功耗;
易於實現的主動中斷功能,可阻止MCU浪費寶貴的CPU周期和功率來監測快閃記憶體狀態;
單個讀取修改寫入(Read Modify Write)命令可簡化軟體,加快數據記錄速度,並減少CPU開銷。
此外,FusionHD還具有其他許多節能特性,使其非常適合需要代碼存儲、數據存儲或密集數據記錄的下一代功耗敏感或電池供電的電路設計。
責任編輯:haq
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