如何區分肖特基、快恢復和超快恢復二極體

2021-01-09 電子發燒友
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如何區分肖特基、快恢復和超快恢復二極體

發表於 2018-04-20 11:47:34

  在高頻、大電流整流以及續流電路中,大量使用了快恢復二極體(FBR)、超快恢復二極體(SRD)和肖特基二極體(SBD)。

  肖特基二極體利用了肖特基,來對金屬或半導體接觸面上的反向電壓來進行阻擋,從而讓電流進行單向的傳導。與傳統的二極體不同,肖特基與PN結的結構相比,存在很大的差異。快速恢復二極體,顧名思義是一種能夠快速恢復反向時間的半導體二極體,本文主要從結構特點、性能參數方面來進行分析對比。

  

  簡介

  肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體,簡稱肖特基二極體(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低於150V,多用於低電壓場合。

  快恢復二極體是指反向恢復時間很短的二極體(5us以下),工藝上多採用摻金措施,結構上有採用PN結型結構,有的採用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通二極體(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長,後者則在100納秒以下。

  超快恢復二極體(簡稱fred)是一種具有開關特性好、反向恢復時間超短的半導體二極體,常用來給高頻逆變裝置的開關器件作續流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器,使開關器件的功能得到充分發揮。超快恢復二極體是用電設備高頻化(20khz以上)和高頻設備固態化發展不可或缺的重要器件。

  

  快恢復、超快恢復二極體的結構特點

  快恢復二極體的內部結構與普通二極體不同,它是在P 型、N 型矽材料中間增加了基區I,構成P-I-N矽片。由於基區很薄,反向恢復電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極體的反向恢復時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極體的反向恢復電荷進一步減小,使其trr可低至幾十納秒。

  20A以下的快恢復及超快恢復二極體大多採用TO-220封裝形式。從內部結構看,可分成單管、對管(亦稱雙管)兩種。對管內部包含兩隻快恢復二極體,根據兩隻二極體接法的不同,又有共陰對管、共陽對管之分。幾十安的快恢復二極體一般採用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則採用螺栓型或平板型封裝形式。

  性能、參數比較

  下表列出了肖特基二極體和超快恢復二極體、快速恢復二極體、矽高頻整流二極體、矽高速開關二極體的性能比較。由表可見,矽高速開關二極體的trr雖極低,但平均整流電流很小,不能作大電流整流用。

  

  反向恢復時間

  什麼是反向恢復時間?當外加二極體的電壓瞬間從正向轉到反向時,流經器件的電流並不能相應地瞬間從正向電流轉換為反向電流。此時,正向注入的少數載流子(空穴)被空間電荷區的強電場抽取,由於這些空穴的密度高於基區平衡空穴密度,因而在反向偏置瞬間,將產生一個遠大於反向漏電流的反向電流,即反向恢復電流IRM。與此同時,符合過程的強化也在加速這些額外載流子密度的下降,直到基區中積累的額外載流子的完全消失,反向電流才下降並穩定到反向漏電流。整個過程所經歷的時間為反向恢復時間。

  反向恢復時間trr的定義是:電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。

  區分肖特基二極體與快恢復二極體

  1、結構原理不同,肖特基二極體是貴重金屬和n型半導體結合成,快恢復二極體是普通pn結加了個薄基區。

  2、快恢復二極體是指反向恢復時間很短的二極體(5us以下),工藝上多採用摻金措施,結構上有採用PN結型結構,有的採用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通二極體(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長,後者則在100納秒以下。 肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體,稱肖特基二極體(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低於150V,多用於低電壓場合。

  3、肖特基二極體反向擊穿電壓大多不高於60V,最高僅約100V,限制其使用,快恢復二極體反向峰值可以到幾百到幾千伏,因此像在開關電源變壓器次級用100V以上的高頻整流二極體等只有使用快速恢復(UFRD)。

  4、肖特基正嚮導通壓降僅0.4V左,快回復二級館0.6伏, 總的來說,由於肖特基二極體中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極體。快恢復二極體:有0.8-1.1V的正嚮導通壓降,35-85nS的反向恢復時間,在導通和截止之間迅速轉換,提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓。目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件。

  

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