鍍銅、鎳、金、錫和錫鉛製程術語手冊

1、Anti-Pit Agent 抗凹劑
指電鍍溶液中所添加的有機助劑，可降低鍍液的表面張力，使鍍面上所生成的氫氣泡能迅速的脫逸，而避免因氫氣的附著而發生凹點（Pits)。此種抗凹劑以鍍鎳槽液中最常使用。

2、Brightener 光澤劑
是在電鍍溶液加入的各種助劑(Additive)，而令鍍層出現光澤外表的化學品。一般光澤劑可分為一級光澤劑(稱為載體光澤濟)及二級光澤劑，前者是協助後者均勻分布用的，此等皆為不斷試驗所找出的有機添加劑。

3、Brush Plating 刷鍍
是一種無需電鍍槽之簡易電鍍設備，對不方便進槽的大件，以"刷拭法"所做全面或局部電鍍而言。又稱 Stylus Plating 畫鍍或擦鍍。

4、Build-Up 增厚，堆積
通常指以電鍍方式對某一特定區域予以增厚，此字在其它處的意思是"堆積"。

5、Burning 燒焦
指鍍層電流密度太高的區域，其鍍層已失去金屬光澤，而呈現灰白粉狀情形。

6、Carbon Treatment，Active 活性炭處理
各種電鍍槽液經過一段時間的使用，都不免因添加劑的裂解及板面阻劑的溶入，而產生有機汙染，需用極細的活性炭粉摻入鍍液中攪拌予以吸收，再經過濾而得以除汙，稱為活性炭處理。平日也可以活性炭粒之濾筒進行維護過濾。

7、Cartridge 濾芯
此字原是指子彈殼或彈藥筒。在 PBC 及電鍍業中則是用以表達過濾機中的"可更換式濾芯"。是用聚丙烯的紗線所纏繞而成的中空短狀柱體，讓加壓的槽液從外向內流過，而將浮遊的細小粒子予以補捉，是一種深層式過濾的媒體。

8、Complexion 錯離子
電解質溶在水中會水解成為離子，如食鹽即可水解成簡單的 Na+ 與 Cl- 。但有些鹽類水解後卻會形成複雜的離子，如金氰化鉀(金鹽)KAuCN2 即水解為 K+ 的簡單離子，及Au (CN)-2 的複雜離子。此一 Complex 即表示其"錯綜複雜"的含義，當年在選擇譯名時，是抄自日文漢字的"錯離子"。此名詞多少年來一直困擾著學生們，實在難以望文生義。早年的前輩學者若能在上述四字中只要不選"錯"字，其它三字都比較好懂，也不致一"錯"到現在已無法再改了，而且還要一直"錯"下去。可見譯筆之初，確實應該要抱執著戒恐謹慎的心理，還要小心從事認真考據才不致遺害後人。又Component 則為錯化劑，如氰化物，氨氣等能使他種元素進行錯化反應者謂之。

9、Conductive Salt 導電鹽
貴金屬鍍液中，因所加入貴金屬的含量不是很多(鍍金液中含金量僅5 g/1 左右)，為維持槽液良好的導電度，還須在槽液中另加一些鉀鈉的磷鹽酸或其它有機鹽類，做為導電用途，稱為導電鹽。

10、Deionized Water 去離子水
利用陰陽兩種交換樹脂，將水中已存在的各種離子予以吸附清除，而得到純度極高的水稱為"去離子水"簡稱 DI 水,亦稱為 Demineralized Water,俗稱純水，可充做各種電鍍藥水的配製用途。

11、Deposition 皮膜處理
指在各種底材之表面上，以不同的加工方法如電鍍、真空蒸著、化學鍍、印刷、噴塗等，形成各式外層皮膜者，稱為 Deposition。

12、Drag in/Drag out 帶進/帶出
是指板子在溼式製程各槽站之間進出時，常因多孔而將前一槽溶液的化學品"帶出"，經過水洗後仍可能有少許殘跡，而被"帶進"下一站槽液中，如此將會造成下一槽的汙染。故其間必須徹底水洗，以延長各槽液的使用壽命。

13、Dummy，Dummying 假鍍片，假鍍
各種電鍍槽液在一段時間的操作後，都要進行活性炭處理以除去有機汙染，同時也要加掛假鍍片，以很低的電流密度對金屬雜質加以析鍍。這種假鍍片通常是用大面的不鏽鋼片，按每吋寬的劃分多格後，再以 60 度方向多次往復彎折成波浪型，刻意造成明顯的高低電流區，來"吸鍍"槽液中的金屬雜質。這種假鍍片平時也可用做鍍液的維護工具。一般裝飾性的光澤鍍鎳，必須時時進行這種維護性的假鍍工作。

14、Electrolytic Cleaning 電解清洗
將待清洗的金屬對象，掛在清洗槽液中(含清潔劑及表面溼潤劑)的陰極或陽極上，在施加外電流中，可在陽極上產生氧氣，在陰極上產生氫氣。在利用槽液的清潔本性、氣泡的鼓動，及掀起作用下，可使對象表面達到除汙清洗的目的，稱為電解清洗。在一般金屬電鍍流程中用途極廣，甚至還可採用陰陽極交替的方式(Polarity Revesserse；P. R.)，非常方便及有效。

15、Electrolytic Tough Pitch 電解銅
為銅材的一種品級，是將"轉爐"中所治煉得的粗銅(即泡銅)，另掛在硫酸銅槽液中當成陽極，再以電解方式從陰極上得較純的銅，即成為這種ETP電解銅(含氧0.025~0.05％)。若另將這種 ETP 銅放在還原性環境中再行冶煉，即可成為更好的"無氧銅"或"磷銅"，可做為電鍍銅槽液中的陽極。

16、Electro-tinning鍍錫
也是一種電鍍方式，但目的卻不在乎鍍層的完美與否，而僅採低電流及非溶解性陽極方式，欲將溶液中金屬離子鍍在廣大面積的多片陰極板上，以達到回收金屬及減輕排放水中金屬汙染的目的。電路板業界常在蝕銅液的循環系統中，加設這種電解回收裝置。

17、Fault Plane 斷層面
早期的焦磷銅的鍍層中，常因有機物的累積，而造成其片狀結晶銅層中產生局部黑色微薄的裂面，其原因是由於共同沉積的碳原子集中所致。從微切片的畫面中可清楚看到弧形的黑線，稱之為"斷層"。

18、Filter 過濾器、濾光鏡片
在溼製程槽液作業中，為清除其中所產生的固態粒子而加裝的過濾設備，稱之為過濾器。此字有時也指光學放大鏡，特殊效果的濾光鏡片而言。

19、Gilding 鍍金
是鍍金老式的說法，現在已通用 Gold Plating。

20、Hardness 硬度
是指物質所具有抵禦外物入侵的一種"耐刺穿性"(Resistance to Penetration)。例如以一堅硬的刺頭(Penetrator)用力壓在金屬表面時，會因被試面的軟硬不一，而出現大小不同的壓痕(Indentation)，由此種壓痕的深淺或面積可決定其硬度的代表值。常見的硬度可分為"一萬硬度"及"微硬度"兩種，前者如高強鋼，經鍍硬鉻後的表面上，在壓頭(Indentator)荷重 150公斤所測到的硬度，可用"RC-60"表示之(即 Rockwell"C"scale 的 60 度)。微硬度檢測時荷重較輕，例如在 25 克荷重下，可在鍍金層的截面上，以努普(Knoop)壓頭所測到的微硬度，可表達為"KHN２５150"(即表示採用 25 克荷重的測頭於顯微鏡下小心壓在金層斷面上，以其長菱形的大小而得到 150度的數字)。 一般鍍金層由於需具備較好耐磨損性起見，對其微硬度常有所講究，但以 KHN２５150～200 之間的韌性為宜，太硬了反易磨損。一般經回火後的純金，其微硬度即回降為 KHN２５ 80 左右。

21、Hydrogen Embrittlement 氫脆
因電鍍溶液是由水所配製，故在電鍍的同時，水也會被電解而在陰極上產生氫氣滿在陽極產生氧氣。那是由於帶正電的H會往陰極遊動，帶負電的O＝會往陽極遊動之故。由於氫氣的體積很小，故當其在陰極外表登陸，而又未及時被趕走浮離時，則很可能有一部份，會被後來登陸的金屬所覆蓋而殘留在鍍層中，甚至還會往金屬底材的細縫中鑽進，造成鍍件的脆化稱為"氫脆"。此現象對高強鋼物體之為害極大，二次大戰時，美軍即發現很多飛機的起落架常會折斷，後來才研究出那是因電鍍時的"氫脆"所造成的。一般鹼性鍍液的"氫脆性"要比酸性鍍液少，而且若能在鍍完後立即送進烤箱在 200 ℃下烘烤2 小時以上，可將大部份氫氣趕出來，此二種做法皆可減少氫脆的發生。

22、Laminar Structure 片狀結構
在電路板中是指早期所用的"焦磷酸鍍銅"之銅層，其微觀結構即為標準的層狀片狀組織,與高速所鍍之銅箔(1000 ASF 以上)所具有的柱狀結構(Columnar Structure)完全不同。後來所發展的硫酸銅鍍層，則呈現無特定結晶組織狀態，但是其所表現的平均延伸性(Elongation)以及抗拉強度(Tensile Strength)卻反而較前兩者更好。

23、Leveling 整平
電鍍槽液中所添加的有機助劑，大體可分為光澤劑及載運劑(Carrier)兩類,整平劑(Leveler 或 Levelling Agent)即屬後者之一。電路板之鍍銅尤不可缺少整平劑，否則深孔中央將很難有銅層鍍上。其所以幫助鍍層整平的原理，是因高電流密度區將會吸附較多的有機物(如整平劑)，導致該處電阻增大而令銅離子不易接近，或將電流消耗在產生氫氣上，令低電流密度高電阻區也可進行鍍積(Deposit),因此可使鍍層漸趨均勻。裸銅板各種露出待焊的銅面上，需再做噴錫層，其原文亦稱為Hot Air Leveling，大陸術語的為"熱風整平"。

24、Migration Rate 遷移率
當在絕緣基材體中或表面上發生" 金屬遷移 "時，在一定時間內所呈現的遷移距離，謂之Migration Rate。

25、Migration 遷移
此字在電路板工業中有兩種用途，其一即為上述"質量傳輸"中所言，指電鍍溶液中的金屬離子，受到電性的吸引而往陰極移動的現象，稱為"遷移"。除此之外，若在金手指的銅表面上直接鍍金時，則彼此二者原子之間，也會產生遷移的現象，因而其間還必須另行鍍鎳予以隔離，以保持金層不致因純度劣化而造成接觸電阻的上升。各種金屬中最容易發生"遷移"者，則非銀莫屬，當鍍銀的零件在進行焊接時，其銀份很容易會往焊錫中"遷移"，特稱為 Silver Migration或 Silver Depletion，原因可能是受到水氣及電位的刺激而影響所致。當零件腳表面的銀份都溜進了焊錫中後，其焊點的強度將不免大受影響，常有裂開的危機。因而只好在不計成本之下，在焊錫中刻意另加入2％的銀量，以防止鍍銀零件腳這種焊後的惡性遷移.另在厚膜電路(Thick Film ，指瓷質的混成電路 Hybrid 表面所印的"銀／鈀"導線而言)，其中的銀份也會往外溜走，甚至可達好幾 ㎜ 之遠 (見 R.J.Klein Wassink 名著 Soldering in Electronics，1984 第一版之 P.142；及 1989 第二版之p.217)。其它如錫、鉛、銅、銦等雖也會遷移，但卻都比銀輕微得很多。

26、Nodule 瘤
在電路板工業中多指鍍銅槽液不潔，有固體粒子存在，造成在板面上線路邊緣、孔口、或孔壁上形成瘤狀粒子的分布，這種不良現象稱為鍍瘤。又"電鍍銅箔"的毛面，亦曾經過後處理鍍過黃銅；而使其原已粗糙的毛面上，再形成許多小瘤，如同馬鈴薯的根瘤一般，可增加銅箔與基材之間的附著力。此種後處理即稱為 "Nodulization Treatment" 。

27、Occlusion 吸藏
此字在PCB領域中是指板材或鍍層，在其正常組成之內，由製程所引入外來的異物，且此等雜質一旦混入組織中即不易排除，謂之"吸藏"。最典型的例子如早期添加蛋白槽液的氟硼酸錫鉛鍍層中，即發生因共鍍而吸藏多量的有機物。當此種鍍層進行高溫重熔時(Reflow)，其所吸藏的有機揮發物即形成氣泡，而被逼出錫鉛合金實體之外，形成一些火山口(Craters)的情形，並在表面呈現砂礫狀高低不平沾錫不良之外貌。

28、OFHC 無氧高導電銅
是Oxygen free High Conductivity的縮寫，為銅材品級的一種，簡稱"無氧銅"。其含純銅量應在99.95 ％以上，導電度平均應為101％IACS(IACS 是指International Annealed Copper Standard)，而"比電阻"值約為1.673microhm/cm/cm2。早期電路板之焦磷酸鍍銅製程，即採用此種品級的銅材做為陽極。注意OFHC之縮寫，早期是一家"Ammerican Metal Climax，INC"公司的商標，現已通用為一般性的名詞了。

29、Outgrowth 懸出，橫出，側出
當鍍層在不斷增厚下，將超過阻劑(如幹膜)的高度而向兩側發展，猶如" 紅杏出牆"一般，此等橫生部份自其截面上觀之，即被稱為"Outgrowth"。幹膜阻劑由於圍牆側壁較直也較高，故較不易出現二次銅或錫鉛層的"懸出"。但網印油墨之阻劑，則因其邊緣呈現緩緩向上的斜坡，故一開始鍍二次銅時就會出現橫生的"懸出"。注意Outgrowth、Undercut 及 Overhang 等三術語，業者經常順口隨便說說，對其定義實際並未徹底弄清楚。甚至許多中外的文章書藉中也經常弄錯。不少為文者甚至對術語之內容並未充份了解之下，亦信手任意亂翻，每每導致新手們無所適從。為了回歸正統起見，特將 1992 年4月發行的電路板品質標準規範 IPC-RB-276 中的圖5引證於此，對此三詞加以仔細釐清，以正本清源減少誤導。

30、Overhang 總浮空
由前述" Outgrowth "所附IPC-RB-276 之圖5 可知，所謂 Overhang 是指：線路兩側之不踏實部分；亦即線路兩側越過阻劑向外橫伸的"懸出"，加上因"側蝕"內縮的剩部份，二者之總和稱為 Overhang。

31、Panel Plating全板鍍銅
當板子完成鍍通孔(PTH)製程後，即可實施約20分鐘的全板鍍銅，讓各孔銅壁能增厚到0.2～0.3 mil，以保證板子能安全通過後續的"影像轉移"製程，而不致出現差錯。此種Panel Plating，在臺灣業界多俗稱為"一次銅"，以別於影像轉移後電鍍線路的"二次銅"。此等電路板前後兩次電鍍銅的做法，堪稱是各種製程中最穩當最可靠的主流，長期看來仍比"厚化學銅"法有利。

32、Pattern Plating線路電鍍
是指外層板在完成負片阻劑之後，所進行的線路鍍銅(二次銅)及鍍錫鉛而言。

33、Rack掛架
是板子在進行電鍍或其它溼式處理時(如黑化、通孔等)，在溶液中用以臨時固定板子的夾具。而電鍍時的掛架除需能達成導電外還要夾緊板面，以方便進行各種擺動，與耐得住槽液的激蕩。通常電鍍用的掛架，還需加塗抗鍍的特殊塗料，以減少鍍層的浪費與剝鍍的麻煩。

34、Robber輔助陰極
為避免板邊地區之線路或通孔等導體，在電鍍時因電流分布，而形成過度之增厚起見，可故意在板邊之外側另行加設條狀之"輔助陰極"，或在板子周圍刻意多留一些原來基板之銅箔面積，做為吸引電流的犧牲品，以分攤掉高電流區過多的金屬分布，形成局外者搶奪當事者的電流分布或金屬分布，此種局外者俗稱"Robber"或"Thief"，以後者較流行。

35、Selective Plating選擇性電鍍
是指金屬物體表面，在其局部區域加蓋阻劑(Stop off)後，其餘露出部份則仍可進行電鍍層的生長。此種浸於鍍液中實施局部正統電鍍，或另以刷鍍方式對付局部體積較大的物體，均為選擇性電鍍。

36、Sludge沉澱物，淤泥
槽液發生沉澱時，其鬆軟的泥體稱為Sludge。有時電鍍用的陽極不純，在陽極袋底亦常累積一些不溶解的陽極泥Anode Sludge。

37、Step Plating梯階式鍍層
這是一種早期焦磷酸鍍銅時期常出現的毛病。當板面直立時其高電流區孔環下緣處，常發生鍍銅層厚度較薄的情形，從正面看來外形有如嵌入的淚滴一般，故又稱為 Tear Drop，亦稱為Skip Plating。造成的原因可能是孔口附近的兩股水流衝激過於猛烈，形成渦流 (Turbulance)或擾流之半真空狀態(Cavitation)，且還因該處之光澤劑吸附太多，以致出現局部陰極膜(Cathodic film)太厚，使得銅層的增長比附近要相對減緩，因而最後形成該處的銅層比附近區域，甚至比孔壁還薄，特稱為Step Plating。

38、Stray Current迷走電流，散雜電流
電鍍槽系統中，其直流電是由整流器所供應的，應在陽極板與被鍍件之間的匯電桿與槽液中流通。但有時少部份電流也可能會從槽體本身或加熱器上迷走、漏失，特稱為 Stray Current。

39、Strike預鍍，打底
某些鍍層與底金屬之間的密著力很難做到滿意，故須在底金屬面上，以快速方式先鍍上一層薄鍍層，再迎接較厚的同一金屬主鍍層，而使附著力增強之謂。如業界所常用到的銅、鎳或銀等預鍍或打底等即是。此字若譯為"衝擊電鍍"則不免有些過份僵硬不合實情。除電鍍層外，某些有機皮膜的塗裝，也常有打底或底漆的做法。

40、Thief輔助陰極，竊流陰極
處於陰極之待鍍電路板面四周圍，或其板中的獨立點處，由於電流密度甚高，不但造成鍍層太厚，且亦導致鍍層結晶粗糙品質劣化。此時可在板面高電流區的附近，故意加設一些無功用又不規則的鍍面或框條，以分攤消化掉太過集中的電流。此等刻意加設非功能性的陰極面，稱為Thief或Robber。

41、Tin Whishers錫須
鍍純錫層在經過一段時間後，會向外產生須狀的突出物而且還會愈來愈長，往往造成的電路導體之間的短路，其原因大概是在鍍錫過程中，鍍層內已累積了不少應力，錫須的生長可能是"應力消除"的一種現象。鍍層中只要加入 2～4％少許的鉛量即可防止此一困擾，因而電子產品不宜選擇純錫鍍層。

42、Treeing枝狀鍍物，鍍須
在進行板面線路鍍銅時，各導體線路的邊緣常因電流密度過大而有樹枝(Dendritic)狀的金屬針狀物出現，稱為Treeing。但在其它一般性電鍍中，鍍件邊緣高電流密度區域也會偶有枝狀出現，尤其以硫酸錫槽液之鍍純錫，即很容易發生多量的須狀鍍枝，也稱為Whiskering。

43、Underplate底鍍層
某些功能性的複合鍍層，在表面鍍層以下的各種鍍層皆可稱為Underplate。如金手指中的底鍍鎳層，或線路兩層鍍銅中的"一次全板鍍銅"等。Underplate與Strike Plate 不同，後者是指厚度極薄，其目的只是在增強後續鍍層的附著力，其譯名應為"打底鍍層"，如"銀打底"即為常見者。

44、Watts Bath瓦茲鍍鎳液
以硫酸鎳(330 g/1)、氯化鎳 (45 g/1)，及硼酸(37 G/1)所配製的電鍍鎳溶液，很適合光澤鎳與半光澤鎳的製程，已成為業界的標準配方。這是 O.P.Watts在1916年所首先宣布的，由於性能良好故一直延用至今，特稱為Wetts Bath。

45、Wetting Agant潤溼劑
又稱為Wetter或Surfactant，是降低水溶液表面張力的化學品。取其少量加入溶液中，可令溶液容易進入待處理物品的小孔或死角中，以達到處理之目的。也可讓被鍍件表面的氫氣泡便於脫離逸走，而減少凹點的形成。

46、Whisker晶須
板面導體之間，由於鍍層內應力或環境的因素(如溫度及電壓)，使得純銀或純錫鍍層中，在老化過程中會有單晶針狀異常的"晶須"出現，常造成搭橋短路的麻煩。但若在純錫中加入部份鉛量後，則可防止其生須的問題。銅金屬在硫化物環境中也偶會有晶須出現。