11月新品推薦:傳感器、DC-DC、無線模塊、NNA、MOSFET

傳感器

3D圖像傳感器xISesmc

據觀察，遊戲、虛擬電子商務、3D線上教育等應用，採用3D深度傳感器打造沉浸式增強現實（AR）體驗，連接現實與數字世界，且市場需求強勁。預計至2024年，後置攝像頭搭載3D傳感器的智慧型手機出貨量將達到每年5億部以上。xISesmc

11月2日，英飛凌與pmdtechnologies攜手開發採用飛行時間（ToF）技術的3D深度傳感器，其目標是打造最具沉浸式且智能的AR體驗，以及在低光源條件下通過加快自動對焦速度，或運用圖像分割技術（picture segmentation），拍出更漂亮的夜間人像照，以提升拍照效果。此新款晶片的開發，實現了以低功耗達到10米測量距離，為圖像傳感器、驅動器和處理能力的帶來新一代應用。xISesmc

據悉，新款晶片能整合到微型化相機模組中，為AR精準測量短距和遠距的深度，同時滿足低功耗要求，為圖像傳感器節省下超過40%的電量。該晶片將於2021年第二季度開始量產。xISesmc

接近傳感器xISesmc

11月16日，Vishay推出兩款解析度高達20µm、適用於各種壓力感測應用的新型全集成汽車級接近傳感器——VCNL3030X01和VCNL3036X01。這兩款傳感器將光電二極體、放大器和ADC電路集成在4mm * 2.36mm，厚度僅為0.75mm的表面貼封裝中。該晶片採用板載紅外發射器（IRED），VCNL3036X01最多可配置三個外置IRED，採用含有內部邏輯電路的板載驅動器。xISesmc

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據悉，該晶片經過AEC-Q101認證，適用於汽車、消費電子、智能家居、工業、辦公和玩具產品，與前代傳感器相比，提高了解析度並降低成本。用於車輛轉向控制、筆記本智能電源按鈕和多點觸控板，以及物聯網（IoT）設備和廚用電器觸摸板等壓力感測應用時，該晶片可防止誤觸發，甚至允許用戶戴手套。xISesmc

新型接近傳感器現可提供樣品並已實現量產，大宗訂貨供貨周期為6至12周。xISesmc

神經網絡加速器

11月12日，Imagination推出面向先進駕駛輔助系統（ADAS）和自動駕駛應用的新一代神經網絡加速器（NNA）產品——IMG Series4。它擁有全新的多核架構，可提供600TOPS（每秒萬億次操作）甚至更高的超高性能，並且可為大型神經網絡工作負載提供低帶寬和極低的延遲。xISesmc

功耗方面，Imagination的NNA架構旨在執行完整的網絡推理，同時滿足功能安全要求。它可以一次執行多個操作，從而最大化每瓦性能並提供行業領先的能效。xISesmc

該晶片主要應用於洗車領域，服務對象包括汽車行業顛覆者、一級供應商、整車廠（OEM）和汽車系統級晶片（SoC）廠商。目前Series4已經開始提供授權，並將於12月在市場上全面供應。xISesmc

無線模塊

11月2日，Silicon（芯科科技）宣布擴充其預認證的無線模塊產品系列，專門用於滿足現代物聯網應用開發需求。該產品系列包括xGM210PB、BGM220、MGM220和BGX220 Xpress，是業內獨特的全棧多協議解決方案模塊，滿足商業和消費物聯網應用，並具有靈活的封裝選項和高度集成的設備安全性。xISesmc

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據悉，Silicon高集成度的模塊具有多種封裝選項，包括系統級封裝（SiP）和傳統印製電路板（PCB）封裝。SiP模塊包含微型組件，空間受限的物聯網設計通過基於模塊的解決方案，從而消除了對複雜射頻設計和認證的需求。PCB模塊可實現靈活的引腳訪問以及可擴展射頻性能的其他選擇。xISesmc

其中，xGM210PB具有Secure Vault、ARM PSA2級認證的物聯網設備安全性以及對藍牙、Zigbee和OpenThread動態多協議的穩定支持，且支持Wi-Fi共存。xGM210PB模塊針對物聯網應用進行了優化，包括可連接照明、網關、語音助手和智能電錶家用顯示器，提供最大+20dBm的輸出功率且優於-104dBm的靈敏度。xISesmc

以上四款晶片現已量產，可提供樣品和開發工具套件。xISesmc

DC-DC轉換器

11月18日，Silanna推出針對USB-PD應用的最新系列寬電壓、高頻負載點轉換器。兩個DC-DC轉換器（降壓穩壓器）的SZPL3102A/3103A系列最高工作頻率為2MHz，可實現領先的寬輸入和寬輸出範圍轉換器，並以小巧的3mm * 3mm QFN封裝支持高達24VDC輸入。xISesmc

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據官方介紹，更高的開關頻率意味著可使用更小體積和更低成本的輸出濾波器，已經試用過樣片的客戶都感到非常滿意， SZPL3102/3103能夠以最小尺寸和重量實現突破性效率。其支持工具能夠給客戶提供更高的靈活性和信心，幫助快速提高性能和效率，最終提高設計的功率密度，而體積只有低頻競爭解決方案的12％。SZPL3102/3103大大降低了BOM成本，並縮短了設計周期和上市時間。xISesmc

SZPL3102A和SZPL3103A具有獨特的功能，可優化其在USB埠電源應用中的性能。非常低的運行功耗可實現極低的空載功率，這是監管認證的一個重要指標。此外，SZPL3102A包含一個瞬時內部反饋路徑，可允許進行乾淨且受控的啟動操作，直到外部USB-PD控制器可以為自身設置偏壓，並接管輸出電壓的控制為止。xISesmc

Silanna結合了內部和外部電阻分壓器的靈活性，以方便為客戶提供定製設計支持。現正在向主要客戶提供樣片，並將於2020年下半年全面供貨。xISesmc

MOSFET

繼2月份推出25V裝置後，11月3日，英飛凌又推出了OptiMOS™ 40V低電壓功率MOSFET，採用源極底置（SD, Source-Down）PQFN 封裝，尺寸為 3.3mm * 3.3mm。這款40V SD MOSFET 適用於伺服器的SMPS、電信和OR-ing，還適用於電池保護、電動工具和充電器等應用。xISesmc

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SD封裝的內部採用上下倒置的晶片，可以讓源極電位（而非汲極電位）能通過導熱片連接至PCB。與現有技術相比，此版本最終可使R_DS(on)大大降低25%。相較於傳統的PQFN封裝，接面與外殼間的熱阻（R_thJC）亦獲得大幅改善。SD OptiMOS可承受高達194A的高連續電流。此外，經過優化的配置可能性和更有效的PCB利用，可實現更高的設計靈活性和出色的性能。xISesmc

目前，低電壓功率MOSFET提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置並聯作業進行了優化。兩個版本皆採用PQFN 3.3mm * 3.3mm封裝，已開始接受訂購。xISesmc