GaN Systems推出新型GaN功率級別

2021-02-13 CSC化合物半導體

GaN Systems發布了兩款650V半橋子卡（30A和60A），為評估GaN驅動器和電晶體提供了一個多功能平臺。該評估卡提供兩種功率級，最高3kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），並包括Renesas RAA226110低側GaN FET驅動電路。

這些卡被認為是業界首款提供具有可調閾值和可編程源電流的可編程過流保護，以實現可調開關迴轉率的產品。

「GaN電晶體已將自己確立為電力電子技術的基本組成部分。Renesas推出具有同類最佳功能和性能的低側GaN FET驅動電路，證實了GaN電晶體已成為電源設計工程師的首選工具。」 GaN戰略營銷副總裁Paul Wiener表示。

「Renesas致力於開發支持GaN電晶體的創新電源產品。」Renesas工業和通信業務部副總裁Philip Chesley說，「我們的新型RAA226110低側GaN FET驅動電路就是一個例子，它提供了客戶在高性能驅動電路中想要的所有功能。」

這些功率級設計可廣泛應用於企業1U電源(最高5kW)、高功率密度無橋圖騰柱PFC、光伏逆變器、儲能系統、電機驅動器以及汽車DC/DC轉換器和板載充電器。

該評估卡與GaN Systems的主板一起使用，可輕鬆設置和即插即用。該評估卡還具有在2MHz fSW下集成VGS的功能和一些獨一無二的功能，如可編程過電流保護，閾值為40mV/80mV/120mV，差分電流感應，以及可編程源電流，可調節開關迴轉率（0.3A、0.75A或2A）。

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