【嘉德點評】開元通信的此項發明不僅提供了一種可以有效提升體聲波器件性能的措施外，還提出了對應器件的製備方法，使得造出的體聲波器件具有較高的性能。作為中國領先的射頻濾波晶片供應商，開元通信不斷在工藝、設計等領域實現自主創新，形成了具有高度競爭力的國產BAW濾波器。
集微網消息，在5G產品加速落地的推動下，移動終端，例如手機越來越普及。而濾波器作為移動終端中不可缺少的射頻器件，其需求量的增長也不容小覷，但國內自給率仍然較低。
現階段常用的濾波器有聲表面波器件(SAW, Surface Acoustic Wave)和體聲波器件(BAW，Bulk Acoustic Wave)。其中體聲波器件作為濾波器的一種，因其具有插入損耗低、高滾降特性、功率承受能力強、適用於高頻等優勢被廣泛應用在通訊行業之中。那麼如何有效提高體聲波器件的性能，例如帶外抑制、回波損耗等就是本領域技術人員急需解決的問題。
在現有技術中，體聲波器件所用的匹配電容，都採用外置SMT(表面貼裝)電容或者將電容設置在PCB中。這一方面增加了成本，另一方面，使用SMT電容或者在PCB中設置電容，比較難實現較小的電容，並且在PCB中設置電容容易引入寄生效應，影響器件的性能。
為了解決以上問題，開元通信申請了一項名為「一種體聲波器件及其製備方法」（申請號：201810835617 .3）的發明專利，申請人為開元通信技術（廈門）有限公司。
圖1體聲波器件的俯視圖
圖2為圖1中沿A-A』線的剖視圖
圖1和圖2是此專利提出的一種體聲波器件的俯視圖和剖視圖，體聲波器件主要包括襯底1、第一電極2、壓電薄膜3、第二電極4以及第三電極5。其中，第三電極5與第一電極2和第二電極4中會至少形成一個電容。
圖3 體聲波器件製備方法流程圖
上圖是為本發明提出的第一種具體的體聲波器件製備方法流程圖，首先我們會在襯底的第一表面設置第一電極，通常是先在襯底的第一表面沉積金屬層，再圖案化該金屬層，以將金屬層刻蝕成第一電極。然後在第一電極背向襯底一側表面沉積預設厚度的壓電薄膜，並在剛剛得到的壓電薄膜的表面沉積金屬層。接著對金屬層進行圖案化，把在壓電薄膜表面沉積的金屬層刻蝕成預設的形狀，以形成第二電極。
然後刻蝕壓電薄膜的非體聲波傳播部，以形成第三電極設置窗口。通常情況下會刻蝕透壓電薄膜，這樣就能暴露出第三電極設置窗口對應的第一電極。若第一電極需要通過焊盤與外界的其他部件相互電連接，那麼在刻蝕出第三電極設置窗口時，可以同時在壓電薄膜的非體聲波傳播部刻蝕出焊盤設置窗口，以備在後續步驟中設置與第一電極電連接的第一焊盤。最後就是在第三電極設置窗口中沉積第三電極，並將第三電極與第一電極相互電連接。
開元通信的此項發明不僅提供了一種可以有效提升體聲波器件性能的措施外，還提出了對應器件的製備方法，使得造出的體聲波器件具有較高的性能。作為中國領先的射頻濾波晶片供應商，開元通信不斷在工藝、設計等領域實現自主創新，形成了具有高度競爭力的國產BAW濾波器。
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（校對/holly）