安世半導體新一代高效的氮化鎵電源設計方案

2020-12-17 騰訊網

電源轉換效率是推動電力電子發展的重要因素，既是行業的關鍵性挑戰，也是創新驅動力。氮化鎵場效應電晶體具備極低的開關品質因數和非常快速的開關轉換，實現高開關頻率時的低損耗和高效率功率轉換，能夠以較低的系統成本，實現更小、更快、散熱性能更優、更輕便的系統。

安世半導體（以下簡稱「Nexperia」）採用級聯結構的Cascode GaN，與傳統Si-FET兼容的行業標準驅動器，驅動線路設計非常簡單。採用久經考驗的SMD CCPAK銅夾片封裝技術，以真正創新的封裝提供了業界領先的性能，同時提供頂部散熱和傳統的底部散熱設計以增加設計靈活性並進一步提高散熱能力。

歡迎大家觀看直播，一起了解Nexperia高功率 GaN FET如何助力新一代高效電源設計。

直播時間：

9月17日（今天）上午10:00-11:30

觀看方式：

直播講師：

陳秋明

Nexperia GaN FET首席應用工程師

陳秋明先生於2008起一直從事能源相關研發工作，在能源電源及半導體行業擁有10年以上的工作經驗。於2018年加入Nexperia，擔任首席高功率GaN FET的應用工程師，負責產品線在大中國區的產品推廣及技術支持，對高功率GaN FET的優越性能及其在工業、汽車行業的應用方面擁有豐富的知識及經驗。

禮品設置：

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