Diodes推出的第二代USB PD控制器為低待機功率的快速充電器解決方案提供平臺
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布推出 AP43771 USB Type-C® 供電 (PD) 控制器，具備嵌入式微控制器與一次性可編程內存。若結合 Diodes 公司的互補技術，AP43771 可作為離線充電器的基礎，提供 18W 至 33W 的功率，同時支持 Quick Charge 且待機功耗極低。
AP43771 為 Diodes 第二代高度整合的控制器，適合用於快速充電器。此產品支持 USB PD 修訂版 3.0 V1.1、Qualcomm® Quick Charge (QC) 2.0、3.0 與 4/4+ 技術，以及電池充電 (BC) 修訂版 1.2。
AP43771 搭配 Diodes 的 AP39303 PWM 切換器與 APR34709 同步整流 (SR) 切換器使用時，可提供 18W 電力。AP43771 若搭配 AP3303 PWM 控制器與 APR347 SR 控制器，則可成為 33W 充電器解決方案。
此外，AP43771 也支持 USB PD 最新版技術規範所推出的可編程電源供應器 (PPS) 功能。AP43771 能夠調整恆定電流與恆定電壓 (CC/CV) 輸出驅動器，在 50mA 步進中的調整幅度可高達 6A，在 20mV 步進中則介於 3V 與 16V 之間。
對空間取向的行動充電器產品應用而言，尺寸與成本是重要條件，因此 AP43771 提供 DFN30303-14 (3mm x 3mm) 小型封裝。
儒卓力提供具有高功率密度的威世N－Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們採用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低於2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網站www.rutronik24.com.cn上供應這款MOSFET器件。
SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優化柵極電荷(Qg)，減少了與開關相關的功率損耗。
與採用6x5mm封裝的相似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET佔用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實現了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試，符合RoHS要求且不含滷素。
這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流；面向電信、伺服器和醫療設備的DC/ DC轉換器中的初級和次級側開關；用於伺服器和電信設備中電壓調節的半橋功率級和降壓-升壓轉換器；電信和伺服器電源中的OR-ing功能；用於開關電容器或開關櫃轉換器的功率級；電動工具和工業設備中的電動機驅動控制；以及電池管理模塊中的電池保護和充電。
Vishay推出經AEC－Q200認證的厚膜高功率電阻，減少元件數量，降低成本
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出市場上首款經AEC-Q200汽車級認證的高功率電阻--- LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800。Vishay Sfernice LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800可直接安裝在散熱器上，具有高功率和更強的脈衝處理能力，有助於設計人員減少汽車應用元件數量並降低成本。
日前發布的器件可用作逆變器和變換器預充或洩放電阻，用於電動汽車（EV）、混合動力汽車（HEV）和插電式混合動力汽車（PHEV）。LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800額定功率分別為300 W、600 W和800 W，設計人員可在這類應用中，用單個電阻取代多個低功率器件。此外，其脈衝處理能力為400 J到1500 J，脈衝時間0.05 s到0.5 s，可用來替代體積較大的繞線電阻，節省電路板空間。
LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800最高工作溫度+175℃ ，阻值範圍0.03 Ω至900 kΩ。同時，絕緣電壓高達12 kV RMS。器件符合RoHS標準，採用無電感設計，公差低至± 1%，汽車可靠性測試結果優異（例如，1,000次以上溫度循環，1,000小時工作壽命）。
新型電阻現可提供樣品並已實現量產，供貨周期為10至12周。
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