日前,富士
電機全新推出集成第6代IGBT晶片的並可大幅減少損耗的「V系列IPM(Intelligent Power Module)」產品。
繼富士電機在2010年4月發布「開始研發『第6代IGBT晶片(V系列)』產品」的消息之後,此次,將依次發售成功研發的智能功率模塊「V系列IPM」。
該系列產品集成了第6代IGBT晶片,使用最新的驅動IC,實現了業界最高水準的低損耗、低發射幹擾。新產品發揮低損耗特性,產品體積較之以往最多減少了80%,實現小型•薄型化封裝。
產品模塊自身低損耗•小型化等特性,使其在通用
變頻器、數控加工機械、工業機器人、中央空調、太陽能發電用
電力變換器等
電力電子設備的小型化、節能•高效化方面的表現十分值得期待。
*驅動IC:控制IGBT模塊的ON/OFF,並起到保護作用的IC
1,產品特徵
(1)集成了最新的第6代IGBT晶片及驅動IC,實現業界最高水準的低損耗(較富士電機以往產品減少20%)、低放射幹擾;
(2)在業界首次集成了按不同原因輸出不同異常報警信號的功能(4種信號);
(3)體積與以往相比減小80%,產品更小、更薄。
2,主要規格(代表性產品)
額定電壓(V) 額定電流(A) 尺寸 發售時間
600V 20A,30A,50A 49.5×70×12.5 2011年7月
1200V 10A,15A,25A 49.5×70×12.5 2011年7月
600V 50A,75A 50×87×12 2011年7月
600V 50A~200A 84×128.5×14 2011年9月
1200V 25A~100A 84×128.5×14 2011年9月
1200V 25A,35A,50A 50×87×12 2011年11月
600V 200~400A 110×142×27 2011年12月
3,適用領域
通用變頻器、通用伺服、數控加工機械、工業機器人、中央空調、太陽能發電用電力變換器等