隴川英飛凌igbt驅動應用方案

2020-12-24 邯鄲之窗

隴川英飛凌igbt驅動應用方案

MOSEFT全稱功率場效應電晶體。主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極電晶體，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。特點：擊穿電壓可達1200V，集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。MOS的應用，在中小功率中比較佔優勢，特別是高的開關頻率。IGBT的應用，在大功率應用中佔優勢，因為Vce在高壓大電流的時候損耗比MOS的Rdson的低。但是IGBT的開關損耗比較大，所以目前仍舊在一些中低頻應用比較多，集中在20KHz左右。另外，MOS的Rdson的溫度特性適合於並聯應用。

圖2是RC-IGBT關斷過程中不同時刻的電流線分布圖。由圖2（b）~（d）可知，即使RC-IGBT集電極電壓已經達到集電極電源電壓，其耗盡區寬度仍在逐漸展寬，這是由於空穴電流逐漸減小，漂移區中的空穴濃度降低，有效正電荷減少，電場斜率降低引起的。對比圖2（a）~（d）的電流線可發現，初始時刻，僅很少的一部分電流從N+短路孔流過，大部分電流通過背部P+流通。隨著關斷的進行，流過N+短路孔的電流比例逐漸增加。RC-IGBT完全關斷，集電極電流幾乎全部通過N+短路孔流動。另外，器件結構正面電流線隨著時間的增加，逐漸往右移動。這說明，RC-IGBT在關斷過程中，電流存在不均勻性，靠近N+短路孔附近的元胞先關斷。

近幾年一直都在說IGBT模塊的中頻感應加熱設備可以省電，可是具體能不能省電，誰都沒有給出以個確切的數字，咱們就好好算一下，這IGBT中頻到底能不能省電，具體能省多少電？1噸的電爐如功率為500KW,進相電壓380V,IGBT電爐的功率因數為0.98，直流電流為928A，4個IGBT消耗的功率為[1V(IGBT導通壓降）X928A/2]X4=1856W=1.856KW；可控矽電爐的功率因數為0.93，直流電流為977A,可控矽消耗的功率為：[1.2V(可控矽導通壓降）X977A/2]X4=2344W=2.344KW,有此可以看出，IGBT消耗的功率比可控矽消耗的功率省了21％。這些值是簡單的計算了一下IGBT消耗的功率小。

英飛凌igbt模塊,單管（一單元）：FZ400R12KE3，FZ600R12KE3，FZ600R12KE3,FZ800R12KS4，FZ1200R12KF4，FZ1200R12KF4 等雙管（2單元）：BSM50GB120DN2，BSM100GB120DLC，FF300R12KE3，FF400R12KT3，FF400R12KT3,ff1000r17ie4

等4單元：F4-50R12KS4，F4-75R12KS4，F4-100R12KS4，F4-150R12KS4，F4-25R12MS4，F4-50R12MS4，F4-75R12MS4等6單元：BSM35GD120DN2，BSM75GD120DN2，FS225R12KE3，FS225R12KE3，FS50R12W2T4，FS300R12KE3 等

7單元：BSM35GP120，FP40R12KE3，FP40R12KT3，FP50R12KS4C，FP25R12W2T4_B11，FP35R12W2T4 等等

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