一種高精度帶隙基準電壓源電路設計

2021-01-08 電子產品世界

摘要：針對傳統CMOS帶隙電壓基準源電路電源電壓較高，基準電壓輸出範圍有限等問題，通過增加啟動電路，並採用共源共柵結構的PTAT電流產生電路，設計了一種高精度、低溫漂、與電源無關的具有穩定電壓輸出特性的帶隙電壓源。基於0.5μm高壓BiCMOS工藝對電路進行了仿真，結果表明，在-40%℃～85℃範圍內，該帶隙基準電路的溫度係數為7ppm/℃，室溫下的帶隙基準電壓為1.215 V。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201809/389197.htm

基準電壓源廣泛應用於A/D、D/A轉換器、開關電源以及各種通信電路，它的電源噪聲抑制能力與穩定的溫度特性是影響A/D，D/A速度與精度的重要因素，甚至影響整個系統的性能，良好的基準電壓源設計才能滿足需要。帶隙電壓基準(BGR)技術日趨成熟，具有較高精度，較低功耗的BGR在電路中被廣泛應用。

利用雙極型電晶體的基區-發射區電壓差△VBE在不同電流密度偏置下具有正溫度係數，而其本身的基區-發射區電壓VBE具有負溫度係數，這兩個電壓線性疊加，得到較合適的近似零溫度係數的基準電壓源。該帶隙基準電壓源電路增加了啟動電路和PTAT電流產生電路，其中PTAT電流產生電路是該基準源的核心，通過對電路的分析與研究，給出了基於0.5μm高壓BiCMOS工藝下的帶隙基準電壓源的設計和仿真結果。

1 傳統的帶隙電壓基準源

傳統的帶隙電壓基準源原理圖與電路結構如圖1所示。

圖1(a)中，以VBE(on)和VT為基準的偏置源會有相反的TCF，輸出電流可能以VBE(on)和VT的某種複合電壓作為基準源，如果複合方式得當，可使輸出溫度係數為零，該電路輸出電壓為：

VOUT=VBE(on)+MVT (1)

通過確定VBE(on)的溫度係數，使輸出電壓與溫度無關，即從而確定要求的M值。

對於圖1(b)，已知兩個雙極電晶體工作在不相等的電流密度下，它們的基極-發射極電壓的差值與絕對溫度成正比。在圖1中，如果MP1，MP2是同樣的電晶體(IS1=IS2)，且偏置的集電極電流分別為nI0和I0，忽略它們的基極電流，那麼

△VBE=VBE1-VBE2=VTlnIo/Is1-VTlnIo/IS2=VTlnn (3)

雙極電晶體的偏置電流實際上是與絕對溫度成正比(PTAT)的，假設MP1與MP2為相同的管子，要使ID1=ID2，電路必須保證VX=VY。所以，ID1=ID2=(VTlnn)/R，結果，使ID3產生同樣的特性，並將PTAT電壓ID3R2加到基極-發射極電壓上，因此輸出電壓為

只要保證(4)式中兩項和是零，VBE3的值以及Q3尺寸的選擇都有幾分任意。實際上，由於電晶體之間的不匹配，以及R1的溫度係數，ID5的變化會偏離理想的等式，給輸出電壓Vref帶來誤差。傳統電路還存在電源電壓較高，基準電壓輸出範圍有限等問題，因此需要不斷的改進與提高。

2 帶隙基準電壓源電路設計

基於0.5μm高壓BiCMOS工藝下的帶隙基準電壓源電路如圖2所示，電路由啟動電路和帶隙基準電壓產生電路兩大部分組成。

在與電源無關的偏置電路中，重要的問題是「簡併」偏置點的存在，使電路有兩種可能的狀態：一種是工作狀態，另一種是電路中沒有電流流過，這是所不希望的狀態。增加啟動電路，使該電路在電源上電時，能驅使電路擺脫簡併偏置點，正常啟動並穩定工作。圖2中左半部分即為該帶隙基準電壓源的啟動電路部分，主要由R1、R2、MP1、HAP1和HAP2構成，其中HAP1與HAP2為高壓非對稱PMOS管，HAP1與HAP2構成電流鏡，由於兩者尺寸相同，HAP2的漏極電流與HAP1的漏極電流相等。當電路未進入工作狀態時，HAP1與HAP2導通處於開啟狀態，通過增加VDD端電壓，使得R1上壓降逐漸增大，因此通過R1的電流增加;由於HAP1與HAP2構成的電流鏡的作用，通過R2的電流與R1上的電流相同，所以R2上電流也隨著VDD端電壓上升而升高，R2兩端的電壓也隨之升高;當VDD增加到一定程度後，R1遠離地端的電勢將逐漸升高到該工藝下高壓非對稱PMOS管的截止電壓，並保持穩定，此時R1上的電流也趨於穩定，R2上電流也將趨於穩定，在R2遠離HAP2端將得到一個較穩定的開啟電壓，經計算並仿真測得這個電壓為5.92 V。

對於電壓產生電路，PTAT電流產生電路是該電路的核心部分，應用了BCD工藝下的PNP管。主要由MP2、MP3、HSP3、HSP4、HSN1、HSN2、MN1、MN2、R3、Q1、Q2構成。其中MP2、MP3、HSP3、HSP4、HSN1、HSN2、MN1、MN2、R3構成與電源無關的偏置，Q1、Q2產生與溫度無關的基準。

在偏置電流電路中，IREF通過某種方式由Iout得到，如果Iout最終與VDD無關，那麼IREF則不受VDD影響，即與電源無關。當忽略MOS管溝道長度調製效應時，有Iout=KIREF，因為每個以二極體方式連接的器件都是由電流源驅動的，所以IREF近似的與電源無關。圖2中MP3、HSP4 HSN2、MN2的寬長比分別是MP2、HSP3、HSN1、MN1的二倍，其中MP2、MP3、HSP3、HSP4與HSN1、HSN2、MN1、MN2分別構成共源共柵電流鏡，生成與電源無關的電流偏置，影響電流精度的關鍵因素就是漏-源電壓，漏-源電壓的變化會嚴重影響漏極電流的匹配。對於普通電流鏡電路，因它們的漏一源電壓不同，從而失配與溝道調製效應會造成組成電流鏡的兩個電晶體的柵-源電壓有差異，從而導致輸出電流發生很大變化。採用共源共柵電流源結構的電路，優點在於它會有一個很大的輸出電阻，這在鏡像電流源中非常重要，能夠提高輸出基準電壓的穩定性，此外該結構能夠減小溝道調製效應的影響，能夠改善電源抑制和初始精度等電路的重要性能。圖2中經過MP4，與HSP5最後從HSN3中流出的電流和VT有關，所以電阻R4的壓降也與VT有關，在做仿真的過程中，通過對R4的阻值優化，最後選擇合適的電阻值使VOUT輸出帶隙電壓。


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