全球創新的定製化光電方案解決商埃賽力達科技有限公司(Excelitas Technologies® Corp.)近期推出了增強型Gen2 905 nm大批量生產的脈衝半導體雷射二極體。
據了解,第二代905 nm脈衝雷射二極體採用多層單片式晶片設計,具有更高的效率(3 W/A),可實現更遠距離的測量並降低了功耗,同時改進了GaAs結構,可在30 A的驅動下提供85 W的脈衝峰值功率,與第一代產品相比雷射功率增加了20%以上。
作為工業和消費類測距以及涉及飛行時間測量的LiDAR雷射雷達應用的理想解決方案,增強型脈衝雷射二極體 的設計含有三個225μm x 10μm的的雷射腔,可在較小發射區域內提供高輸出功率。雷射晶片採用經TS 16949 認證的大批量生產的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製成。其性能和優勢包括:
• 輸出功率提高了20%以上:客戶的測距儀可以測量更遠的距離,或以較低的功耗測量相同的距離
• 三腔設計:提供的光功率是單腔設計的三倍
• 塑料TO封裝:適用於大批量應用的經濟高效型解決方案
Excelitas探測器部門產品負責人Denis Boudreau表示:「很高興Gen2 905 nm大批量生產的脈衝半導體雷射二極體,加入到我們廣泛的塑料封裝脈衝雷射二極體系列中。我們的增強型技術使其成為市場上波長為905 nm的質量和高效率的塑料封裝脈衝雷射二極體,為工業和消費類測距應用中的飛行時間測量的設計工程師們,提供了強大且經濟高效的解決方案。」
Gen2 905 nm大批量生產的脈衝半導體雷射二極體現已面市銷售,它採用標準塑料TO封裝,Excelitas將於2021年推出表面貼裝版(SMD)和金屬TO封裝版。
(來源:埃賽力達科技有限公司)