2016年9月中國第三代半導體南方基地在東莞啟動，這是國家繼北京順義基地之後在全國設立的第二個第三代半導體產業基地。2018年6月，廣東省首個第三代半導體製造業創新中心「寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心」在松山湖成立。2019年11月，廣東省第三代半導體技術創新中心東莞基地在松山湖揭牌。……在第三代半導體這個新賽道上，東莞為何能被委以重任？
東莞於第三代半導體的優勢
01 擁有配套完整、規模龐大的電子信息產業集群毗鄰廣州、深圳，被稱為「世界工廠」的東莞，擁有配套完整、規模龐大的電子信息產業集群，是粵港澳大灣區科技創新走廊的重要節點。作為電子信息產業的核心，第三代半導體產業也在東莞形成了規模集聚，並湧現出了中鎵、天域等一批國內知名的半導體龍頭企業，為發展第三代半導體產業打下了堅實基礎。第三代半導體以氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等寬禁帶半導體材料為基礎，是新型半導體照明、射頻微波器件及、高功率密度電力電子器件的、核心，可廣泛用於新型照明、5G、新能源汽車、智能電網、軌道交通、智能製造、雷達探測等諸多行業。而東莞及其周邊地區高度集中了華為、中興、oppo、vivo、比亞迪、南方電網、南車、大疆等一批在全球有重要影響力的終端廠商，為東莞的第三代半導體發展提供了豐富的下遊應用場景。
圖片來源：拍信網正版圖庫
02 首抓智慧財產權，為第三代半導體產業保駕護航2015年東莞成立第三代半導體產業專利聯盟，並且推出「第三代半導體專利導航與創新服務平臺 」，這是國內首個專門針對第三代半導體產業而設立的專利服務平臺，它將助力智慧財產權與科技、資本充分融合，幫助正確處理智慧財產權與政府、市場的關係，助推智慧財產權經濟價值充分實現，並在創新驅動中取得新的進展。國內企業普遍重申請，輕運營，在第三代半導體領域仍缺乏核心技術，同時更缺乏駕馭和運用智慧財產權制度促進該產業發展的理論和實踐，所以極其需要科技工作者與智慧財產權法律專家共同攜手，解決智慧財產權運用和保護問題。東莞這張「專利牌」，將會幫助其率先掌握第三代半導體創新主動權。03 依託北京大學東莞光電研究院，科技轉化成果顯著2012年北京大學與東莞市政府共同組建北京大學東莞光電研究院，北大光電院依託北京大學物理學院及寬禁帶半導體研究中心的技術及人才優勢，緊密圍繞第三代寬禁帶半導體材料與器件未來發展的關鍵技術及產業化方面展開研究，特別在GaN單晶襯底的研究方面獨樹一幟。東莞中鎵半導體科技有限公司是光電研究院孵化的企業之一，以GaN複合襯底、藍寶石PSS圖形化襯底、GaN襯底雷射剝離設備等為產業化突破口，已經擁有若干核心發明專利，目前主要產品PSS襯底產品已進入批量生產，微區雷射剝離設備已經通過國內主要LED晶片生產商的產業化驗證，並出口至美國。公司在GaN襯底的生長裝備技術、藍寶石複合襯底技術以及藍寶石圖形化襯底產品等方面，均走在了國內前列。此外，研究院積極開展技術對接與國內外合作交流，與北京大學、中山大學、半導體所等機構建立戰略合作關係，並連續6年舉辦「第三代半導體發展戰略國際論壇」，極大促進了東莞的第三代半導體事業發展。04 日益增強的IC設計實力 作為東莞市IC設計企業的集聚地，松山湖自2009年開始謀劃發展集成電路產業，至今已累計引進IC設計企業50餘家，形成在細分領域龍頭企業帶動下，一批有潛力的初創企業共同推動園區的集成電路設計產業格局，產業氛圍日漸濃厚。松山湖高新區從2009年起就瞄準IC設計環節定向引進和培育產業，並不斷出臺相關政策激勵。2010年發布《關於促進東莞松山湖高新技術產業開發區集成電路產業發展試行辦法》，後續相繼發布《東莞松山湖高新技術產業開發區促進集成電路產業發展管理辦法》以及《東莞松山湖促進集成電路設計產業發展扶持辦法》。另外，松山湖高新區投入專項資金500萬元建設松山湖集成電路設計測試公共實驗室。該實驗室是在松山湖管委會指導下建設的公共性服務平臺，具備晶片功能測試、性能測試、可靠性測試、環境測試等功能。該實驗室已於2018年10月正式揭牌運營，為半導體企業提供晶片封裝、晶片測試、晶片分析等服務。如今，松山湖IC設計產業集聚效應已初步顯現，並湧現出一批優秀的企業，包括專注於電池電源管理晶片的賽微微電子；臺灣上市公司盛群半導體的大陸總部合泰半導體，以及開發出我國首款具有自主智慧財產權的胎壓監測晶片的合微集成電路等等。
圖片來源：拍信網正版圖庫
05 松山湖材料實驗室助力第三代半導體發展松山湖材料實驗室以中科院物理研究所為牽頭單位，由東莞市政府、中科院物理研究所和中科院高能物理研究所共建，布局前沿科學研究、創新樣板工廠、公共技術平臺和大科學裝置、粵港澳交叉科學中心四大核心板塊，形成「前沿基礎研究→應用基礎研究→產業技術研究→產業轉化」的全鏈條研究模式。實驗室擁有一支第三代半導體材料與器件研究團隊，以研發AlGaN基大功率紫外LED為導向，涵蓋了從上遊薄膜材料外延、中遊晶片設計製備、到下遊器件模組封裝等全部產業鏈結構，目標產品將在照明、殺菌、醫療、印刷、生化檢測、高密度的信息儲存和保密通訊等領域具有重大應用價值。另外，團隊將構建外延片生長及表徵系統、紫外LED晶片製備系統、AlN陶瓷基板及封裝應用系統與應用級產品測試開發系統等四大板塊，著力於解決紫外半導體器件的外延、晶片及模組等產業化關鍵技術問題，形成自主智慧財產權，最終實現紫外LED晶片和模組的產業化。2020年8月，松山湖材料實驗室SiC外延設備順利驗收和研發產線的成功建成，標誌著松山湖材料實驗室SiC及相關材料團隊正式登上SiC外延的舞臺。12月實驗室第三代半導體材料與器件團隊聯合北京大學、中國醫學科學院，自主研發出高功率密度的深紫外集成光源模組，並成功驗證光源對新型冠狀病毒的超快速殺菌效果。松山湖材料實驗室豐厚的科研成果，是驅動東莞第三代半導體發展的重要引擎。
東莞第三代半導體重點企業
天域半導體成立於2009年，是中國首家專業從事第三代半導體SiC外延晶片研發、生產和銷售的國家高新技術企業，其生長技術已達國際先進水平。2010年天域半導體與中國科學院半導體所合作成立了「SiC技術研究院」，聯合進行「第三代半導體SiC外延晶片研發及產業化」，現已成為全球SiC外延晶片的主要生產商之一。中鎵半導體成立於2009年，是國內首家專業生產GaN襯底材料的企業，相關產品技術達到國際先進乃至國際領先水平，目前是國內最大的襯底材料及半導體設備生產基地。中圖半導體成立於2013年，是一家專注於高精密材料處理技術的高新技術企業，專業從事圖形化藍寶石襯底（PSS）的研發與生產，主營產品包括2-6英寸微米級PSS襯底。2020年9月，東莞中圖第三代半導體襯底材料工程研究中心投資開建。中晶半導體主要以HVPE設備等系列精密半導體設備製造技術為支撐，GaN襯底為基礎，重點發展Mini/MicroLED外延、晶片技術，並向新型顯示模組方向延展；同時將以GaN襯底材料技術為基礎，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導體射頻器件、車燈封裝模組、雷射器封裝模組等國際前沿技術，並進行全球產業布局。易事特：中國大型電源生產基地，新能源車充電樁和UPS電源龍頭企業，躍居全球新能源企業500強，目前正在以功率器件的應用支撐公司系統開展基於GaN的高頻電能變換技術創新研發工作。
總結
東莞作為世界製造業名城，在全球產業分工中佔有重要地位。第三代半導體產業將加速「東莞製造」向「東莞智造」的轉變，助力東莞乃至廣東實現在半導體產業發展上的彎道超車。（文：化合物半導體市場，Rany 來源https://www.ledinside.cn/news/20201222-48691.html）