宜普電源 發表於 2020-09-24 14:19:47
新一代100 V 氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、汽車信息娛樂及雷射雷達系統的理想功率器件。
增強型矽基氮化鎵（eGaN）功率場效應電晶體和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高並且成本更低，可立即發貨。採用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統、DC/DC轉換器（硬開關和諧振式）和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的雷射雷達系統。
EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準矽器件相比，這兩款氮化鎵器件的性能更高。
EPC2204的導通電阻降低了25％，但尺寸卻縮小了3倍。 與基準矽MOSFET器件相比，其柵極電荷（QG）小超過50%，並且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復電荷（QRR），從而使得D類音頻放大器可以實現更低的失真和更高效的同步整流器和電機驅動器。
100 V基準矽場效應電晶體與100 V 氮化鎵場效應電晶體的性能比較
EPC執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示：「大家預計最新一代且性能優越的100 V eGaN FET的價格會更高。但這些最先進的100 V電晶體的價格與等效老化器件相近。我們為設計工程師提供的氮化鎵器件的優勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高且成本相近。氮化鎵器件正在加速替代功率MOSFET器件。」
產品價格和供貨
下表列出了產品及相關開發板和參考設計板的價格。
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