目前,中國在半導體領域唯一造不出的就是晶片(14nm以下),晶片製造中唯一沒有攻破的核心環節就是光刻機。
光刻機一直是國人心中的一根刺。在晶片領域,從中興事件到華為的「禁令」,面對美國的步步緊逼,中國頻頻落於下風,像一把尖銳的刺刀卡在脖子上。如今中芯國際也無奈執行斷供後又被美國出口管制。國內沒有任何一家企業可以幫助華為完成高端晶片的量產。
光刻機,被譽為「超精密製造技術皇冠上的明珠」。是半導體製造業中關鍵設備,直接決定晶片的性能水平。晶片在生產過程中需要進行20-30次的光刻,耗時佔到製造環節的50%左右,佔晶片生產成本的1/3。目前光刻機領域被荷蘭巨頭ASML公司基本壟斷,佔全球的80%,在7納米以上高端光刻機市場當中,ASML基本上處於100%的壟斷地位。目前,一臺先進的光刻機價值可達7億元。因為ASML公司核心技術與和核心材料來自美國,所以中國始終被排除在銷售名單之外。
雖然我們在攻克光刻機核心部件技術上仍很落後,但也有值得驕傲的一面,就是為光刻機的精密儀器做超精密清洗,而且還做到了全球龍頭。
敢開光刻機清洗先河的就是藍英裝備,這是一家來自中國本土化的公司,在歐洲中高端產品市場佔比排名第一,在北美和亞洲也處於市場領先地位。典型案例就是其子公司UCM AG為荷蘭光刻機製造商阿斯麥公司(ASML)及其供應商提供極紫外光刻機(EUV)的光學系統相關關鍵部件的清洗服。
藍英裝備達到了納米級超精密清洗,是光刻機超精密清洗的全球龍頭。另外兩家專注於半導體清洗的獨角獸至純科技和天華超靜達到了微米級普通b級別清洗,得到了中芯國際、萬國半導體的認可。
在半導體精密部件清洗中有一種「紫外光清洗技術」,是利用有機化合物的光敏氧化作用達到去除黏附在材料表面上的有機物質,經過光清洗後的材料表面可以達到"原子清潔度"(1納米相當於4倍原子大小,1納米=10的負9次方米,比單個細菌的長度還要小的多)。紫外光清洗技術的應用主要在液晶顯示器件、半導體矽晶片、集成電路、高精度印製電路板、光學器件、石英晶體、密封技術、帶氧化膜的金屬材料等生產過程中採用光清洗方法最為合適。
從光刻機結構來看,它由光源、光學鏡頭和對準系統等部件組成。光學鏡頭是光刻機最核心的部分,構成光刻機的曝光光學系統,串聯組成數十塊鍋底大的鏡片,光學零件精度控制在幾個納米以內。目前光刻機鏡頭最強大的是老牌光學儀器公司德國蔡司,是ASML的鏡頭供應商。現在最先進的光源是具有相當高能量的極紫外光光源,代表了當前應用光學發展最高水平。只有足夠強大的超精密清洗技術才可入目細微到光刻機光學鏡頭表面(超高面型精度鏡片),洗除前期加工過程中殘留在其表面的有機碎屑,大大保證了光刻機極紫外光源的系統穩定性、能量均衡性、高平行度和其他必要特性。
光刻的本質是把掩膜板上臨時的電路結構複製到以後要進行刻蝕和離子注入的矽片上。其工作原理是在加工晶片的過程中,利用光刻膠感光後因光化學反應而形成耐蝕性的特點,光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段,將光束透射過畫著線路圖的掩模,經物鏡補償各種光學誤差,將線路圖成比例縮小後映射到矽片上,然後使用化學方法顯影,得到刻在矽片上的幾十億條線路的電路圖和其他電子元件。光刻機對晶圓的光刻是晶片生產中最複雜、最關鍵、耗時最長、成本最高的步驟。前期對光刻機鏡頭的超精密清洗,影響著後期的工作品質。
9月16日,中國科學院率先行動,把美國卡脖子清單變成科研任務清單,集中全院力量進行重大領域攻關。在重大領域攻關方面,白春禮院長特別明確提到了光刻機等關鍵核心技術和關鍵原材料方面。
而如今舉國之力攻堅光刻機產業鏈,分頭執行關鍵任務。一是光刻機核心組件:負責整體集成的上海微電子、負責光源系統的科益虹源,負責物鏡系統的國望光學,負責曝光光學系統的國科精密,負責雙工作檯的華卓精科,負責浸沒系統的啟爾機電;二是光刻配套設施:包括光刻膠,光刻氣體,光掩模版,光刻機缺陷檢測設備,塗膠顯影設備等。
雖然我國的光刻技術已突破22nm晶片的大門,但是離華為大批量需要的7nm高精端晶片仍有巨大的差距。上海微電子公司是國產光刻設備龍頭,明年將正式推出國產的光刻機。
目前最頂尖的荷蘭光刻機可以支持臺積電3nm晶片製程。一旦光刻機等核心設備攻堅取得進展,中國晶片製造技術勢必能夠在短時間迎來巨大突破,以中芯國際為先行者、以整個中國晶片產業鏈為合力,一舉進入7nm、5nm,甚至3nm時代為時不遠。
忍讓換不來尊重,眼淚更換不來同情,真心希望我們的中國科研單位和企業一道,聚焦關鍵資源,集中精力攻關科研,置之死地而後生!
路漫漫其修遠兮,吾將上下而求索!
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