化合物半導體材料——砷化鎵、氮化鎵、碳化矽(附個股名單)

2020-12-15 蝸牛財經圈

化合物半導體材料主要是由兩種或兩種以上元素形成的,主要有砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等。此類化合物半導體材料的優點有高電子遷移率、高頻率、寬幅頻寬、高線性度、高功率、材料多元性以及抗輻射等。

其中砷化鎵(GaAs)主要運用於通訊領域,受益於通信射頻中的PA,GaAs微波射頻器件越來越廣泛應用於移動手機、無線區域網路、光纖通訊、衛星通訊、衛星定位、GPS 汽車導航等領域,市場佔有率最高;

氮化鎵(GaN)大功率、高頻性能更加出色,主要運用於軍事領域;

碳化矽(SiC)則主要運用於汽車及工業電力電子領域,其在大功率轉換應用中優勢明顯。

三安光電:主要從事化合物半導體材料的研發與應用,著重於砷化鎵、氮化鎵、碳化矽、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及到外延的晶片為核心主業;

海特高新:公司的氮化鎵已成功突破6英寸GaN晶圓鍵合技術,是國內首家提供6英寸砷化鎵/氮化鎵微波集成電(GaAs/GaN MMIC)的純晶圓代工服務的製造企業,公司產品主要面向5G、雷達、新能源、物聯網等高端晶片市場

有研新材:全球領先的電磁光新材料龍頭,國內水平砷化鎵最大的供應商,也是國內靶材等半導體材料的龍頭企業之一,國內規模最大的高純金屬濺射靶材製造企業;

賽威電子:MEMS晶片全球代工龍頭,擁有全球領先的無線射頻研發能力;

斯達半導:國內IGBT領域的領軍企業,主要產品為功率半導體元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等;

天通股份:國內軟磁鐵氧體領域的領先企業,公司主要以電子材料和高端專用裝備兩條業務主線,其中高端專用裝備包括電子粉體材料專用設備、半導體晶體材料專用設備和半導體顯示專用設備三大類;

楚江新材:國內銅板帶產品方面的龍頭企業,子公司頂立是國內唯一具備碳化矽半導體材料的高端熱工設備企業。

相關焦點

  • 化合物半導體的兩個關鍵「附PPT」
    憑藉成熟製程及成本較低的優勢,第一代矽質半導體晶片已成為了人們生活中不可或缺的重要器件。不過,矽質半導體由於材料本身限制,無法在高溫、高頻以及高電壓等環境中使用,這讓化合物半導體逐漸嶄露頭角。GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC) 等第二、第三代半導體,相比第一代單質半導體,在高頻性能、高溫性能方面優異很多。
  • 化合物半導體產業鏈有望加速串連布局
    半導體材料歷經 3 個發展階段,第一代是矽 (Si) 等基礎功能材料;第二代進入由兩種以上元素組成的化合物半導體材料,以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等為代表;第三代則是氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等寬帶化合物半導體材料。
  • 碳化矽:第三代化合物半導體大勢所趨
    什麼是碳化矽?碳化矽是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是晶片,製作晶片的核心材料按照歷史進程分為:第一代半導體材料(大部分為目前廣泛使用的高純度矽),第二代化合物半導體材料(砷化鎵、磷化銦),第三代化合物半導體材料(碳化矽、氮化鎵) 。碳化矽因其優越的物理性能:高禁帶寬度(對應高擊穿電場和高功率密度)、高電導率、高熱導率,將是未來最被廣泛使用的製作半導體晶片的基礎材料。
  • 半導體強勢崛起,「氮化鎵」概念為王,九月趨勢即將出現(名單)
    什麼是第三代半導體呢?這是由材料決定的。半導體材料是製作電晶體、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料,其發展經歷了三個階段:第一代材料是矽,以矽(Si)和鈦(Ge)為代表,就是第一代半導體的產業園。
  • 三代半導體材料氮化鎵(GaN)概念股
    項目主要產品:Mini/MicroLED氮化鎵、砷化鎵晶片,項目總投資約350000萬元,其中固定資產投資約300000萬元(含設備投入270000萬元以上)。易事特(300376):2020年2月,公司在互動易平臺表示,易事特作為國家第三代半導體產業技術基地(南方基地)第二大股東及推動產業創新技術發展的核心成員單位,現主要負責碳化矽、氮化鎵功率器件的應用技術研發工作。公司已經研發出基於碳化矽、氮化鎵器件的高效DC/AC, 雙向DC/DC新產品。
  • 智芯文庫 | 各廠積極布局化合物半導體,生態系未串連成阻礙
    SiC) 等新一代化合物半導體攫獲市場目光,臺廠雖在各個領域積極著墨,但均「各自為政」,產業鏈未能串連形成完整生態系,成為當前臺廠在化合物半導體領域布局上的阻礙之一。半導體材料歷經 3 個發展階段,第一代是矽 (Si)、鍺 (Ge) 等基礎功能材料;第二代開始進入由 2 種以上元素組成的化合物半導體材料,以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等為代表;第三代則是氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等寬帶化合物半導體材料。
  • 注意:第三代半導體材料、除了氮化鎵之外,這一材料毫不遜色!
    A股被忽略的第三代半導體材料、除了氮化鎵之外,這一材料毫不遜色,細分領域將掀起漲停潮,提醒股民注意!1、當前,隨著生產技術的不斷提升,第三代半導體材料的成本不斷下降,應用端迎來高速增長階段。除了我們所熟知的氮化鎵半導體材料,還有一個被大家忽略,前景卻毫不遜色的碳化矽馬上迎來補漲,就從明天開始!2、行業前景毫不遜色氮化鎵,科技巨頭紛紛布局碳化矽!
  • 三安光電70億資金到位,格力電器、先導高芯入股布局化合物半導體
    格力電器和長沙先導高芯投資合夥企業(有限合夥)(以下簡稱先導高芯)分別出資20億元和50億元,認購了三安光電非公開發行的約4億股股票。此次募投項目總投資金額約138億元,三安光電的意圖明顯,旨在加碼化合物半導體業務。
  • 海特高新:公司目前已完成砷化鎵、氮化鎵、碳化矽等在內的6大類...
    圖片來源:拍信圖庫 9月9日,海特高新在接受投資者提問時表示,微電子是公司重要的業務方向之一,技術能力和產品能力處於行業前部,公司是國內第一條自主可控的6英吋量產第二代、第三代國際一流、國內領先的化合物半導體集成電路晶片生產線
  • 我國第三代半導體迎窗口期 2020年第三代半導體材料產業鏈及概念股...
    預計2020年中國SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵)電力電子和微波射頻產值約為70億元。其中,SiC、GaN電力電子產業產值2020年將達35.35億元,比去年的29.03億元將增長21.77%;GaN微波射頻產業產值2020年將達33.75億元,比去年的26.15億元將增長29%。   半導體行業經過近六十年的發展,半導體材料經歷了三次明顯的換代和發展。
  • 三代半導體材料坤化鎵(GaAs)概念股
    砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料,用來製作微波集成電路、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池等元件。三安光電(600703):公司主要從事化合物半導體材料的研發與應用,以砷化鎵、氮化鎵、碳化矽、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及的外延片、晶片為核心主業,產品主要應用於照明、顯示、背光、農業、醫療、微波射頻、雷射通訊、功率器件、光通訊、感應傳感等領域。2020年6月,公司完成定增募集資金70億元。
  • 第三代半導體材料概念股一覽
    周末好,隨便聊聊第三代半導體材料。爆發原因據媒體消息,中國正在規劃將大力支持發展第三代半導體產業寫入「十四五」規劃之中。發展本國半導體技術以應對外部限制。A股發酵周五的盤面第三代半導體材料受消息刺激全線暴漲,尤其是幾個創業板股票一飛沖天。
  • 2020年第三季國內化合物半導體相關項目匯總
    「高精尖」項目正式籤訂投資協議,此次籤約的碳化矽半導體新材料及雷射陀螺儀製造項目總投資18億元,規劃用地130畝,項目建成後年產值約16億元。 砷化鎵集成電路生產線項目落戶江西 9月23日,贛州經開區舉行項目集中簽約儀式,總投資近45億元的14個項目集中落戶。分別是東宏光電科技股份有限公司6英寸砷化鎵集成電路晶片生產線項目,贛州芯聚微電子有限公司晶片設計及封裝測試項目等14個項目。
  • 科創要聞|國內第三代半導體迎窗口期 今年氮化鎵、碳化矽產值或達...
    第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲11月24日在2020國際第三代半導體論壇上透露,雙循環模式推動國產化替代,2020年中國SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵)電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元。
  • 碳化矽「錢」景無限!
    碳化矽是由碳元素和矽元素組成的一種化合物半導體材料,它與氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氧化鎵(Ga2O3)等,因禁帶寬度大於2.2eV統稱為寬禁帶半導體材料,在國內也稱為第三代半導體材料。
  • 中國第三代半導體名單
    第三代半導體是以碳化矽SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。第二代半導體材料,發明並實用於20世紀80年代,主要是指化合物半導體材料,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表。
  • 碳化矽(SiC)緣何成為第三代半導體最重要的材料?一文為你揭秘
    史上最全第三代半導體產業發展介紹(附世界各國研究概況解析)  第3代半導體是指以氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、金剛石、氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導體材料,各類半導體材料的帶隙能比較見表1。
  • 砷化鎵、氮化鎵產業分析
    半導體原料共經歷了三個發展階段:第一階段是以矽 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料;第二階段是以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等化合物為代表;第三階段是以氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC)、硒化鋅 (ZnSe) 等寬帶半導體原料為主。
  • 第三代半導體材料之氮化鎵(GaN)
    第二代半導體材料以砷化鎵和磷化銦(InP)為代表。砷化鎵材料的電子遷移率是矽的6倍,具有直接帶隙,故其器件相對矽器件具有高頻、高速的光電性能,公認為是很合適的通信用半導體材料。同時,其在軍事電子系統中的應用日益廣泛且不可替代。
  • 助力5G和電動汽車發展,第三代半導體材料市場空間有多大?核心標的...
    半導體原料共經歷了三個發展階段:第一階段是以矽(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導體原料;第二階段是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三階段是以氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、硒化鋅(ZnSe)等寬帶半導體原料為主。