臺積電EUV光刻機將破50臺,5nm晶圓成本曝光

2020-12-27 電子工程專輯

據供應鏈消息指出,臺積電(TSMC)目前累計採購的 EUV (極紫外光)設備已超 35 臺,佔 ASML 過半產量,佔據了業界 EUV設備安裝量的 50%,以及約 60% 的 EUV 晶圓累計產量,比其他對手加起來還多。

據相關數據顯示,目前ASML總共出貨 EUV 設備只有約 71 臺,三星電子(Samsung Electronics)2021 年還不到 25 臺,同時 EUV POD(光罩傳送盒)採購量遠低於預期,而臺積電僅南科廠區就集中了近 20 臺,是臺積電3/5納米工藝據點,也是全球 EUV 工藝生產重鎮。

且臺積電的表現也證明了 EUV 技術的穩定性及優越性,以最新的 5 納米 12 吋晶圓下,仍然完成華為急單過半,據消息指出,在 9 / 15 前,出貨近 880 萬顆晶片,大約用了 4~5 個月,這已是相當不容易,因為 5 納米才剛量產不久,但其良率卻已相當的高,明年預期就可與成熟的 7 納米相當。當然這些數字只是市場推測,臺積電一向不評論客戶訂單。

據估算,ASML今年下半年可能會再出貨 22 臺EUV設備,明年全年最多50臺。據臺媒DIGITIMES報導,臺積電也將擴大採購 EUV 設備,搶下ASML明年超過1/3的供貨,這樣一來臺積電明年EUV機臺數將超 50 臺,估計可達 55 臺。相較之下,三星可能還不到一半,而英特爾更少,這將令臺積電持續維持工藝優勢。從 EUV 光罩盒的採購量看來也支持這樣的說法。

一臺EUV光刻機的價格大概是1.2億美元(約合8億元人民幣),也就是在2020年底前,臺積電光是買EUV設備就要花超過440億元人民幣,大約相當於臺積電當前兩個月的總收入。

早在2011年,臺積電就從ASML引進了第一臺研髮型號的EUV光刻機。在2012年,臺積電聯合英特爾、三星參股ASML推進EUV光刻機研發。可以說臺積電和ASML是辛辛苦苦一起合作努力了超過30年才能在今天稱霸全球。

這種合作模式,無論英特爾、三星還是中國大陸的晶圓代工廠商,都不可能彎道超車。

值得注意的是,在 EUV 成為顯學後,美光等內存大廠也開始更積極地引入 EUV,目前最新的臺中廠無塵室是設計成能使用 EUV 設備的,今年落成後可望進場評估。雖然美光沒有鬆口,但面對三星的壓力,將計劃提前也不令市場意外。

5納米晶片成本曝光

喬治敦大學沃爾什外交學院安全與新興技術中心(CSET)的兩位作者編寫的一份題為《AI Chips: What They Are and Why They Matter》的報告中,他們藉助模型預估得出,臺積電5納米製造的12吋晶圓成本約為16988美元,遠高於7nm約為9346美元的成本。

報告假想了一顆5納米晶片,該晶片大小與英偉達(Nvidia)P100 GPU相當,這款GPU基於臺積電16納米工藝節點製造,包含153億個電晶體,裸片面積為610 平方毫米,相當於電晶體密度25 MTr/mm 2。

由此計算,直徑300mm(12吋)的晶圓能夠生產71.4顆 610平方毫米的晶片,平攤單顆晶片成本將高達238美元(約合1600元人民幣)。

假設5nm GPU的晶片面積為610平方毫米,並且電晶體密度比P100 GPU高,達到907億個電晶體。下表中是用模型估算的臺積電90至5納米之間的節點電晶體密度。在90至7納米範圍內的節點,模型使用具有相同規格的假想GPU,包括電晶體除電晶體密度,假想的5納米 GPU與假設節點關聯。

CSET的成本模型使用的是無晶圓廠的角度,包含建造工廠的成本、材料、人工,製造研發和利潤等。晶片製造出來後,將外包給晶片測試和封裝(ATP)公司。所以這還只是晶圓製造成本,而一顆晶片的誕生還需要包含設計成本和封裝、測試成本,這部分的成本也是非常高的。

有市場研究機構給出數據,晶片的成本迅速暴增,7納米晶片設計成本為3.49億美元,5納米晶片設計成本將增至4.76億美元。也就是說,像設計一款A14或者麒麟5納米晶片,總成本可能高達近5億美元。

該機構通過調查估算後,每顆晶片的設計和封裝、測試成本,分別為108美元和80美元。

如果這份研究報告的準確性高的話,那麼意味著一顆5納米晶片支付的總成本將可能達到426美元(約為2929元)。

當然,這一估算也只是最理想的狀態,考慮到5納米工藝幾個月前才開始量產,其使用的晶圓廠以及設備都還沒有折舊,所以可能會有比較高的損耗。同時光刻機的成本也極高,由於EUV工藝複雜多達14層,每一層都要動用ASML的Twinscan NXE光刻機,而一臺EUV光刻機的價格高達1.2億美元。

實際上,麒麟9000的成本可以並不需要這麼多。因為電晶體密度大增,同是300mm(12吋)晶圓能切割出來的晶片增多,大概能夠切割出400顆麒麟9000晶片。若按此計算,使用N5製造610m㎡晶片的成本為42美元(287元人民幣),加上設計和封裝、測試成本,一顆晶片的最終成本可能在238美元(1570元人民幣)左右,比使用N7生產同樣晶片的233美元只貴了5美元。

在16/12納米節點上,同樣的處理器會大得多,製造成本為331美元。此外在N5時,還可以帶來15%的性能提升和30%的功耗下降。

但大家要做好的心理準備是,今年蘋果和華為的旗艦機註定不會太便宜。

3納米、2納米都在路上了

據此前供應鏈消息,臺積電雖然失去了華為的訂單,但AMD、英偉達、聯發科、高通與蘋果迎來了出貨旺季,已陸續加大7/5納米訂單。其中,7納米現已提前達到每月13萬片產能,年底約將再增至14萬片。而5納米目前由每月5萬片逐步提升,原定2021年上半8萬~9萬片月產能目標,近日已上調至10.5萬片,產能仍舊供不應求。

臺積電最近還公開了3納米工藝的產量目標,預計於2021年進入風險生產,2022年下半年量產單月產能可以躍升至5.5萬片;至2023年的單月產能更可以升至10萬片。首批生產晶圓將由蘋果全包,第二、第三批客戶則有英特爾、AMD、高通、賽靈思(Xilinx)及英偉達等。

與5納米相比,3納米可以在相同的功率水平下提高10-15%的性能,或者在相同的電晶體速度下降低25-30%的功率。International Business Strategies (IBS)給出的數據顯示,三星稱其3納米環繞閘極(GAA)工藝的成本可能會超過5億美元。

此外,臺積電還稱在2納米製造節點方面取得重大研究突破,有望在2023年中期進入2納米工藝試生產階段,並在一年後開始批量生產。

據悉,臺積電的2納米工藝將採用差分電晶體設計,採用GAA工藝為基礎的多橋溝道場效應(MBCFET)架構,解決FinFET因工藝微縮產生電流控制漏電的物理極限問題。而在極紫外光微顯影技術方面的進步讓臺積電的納米片(Nano Sheet)堆疊關鍵技術更為成熟,良品率的提升比預期的順利許多。

值得注意的是,這也是臺積電第一次將MBCFET設計用於其電晶體。

臺積電一位高管對外表示,「我們樂觀預計2023年下半年風險試產收益率將達到90%,這將有助於我們未來繼續贏得蘋果、匯達等主要廠商的大訂單」。同時,他還提到,量產將於2024年開始。

責編:Luffy Liu

本文綜合自IT之家、鎂客網、DIGITIMES、快科技報導

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