智能電錶是智能電網的智能終端，除了具備傳統電能表基本用電量的計量功能以外，為了適應智能電網和新能源的使用它還具有用電信息存儲、雙向多種費率計量功能、用戶端控制功能、多種數據傳輸模式的雙向數據通信功能、防竊電功能等智能化的功能，智能電錶代表著未來節能型智能電網最終用戶智能化終端的發展方向。減低智能電錶自身功耗，提高其運行能效已成為當前智能電錶的重要環節。開關電源不同於智能電錶中的其他器件，規模化、標準化生產或將是提高品質、降低生產成本、優化生產工藝。雖然智能電錶用開關電源已經獲得重視，然而國內在開關電源的發展上，還存在基礎理論欠缺、產業水平跟不上需求、生產工藝不成熟等諸多問題。另外開關電源引發的炸表現象一直也是困擾和阻礙其廣泛應用的重要原因之一。其他原因還有，長期工作的可靠性等。目前國內智能電錶用電源依舊以傳統工頻變壓器為主，而國外一些產品已經逐步使用了開關電源。主要的原因是電錶功能加強後，供電功率要求增加，工頻變壓器很難勝任。同時，考慮到安裝及運輸成本，開關電源會有具備很大優勢。
三相智能電錶的內部電源結構：
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201612/326477.htm智能電錶中開關電源的要求：
本文僅針對幾個重要的要求提出解決方案：
極寬輸入電壓範圍
多路輸出調整率
各類異常
層疊式普通反激方案：
對於常規輸入電壓(85Vac-265Vac)的小功率開關電源應用，綜合效率及成本，反激拓撲最為常見。結構上可以採用控制器配外置的開關器件，或者考慮集成度，也有集成控制器和開關器件於一個封裝。開關器件的耐壓等級通常為650V，700V和800V。如果對於三相應用，考慮到變壓器的反射電壓及漏感和設計餘量，該類器件無法滿足要求。而單純採用一個高壓開關器件，如1000V或1200V以上的功率開關器件，挑選餘地並不大，成本也較高。因此，在三相電錶中考慮的第一個設計問題就是如何解決高輸入電壓下的耐壓問題。以一個具體規格為例進行說明：
規格：
由於多路輸出和小功率輸出的特點，電源拓撲選擇反激較為合適。本文中控制晶片為英飛凌ICE3AR2280JZ。其內部除了工作頻率為100KHz的電流模式控制器外，還集成了800VCoolMOS，導通電阻為2.2ohm，封裝為DIP7。該晶片內部同時集成了800V的高壓啟動單元。在環境溫度為50度，常規寬電壓輸入(85Vac-265Vac)情況，最大輸入功率可達28W。同時，晶片還具有過流、過壓、輸入欠壓、過溫等保護功能和提高輕載效率的突發模式。鑑於小功率應用，變壓器尺寸及環路補償等因素，通常建議系統在全負載段工作於電流斷續模式(DCM)。
原理描述：
輸入電壓經過前級的共模濾波器L1，C20，C21和兩個整流橋BR1和BR2；壓敏電阻RV1，RV2，RV3及CX11，CX12，CX13構成過壓保護線路；功率電阻R1，R2，R3用於抑制浪湧電流。為了簡化設計，濾波電感的位置被放置於整流橋後以節省成本。考慮到輸入缺相情況，即只要任意兩根線存在，不論火線零線還是火線火線，系統仍舊可以正常工作，採用兩個整流橋輸出並聯使用。整流後，由於最大峰值電壓可達780V，因此採用兩個450V電解電容進行串聯使用，同時考慮電壓平衡，R13，R14，R15，R16並接在電容兩側。
原邊的開關線路由變壓器、鉗位電路、開關管及CoolSET、TVS、齊納二極體等組成。
啟動時，電流通過R19，R20，R21，R22流過齊納二極體D10進入CoolSET的漏極相連的高壓啟動單元。CoolSET內部的高壓啟動單位為800V，由於外部的TVS二極體的存在，超高電壓會被鉗位於一個特定的電壓，以保護CoolSET。但CoolSET開通時，外部MOSFET的源極被拉至地，從而齊納管D10形成反偏，從而使外部MOSFET開通；當CoolSET關斷時，電感電流首先對CoolSET內部的MOSFET的漏源電容進行充電，直到Vds電壓達到外部TVS二極體的鉗位電壓時，電流開始對外部MOSFET的門極源極電容進行放電，直到位於GS間的齊納二極體的正向電壓超過0.7V，外部MOSFET關斷，同時電流將通過齊納二極體D10流向外部TVS二極體或R19，R20，R21，R22。取決於兩個迴路的阻抗，由於外部MOSFET的Vgs已經接近於零，因此MOSFET將被徹底關斷；對於超過外部TVS管額定電壓的輸入，此時CoolSET電壓應力即為外部TVS的鉗位電壓值。例如，採用了550VTVS二極體和一個800V的外部MOSFET，那麼反激的耐壓能力為：550V+800V=1350V。作為設計，考慮惡劣情況，可以粗略估計從內部MOSFET到外部MOSFET關斷的時間即為流過外部TVS二極體的時間，用最大負載時的峰值電流容易得到流過TVS的平均電流。因此TVS二極體的損耗即為平均電流和鉗位電壓之積；
輸出電路由肖特基二極體，吸收電路，濾波器構成。為了紋波要求，採用二級濾波器。其中輸出1為主5V，與12V共地，另外一個5V的參考地與輸出1，2隔離。考慮到多路輸出負載交叉調整問題，12V的參考疊加在5V輸出。這樣對於12V輸出，調整精度有所提高。因為規避了5V輸出上二極體正向壓降隨電流變化的影響。基於動態穩定性方面的考慮，12V輸出電容C8放置於5V輸出，這樣可以避免5V輸出大動態負載跳變時造成12V輸出不穩定的情況。
反饋電路由分壓網絡、補償網絡、TL431及光耦構成。補償部分由C10，C11和R10構成，其中R10與C10，C11分別構成兩個極點和零點對電流型反激進行補償。
變壓器考慮尺寸，選用EE20-PC40磁芯。綜合佔空比，選擇
設計考慮：
ICE3AR2280JZ的最大佔空比為0.7，為了合理利用佔空比以覆蓋超寬的電壓範圍，取反射電壓為150V。根據最低輸入電壓，滿載條件可知最大佔空比為0.62。因此電感為：1.024mH
選原邊匝數Np=72，副邊主5V匝數Ns1=3，晶片Vcc匝數Nvcc=8；考慮到輸出採用直流層疊的方式，故12V繞組圈數取4(12V繞組疊加於主5V輸出，而非5V繞組端)。變壓器結構如下：
測試結果：
負載調整率及輸入調整率：
結語：
通過測試可以看出：當CoolSET內部MOSFET的Vds電壓達到550V左右時，電壓被TVS所鉗位；通過原邊電流的續流將外置MOSFET徹底關斷，從而使得整個關斷的電壓應力由兩個MOSFET串聯分擔。採用二級LC濾波後，輸出紋波為：24mV(5V)，79mV(12V)，20mV(隔離5V)；交叉調整率方面可以在輸出不外加線性穩壓器情況下實現10%以內的交叉調整(》10%負載)。對於更高壓的設計，可以採用多個TVS串聯方式，以800VCoolSET和800VCoolMOS為例，最高耐壓可達1600V。可以完全適應高壓輸入應用的要求。