解決晶片互連卡脖子問題:CMOS片上光電互連速度突破2Tb/s

2020-08-17 EETOP

EETOP

EETOP創芯網(易特創芯):國內著名的老牌電子工程師社區及半導體行業門戶網站(150萬會員)

www.eetop.cn bbs.eetop.cn

blog.eetop.cn edu.eetop.cn

來源:EETOP編譯自electronicdesign

在三個關鍵系統模塊(處理器,內存和互連(I/ O))之間需要互相協調,每個要都在更好的提升性能。隨著按各種指標衡量的處理器和內存速度已得到了大幅提高,所以互連也需要跟上發展,以免整體性能被卡了脖子!但是銅纜鏈路正面臨著一些明顯的障礙。電光互連似乎是解決方案,但要使其發揮潛能並與矽一起工作一直是一個重大挑戰。

不過,最近有一次演示展示了英特爾與Ayar Labs(加利福尼亞州埃默裡維爾)之間的合作所取得的巨大進步,該項目是由美國國防高級研究計劃局(DARPA)在其「光子學」中贊助的。該計劃希望使用先進的封裝內矽光子接口來實現每秒1T位(Tb / s)以上的數據速率,同時所需的能耗不到1皮焦耳/bit。並能實現千米級的傳輸距離(圖1)。

SoC器件顯示(左)各個小晶片的位置以及完整的封裝(右)。

英特爾/ Ayar項目尚未實現這些目標,但確實朝著這些目標邁出了重要一步。在2020年光纖會議(OFC)上的線上演示中,Ayar展示了其TeraPHY光學晶片技術,該技術已集成到通常使用銅互連的改進型商用IC(英特爾Stratix 10 FPGA)中(圖2)。

這是一種非常高級的光學I / O系統架構,圖片顯示了主要組件的互連

從矽電子中產生光數據流並不僅僅是先進的LED、雷射二極體、增強摻雜或獨特的製造結構的問題,儘管這些結構都具有更高的性能和扭曲度。。相反,它需要一種新的思維方式,需要先進的深層電光物理學見解,其中涉及合適結構中電子、電場和光子之間的關係。

利用矽光子技術

基本設計是基於使用矽光子學作為構件,包括波導、定向耦合器和微環諧振器。與廣泛使用的馬赫-曾德爾幹涉儀(MZI)相比,後者是耦合和能量傳輸的首選,因為它提供了大約縮小100倍的小尺寸,25-50倍的高帶寬密度和50倍的高能量效率。然而,它也需要更複雜的設計和精密製造。

Ayar公司的TeraPHY晶片片採用GlobalFoundries公司的45-nm SOI CMOS製造工藝製造,該晶片集成了微米級的光波導。TeraPHY晶片上的光波導被蝕刻在矽片中,提供的功能是基於銅的能量和信號路徑的光學模擬。將兩個波導靠近,就能將光子和功率從一個波導轉移到另一個波導,從而形成一個能量耦合器。在耦合器內,一個直徑為10微米的微環諧振器可以對相位進行電調製,並控制光的方向,要麼通過晶片,要麼直至晶片頂部,從而創建I/O埠。

TeraPHY平臺由單片集成的矽光子和CMOS組成(圖3),採用倒裝片系統封裝(SiP),可將一個SoC的綜合功能拆分在一個封裝的多個小晶片上。這些小晶片採用密集、節能、短距離的封裝內電氣互連方式互連在一起。

圖片展示了一個TeraPHY晶片的例子,顯示了16通道25G光子發射(Tx)和接收(Rx)宏以及相應的串行器/解串器(SerDes)(a)。多晶片模塊(b)的分解圖包括一個系統級晶片裸片和兩個TeraPHY晶片。(來源:Ayar Labs)

SiP技術的主要優勢在於能夠使每個小晶片提供不同的專門功能,並使用最適合實現該功能的工藝技術進行製造,只要該小晶片仍可以符合標準的SiP集成和封裝約束。這類似於在SiP中使用高密度CMOS來製作處理器或FPGA,再加上專業的模擬處理來實現精密數據採集和調理。

儘管目標為1pJ / bit,但在這種類型的設計中,散熱方面的考慮與電子和光學方面的考慮一樣重要,因為SoC耗散了300W,TeraPHY耗散4.7W。分析表明,解決TeraPHY耗散問題的實用解決方案將其分為TxRx,電氣I/O和GPIO區域。

當然,封裝也是分析的一部分,所得到的溫度曲線說明了高性能系統中預期的熱環境(圖4)。儘管CMOS器件可以承受這些工作溫度,但任何共封裝的雷射器都將降低效率並降低可靠性,因此TeraPHY被設計為使用外部雷射源。

圖4是多晶片模塊(MCM)的等距剖視圖

這裡只是對一個非常複雜技術做一個簡單的描述。更多的可以參考這方面的相關論文:

https://ayarlabs.com/teraphy-a-high-density-electronic-photonic-chiplet-for-optical-i-o-from-a-multi-chip-module/#unlock

https://ayarlabs.com/teraphy-a-chiplet-technology-for-low-power-high-bandwidth-in-package-optical-i-o/

原文:

https://www.electronicdesign.com/technologies/analog/article/21139195/cmos-plus-onchip-electrooptical-interconnect-zooms-past-2-tbs

資料推薦

相關焦點

  • 解決晶片互連卡脖子問題:CMOS片上光電互連速度突破2Tb/s
    在三個關鍵系統模塊(處理器,內存和互連(I/ O))之間需要互相協調,每個要都在更好的提升性能。隨著按各種指標衡量的處理器和內存速度已得到了大幅提高,所以互連也需要跟上發展,以免整體性能被卡了脖子!但是銅纜鏈路正面臨著一些明顯的障礙。電光互連似乎是解決方案,但要使其發揮潛能並與矽一起工作一直是一個重大挑戰。
  • 英特爾矽光子迎來重要技術突破:將光互連引入伺服器和封裝
    這些進步代表著光互連領域的關鍵進展,它們解決了電氣輸入/輸出(I/O)性能擴展上與日俱增的挑戰——目前需要大量數據計算的工作負載已經讓數據中心的網絡流量不堪重負。英特爾展示了包括微型化在內的關鍵技術構建模塊的多項進展,為光學和矽技術的更緊密集成奠定了堅實基礎。
  • 矽基光電子與微電子單片集成研究進展
    然而在後摩爾時代,集成電路面臨著不可逾越的電互連導致的延時和功耗方面的限制。於是,人們提出了利用光子作為信息載體來替代電子的設想,希望可以用光子更高效地完成信息的傳輸,即光互連。通過光電子和微電子的融合,可以實現高速光互連,實現信息的高速傳輸,解決電互連的瓶頸。
  • cmos和ccd的區別 cmos和ccd如何區分
    cmos是Complementary Metal Oxide Semiconductor的縮寫,指的是製造大規模集成電路晶片用的一種技術或用這種技術製造出來的晶片。而常見的感光元件還有CCD,cmos和ccd的區別在哪裡呢?和小編一起來看看吧!
  • CMOS圖像傳感器,路在何方?
    這個趨勢與用戶對更大手機屏幕、更佳拍照性能的需求一致,CMOS圖像傳感器的晶片尺寸則隨之增加。儘管如此,圖像傳感器廠商已經找到了解決某些挑戰的方法。如:(1)採用新工藝:高K薄膜和其它製造技術。(2)晶片堆疊和互連技術,將兩顆不同功能的晶片堆疊起來並不是什麼新鮮事。
  • 西數發布 SN850 PCIe 4.0 SSD 順序讀取速度可達 7GB/s
    【每日科技網】  10月8日,WesternDigital今天宣布推出SN850PCIe4.0SSD,順序讀取速度為7GB/s。  WesternDigital發布了SN850PCIe4.0SSD,7GB/s。
  • 英特爾集成光電、量子計算等五大領域前沿研究及其科研成果
    遺憾的是,電氣性能擴展跟不上帶寬需求的增長速度,導致了I/O「功耗牆」,即I/O 功耗會逐漸高於所有現有的插接電源,導致無法計算。」          光互連技術涉及六大技術要素:光產生、光放大、光檢測、光調製、CMOS 接口電路和封裝集成。最近,英特爾在其他五大技術構建模塊上實現了重大創新,這也加速實現其為集成光電構建的關鍵技術模塊的願景。
  • 國內技術又有新突破,國產7nm晶片要來了?南大光電正式官宣
    從目前的態勢來看,要想純依靠外力解決晶片問題是不現實的近日,南大光電正式官宣,在晶片領域的光刻膠技術上實現了突破,國內首條ARF光刻膠生產線正式建成。所以說,南大光電的ARF光刻膠技術的突破是極具意義的。
  • 200G光互連解決方案——DSP與全模擬架構解析
    4*50G光互連,是200G光互連的解決方案之一。但是56G信號的通道損耗和反射引入代價太大,同時對通道串擾的容忍性極大降低,目前的NRZ技術很難突破單路56G傳輸速率,因此業界引入了PAM4技術進行解決。PAM4克服了56G速率下傳統NRZ調製的疲軟能力,在不增加帶寬的情況下將比特率速率翻倍。但是PAM4犧牲了信噪比,使得產品對噪聲更加敏感,DSP晶片的引入正好彌補了PAM4技術相應的劣勢。
  • 英特爾六大技術支柱賦能智能世界 互連是橋梁
    這六個方向,是英特爾未來數年在傳統晶片業務上的核心方向,也是英特爾面對智能互聯世界發力的全新方向。英特爾在互連的各個層面都有世界級IP和產品計劃,從片上通信和封裝、處理器間的互連、矽光子、數據中心到無線。英特爾正在創新一系列包括乙太網、片上和光纖在內的互連架構,將晶片和小晶片互連,以實現快速、連貫的內存訪問。
  • 索尼cmos - CSDN
    既然BSI療效這麼顯著,那什麼時候APS-C、全副相機才能用上呢?當年索尼被問及此問題時卻拋出了一個背照在大尺寸傳感器上無用論。可日後索尼先後被三星、被自己連扇耳光。2014年三星發布了全新的旗艦微單相機,採用了一塊28MP、APS-C畫幅的背照傳感器,連拍速度達到了15fps。
  • 英特爾推動集成光電的發展,用於數據中心
    這些進步代表著光互連領域的關鍵進展,它們解決了電氣輸入/輸出(I/O)性能擴展上與日俱增的挑戰——目前需要大量數據計算的工作負載已經讓數據中心的網絡流量不堪重負。英特爾展示了包括微型化在內的關鍵技術構建模塊的多項進展,為光學和矽技術的更緊密集成奠定了堅實基礎。
  • ...MACOM與MultiLane SAL在OFC 2019上攜手展示200G QSFP56 AOC
    可利用不歸零制(NRZ)將II-VI的8元垂直腔面發射雷射器(VCSEL)陣列調製為28Gb/s,或利用四電平脈衝幅度調製(PAM4)將其調製為56Gb/s,以便在短距離多模光纖鏈路上分別實現200或400Gb/s的複合速度。
  • 速度超過5G的無線晶片誕生
    還可以推測,太赫茲頻譜帶可用於解決高速,高能效和低成本晶片內/晶片間通信鏈路之間的互連權衡。這可以幫助設計人員利用大型多核處理器,片上網絡或系統級封裝解決方案。在太赫茲頻段工作的挑戰儘管太赫茲頻段似乎具有令人難以置信的潛力,但它並非沒有缺點。在太赫茲頻段開發涉及許多挑戰。
  • HDMI 2.1與增強音頻回傳通道(eARC),未來家庭影院互連解決方案
    除去協議開銷,原始音頻的最大傳輸速度大約為每秒37兆比特,支持8通道192 kHz 24位未壓縮PCM音頻。(8×192,000×24≈36,864,000比特每秒)  每秒1兆比特的雙向數據信號被調製在eARC音頻信號上。該雙向信號用於eARC電視機發現eARC音頻設備。
  • ...Pair)的片上NFC,結合突破的性能和功效重新定義了單晶片藍牙智能
    nRF52832結合突破的性能和功效,重新定義了單晶片藍牙智能 (Bluetooth® Smart)類別。它還具有獨特的片上NFC™標籤,用於用戶友好的觸摸配對(Touch-to-Pair)功能,並且提供任何現有藍牙智能解決方案都無法比擬的全新設計靈活性水平。
  • 專注高速光電集成封裝與光引擎技術,「光創聯Eugenlight」獲同創...
    另一方面,光創聯將利用本輪融資資金加大光電共同封裝Co-Package Optics的投入,積累公司在該領域的先發優勢。期待光創聯在資本的助力下,未來實現更大的突破和發展。天眼查APP信息顯示,成都光創聯科技有限公司成立於2016年10月,法定代表人為許遠忠。
  • 這塊晶片傳輸速度比5G速度還快?!
    光子拓撲絕緣體晶片為了實現超過第五代(5G)電信標準的數據傳輸速度,南洋理工大學、新加坡(NTU新加坡)和日本大阪大學的科學家利用光子拓撲絕緣體的概念製造了一種新晶片。最近發表於自然光子學研究人員表示,他們的晶片可以傳輸太赫茲波,傳輸速率為每秒11千兆比特,能夠支持4K的實時流傳輸高清視頻,超過了目前5G無線通信的理論極限10 Gbit/s。太赫茲波是電磁波譜的一部分,介於紅外光波和微波之間,被譽為高速無線通信的下一個前沿。 然而,在太赫茲波能夠可靠地用於電信技術之前,需要應對一些根本性的挑戰。