如今,晶片製程工藝已經來到了5nm,而三星、臺積電還在繼續向著更高製程的3nm與2nm推進。但是,受到摩爾定律影響,想要繼續向前推進,難度將翻倍提升。
如今有不少半導體公司認為,摩爾定律已經走到了盡頭,或因成本成本太高,而放棄了工藝小型化。不過,身為全球第一大光刻機巨頭的ASML,卻沒有停下前進的腳步。
11月18日,IMEC公司執行長Luc Van den hove帶來了一個振奮人心的消息。他表示,IMEC在與ASML的緊密協作之下,成功實現高NA EUV光刻技術商業化,此為下一代高解析度EUV光刻技術。
同時,IMEC還展示了3nm、2nm、1.5nm與1nm以下的小型化線路圖。
IMEC還表示,作為NXE:5000系列的高NA(NA=0.55)EUV曝光系統的基本設計,ASML已經完成,到2022年時其將啟動商業化計劃。
目前EUV光刻機的NA=0.33,而2nm以後則需要NA=0.55。這表示,ASML的更高精度光刻機有了重大進展。
與當前光刻機相比,下一代光刻系統將會十分巨大,這是因為其光學系統將會更大。
通過IMEC執行長的介紹來看,ASML對下一代光刻機已經有了完善的規劃,1nm,甚至亞1nm光刻機離眾人已經越來越近。
ASML的這一好消息,對正在努力攻克更高精度晶片的臺積電來說,可謂是「喜從天降」。
在2020世界半導體大會上,臺積電南京公司總經理羅鎮球表態,臺積電將繼續推進晶片製程工藝,就算是到1nm,摩爾定律仍將適用。
而ASML光刻機的突破,將助臺積電一臂之力。
根據臺積電當前規劃,其將在2022年實現3nm晶片量產。而在2024年時,則要實現2nm晶片的量產。
如今,臺積電2nm製程已經有了重大突破。據悉,臺積電2nm將採用GAA技術,GAA的柵極對溝道的四面進行包裹,從而令源極和漏極不再和基底接觸。
GAA有著性能強、功耗更低的優勢,不過,其也將帶來成本的提高。據悉,5nm工藝成本為4.76億美元,而3nm GAA成本則將突破5億美元。
最終,臺積電能否克服重重困難,成功將工藝節點推進至2nm,十分值得期待。
如今,臺積電與三星之間的競爭尤為激烈。三星為超越臺積電,坐上老大的位置,可謂是卯足了勁,但臺積電也不甘落後。當前,二者的競爭十分膠著,最終,誰能贏得先機,十分令人期待。
文/BU 審核/子揚 校對/知秋