可替代用於OLED、LCD等設備LTPS的全新TFT技術

2021-02-26 OFweek顯示

作者 | 胡琪

來源 | OFweek顯示網

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據外媒報導，總部位於美國的Solar-Tectic公司，日前在賓漢姆頓大學和Blue Wave Semiconductor的協助下，獲得了全新薄膜電晶體（TFT）技術專利，該技術將有助於提高有機發光二極體（OLED）、有源矩陣OLED（ AMOLEDs）、液晶設備（LCD）顯示器以及太陽能電池設備的效率並降低其成本。

與用於製造驅動顯示器像素並需要昂貴的準分子雷射退火的TFT的傳統低溫多晶矽（LTPS）工藝不同，這種新工藝是由金屬誘導結晶（MIC）衍生而來的，並且使用改性液相外延電子束工藝，能夠在低至232°C的溫度下，在金屬氧化物，如氧化鎂緩衝基板上沉積薄金屬層，然後沉積最終的汽化矽（Si）層並結晶成約50至100nm厚的薄膜，整個流程沒有任何金屬殘餘物。

通過使用拉曼光譜和X射線光譜對Si膜進行的分析顯示出了高達188cm2/Vs的電子遷移率（而傳統的LTPS電子遷移了則為100cm2/Vs）。

研究人員希望通過使用ST和BWS定向的MgO（111）薄膜緩衝基板進一步提高晶體尺寸，從而進一步提高電子遷移率，最終提高設備效率並有效降低成本。

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