中芯8nm晶片年底開始試產,不要EUV光刻機,ARM神助力

2020-10-03 爆火

一直以來我國在晶片領域的開發,與世界技術相比都是比較落後的,國內的晶片市場長期以來,都受制於美國或其他晶片大國的打壓,始終沒有一個很好的發展機會,這一次美國的「逼入絕境」,可以說是徹底的將我國逼入了,全力研發半導體晶片的時代。

近日我國的晶片研發傳來了好消息,中芯國際官方正式宣布了,國產8納米晶片年底試產的消息,最重要的是不需要EUV光刻機,其次中芯國際的二代FinFETN+1已進入客戶導入階段,渴望於今年年底進行小批量試產,在一代的基礎上二代FinFETN+1技術,已經成功突破14納米製程的限制,讓我國的晶片工藝達到了10納米及以下的尖端水平。

據了解,第二代FinFETN+1工藝製造的8納米級別晶片,比起原有的臺積電14納米,在總體性能上提升了20%,使用功耗降低了7%,體積則縮小了63%,這是打破美國壟斷和我國依賴進口光科技的轉折點。

同樣的我國也將會再一次的打破常規,讓晶片生產製造不再必須用EUV光刻機,另一方面華為拿到了ARM,最先進的V8架構永久授權,這樣就可以能夠全心全力的,去發展自己的光刻機生態鏈,你們對這件事情有什麼樣的看法?歡迎評論區留言關注!

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