當使用分立的JFET時，設計者可能需要將大量可變的器件參數與某個給定的電晶體型號相適應。一般會使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個近似模型：ID=β(VGS-VP)2，其中，ID是漏極電流，VGS是柵源電壓，β是跨導參數，而VP是柵極的截止電壓。與此近似，用下式可得柵源電壓為0V時的零漂移漏極電壓：IDSS=βVP2，其中IDSS是零漂移漏極電流。
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http://www.eepw.com.cn/article/176790.htm圖1是N溝道JFET的特性圖，圖中顯示了一組器件可能的差異。例如，2N4416A數據表列出的截止電壓為-2.5V~-6V，零漂漏極電流可以從5mA~15mA。對一些器件樣品做觀察，可發現這兩個參數之間有相關性。圖中靠外的曲線就表示出了這些極端情況，而中間的曲線則可能表示一個-4V截止電壓和8mA零漂漏極電流的典型情況。
圖1，不同N溝道JFET器件的I 串聯電感，則可能需62 D-VGS特性可以有很大的差異。
對於量產電路，雖然可以在某些器件差異之內做設計，有時也需要一個工具來快速地確定一組分立器件的特性。這種工具能夠挑選出一隻最適合於某個電路的器件，或者找到參數匹配相當理想的一對器件。
圖2是用於此目的一個簡單測試電路。儘管圖中顯示的JFET是N溝道器件，但通過開關S1的選擇，JFET DUT(待測器件)可以有兩種極性。外接電壓表連在右側的端子上。開關S2選擇兩種測量模式，一種是測截止電壓，另一個是測零漂漏極電流。在截止電壓模式下，外接電錶直接讀出截止電壓值；而在零漂漏極電流模式，測得的電壓是一個100Ω視在電阻上面的零漂漏極電流。
圖2，在DUT源極電阻R1和R2之間做選擇，可以測量出截止電壓和零漂漏極電流。
S2在截止電壓模式時，R1使數微安的漏極電流流入待測JFET 器件，而源極電壓是負截止電壓值的高度近似。運放用作一個單位增益緩衝器，通過R3做負反饋，因此可以用外接電錶直接讀出負的截止電壓值。
而在零漂漏極電流模式下，JFET源極到地的電阻只有10Ω，因此漏極電流是零漂漏極電流的一個高度近似。運放的反饋也轉換到增益為10的配置， 反饋分壓器包含了R4和R5。這個增益使電壓表能夠方便地讀出R2上的小電壓， 讀數值就是零漂漏極電流乘以100Ω。例如，如果電壓表讀數是1 V，則這個電壓相當於10mA的零漂漏極電流。
對於N溝道器件，兩個讀數都是正的；對於P溝道器件， 電路功能相同，區別只是電壓讀數為負值。如果用測試線和夾子將待測JFET與電路相連，這兩者都有一些寄生串聯電感，則可能需要增加一個C1，以抑制產生任何高頻振蕩的趨勢。R6將運放反饋迴路與電壓表及其引線的任何寄生電容隔離開來，保證了迴路的穩定性。R7用於防止意外短路，可以用一隻1.1kΩ電阻替代R4和R5。但你可能更願意按圖中所示值，使用手邊的電阻。
從一組JFET中取一隻樣品，通過開關轉換就可以快速地找到兩個參數，並確定每個JFET的參數落入圖1所示的哪個區間，從而選出可獲得最佳電路性能的器件。