長期以來,我國在晶片自主研發和生產方面一直未能取得突破性進展,致使我國無法實現晶片製造設備和技術的「本土化」。
華為雖然具備自主研發晶片的能力,但在整個晶片產業鏈中,還沒有抓住下遊生產的優勢。因此,華為最近失去了晶片生產的源頭,晶片相關業務陷入停滯階段。
然而,隨著人們認識水平的提高,人們已經認識到晶片製造的關鍵環節之一是光刻,它涉及到光刻的關鍵設備,這可能是大多數人所能理解的。
我們知道,最近,中國科學院正式宣布將進入光刻技術領域,並在世界上佔有一席之地。既然設定了這樣的目標,那麼要開發的光刻機應該是EUV光刻機。
很多人可能不明白,目前的光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。前者採用極紫外光刻技術,後者採用深紫外光刻技術。EUV已被確定為先進工藝晶片光刻機的發展方向。
美國半導體工業協會日前發出警告:到2030年,中國芯片產能將居世界首位,佔全球總產能的28%。新航稱,10年之內在美國建立和運營先進晶片工廠的成本比中國臺灣、韓國或新加坡高30%,比中國大陸高37%至50%。
美國半導體協會代表了美國的利益,所以警告不是要表揚我們,而是要嚴厲警告川普:不能掐死中國,否則10年之後美國會後悔的!
現在這種事又發生了。面對美國對華為等企業的制裁,臺積電和ASMC一再聲稱,中國無法製造高端光刻機和先進晶片技術。然而,當中科院宣布將全院的力量攻克瓶頸技術時,ASMC光刻機立即給出了充分的理由。在中科院宣布將逐一列出清單並成為集中科研任務之後,華為CEO任正非率隊參觀了中科院和北京大學。他相信,經過未來十年頭部技術的集中攻關,我國將建成越來越多的領先科技。