三極體的主要參數（PZT3904T1G）
1、電流放大係數（也叫電流放大倍數）
分直流和交流放大係數
直流也叫做靜態電流放大係數，是在靜態無變化信號輸入時，電晶體集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用HFE或β表示。
交流也叫動態電流放大係數，指在交流狀態下的HFE或β；
2、耗散功率
也叫集電極最大允許耗散功率PCM，是電晶體參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。它與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係，電晶體使用時，其實際耗散功率不允許超過PCM值，否則會造成電晶體因過載而損壞。
PCM小於1W的叫小功率電晶體，1W<PCM<5W的叫中功率電晶體，大於5W的是大功率電晶體。
3、頻率特性
電晶體的放大係數和工作頻率有關，如果超過了工作頻率，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。電晶體的頻率特性主要包括特徵頻率FT和最高振蕩頻率FM等。
特徵頻率：當f= fT時,三極體完全失去電流放大功能.如果工作頻率大於fT,電路將不正常工作。
fT稱作增益帶寬積，即fT=βfo。若已知當前三極體的工作頻率fo以及高頻電流放大倍數，便可得出特徵頻率fT。隨著工作頻率的升高，放大倍數會下降．fT也可以定義為β=1時的頻率。
小於或者等於3MHZ是低頻管，大於或等於30MHZ是高頻管，大於3MHZ小於30MHZ是中頻管。
最高振蕩頻率FM，只電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率，通常高頻電晶體的最高振蕩頻率低於共基極截止頻率Fa，而特徵頻率FT則高於共基極截止頻率Fa，低於共集電極截止頻率Fβ。
4、集電極最大電流Icm
是電晶體集電極所允許通過的最大電流，當電晶體的集電極電流IC超過ICM時，電晶體的β值等參數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至損壞。
5、最大反向電壓
指電晶體在工作時允許施加的最高工作電壓，它包括集電極-發射極反向擊穿電壓、集電極-基極反向擊穿電壓和發射極-基極反向擊穿電壓。
集電極-發射極反向擊穿電壓指電晶體基極開路時，集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，是集電極與發射極反向擊穿電壓，表示臨界飽和時的飽和電壓，用VCEO或者BVCEO表示。
集電極-基極反向擊穿電壓，是發射極開路時，集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示.
發射極-基極反向擊穿電壓，指電晶體的集電極開路時，發射極與基極之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。
6、反向電流
包括集電極-基極之間的反向電流ICBO和集電極-發射極之間的反向擊穿電流ICEO。
ICBO也叫集電結反向漏電流，是當電晶體的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流，ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明電晶體的溫度特性越好。
ICEO是當電晶體的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也叫穿透電流。此值越小，說明電晶體的性能越好。
7、其他參數
Ibs:基極飽和導通電流；放大態，IB一定要小於使三極體飽和的電流。
Ie=Ib+Ic；
在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關係，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--稱為直流放大倍數，
集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：
β= △Ic/△Ib
式中β--稱為交流電流放大倍數，由於低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。
Ibl:Base Cutoff Current.基極截止電流，雙極型電晶體（BJT）的截止電流，就是指電晶體處於關斷狀態時所通過的漏電流；實際上，截止電流也就是其中某一個pn結的反向飽和電流。所以這裡指三極體關斷狀態基極的漏電流。同理，Icex指集電極的截止電流，。即三極體關斷狀態時候，集電極的漏電流。