1nm！AMSL正式宣布，光刻機精度突破極限，變化太突然

ASML正式宣布

眾所周知，在光刻機領域，荷蘭阿斯麥爾（ASML）堪稱翹楚，目前，阿斯麥爾已經研製出EUV光刻機，也是世界上最先進的光刻設備。

其實，中國在全球光刻機領域也具有一席之地，雖然製造出來的晶片精度遠不及阿斯麥爾，但在國際上已經是名利前茅了，這就是上海微電子，當然可達到的晶片精度為28nm，要想趕上阿斯麥爾仍然還有很長一段路要走。

從市場份額來看，阿斯麥爾依然是巨無霸的存在，獨佔了全球80%的市場份額，其中，臺積電和三星所用的光刻機均來自這裡，由於阿斯麥爾產能有限，所以想要採購光刻機都需要提前預定，甚至搶購，更誇張的是，有錢也未必能買到這裡的光刻機。

在阿斯麥爾公司，還存在一項特殊的協議，叫作《瓦森納協議》，內容明文規定，不允許向中國大陸出售高端光刻機，這也是導致中國晶片製造長期落後於西方國家的原因。

前段時間，臺積電公開宣布自己已經在著手3n晶片製造試驗，預計2021年中旬實現小規模量產。要知道，當前最先進的晶片精度還是5nm，且僅有臺積電和三星具有能力完成加工。

10月15日，據《科創板日報》消息稱，ASML正式宣布完成最新精度的光刻機研發，代號TWINSCANNXE:3600D，最不可思議的是，這款光刻機可達到的製造精度高達 1.1 nm，這也就意味著1nm工藝來了！

晶片極限精度

在晶片領域，目前用得最多的是7nm晶片，而最新的5nm晶片不久後將應用在華為Mate40手機和iPhone12手機上，這也就代表5nm晶片時代即將來臨。

可現在ASML已經突破1nm級的光刻機製造，這對於晶片的發展具有巨大的意義。

目前市場上所應用的晶片幾乎都是矽基晶片，而矽基晶片在精度上也存在極限值，這個數就是1nm，當精度達到這個值後，即便有更高精度的光刻機，也造不出低於1nm精度的晶片。

科技需要進步，晶片發展不可能到了這裡就止步不前，那怎麼辦呢？

其實，除了矽基晶片，我國在碳基晶片領域也有了重大突破，根據相關數據顯示，在相同精度下，碳基晶片的綜合性能是矽基晶片的10倍，但由於當然人類所掌握的技術還不足以駕馭碳基晶片，所以並沒有將其普遍應用於市場。

晶片發展之路

綜上可知，對於晶片未來的發展軌跡，大致可分為四個階段：

第一，5nm晶片的應用與普及。眼下最令人期待的晶片當屬麒麟9000、蘋果A14、驍龍875，這些都是當前晶片領域的領跑者。

第二，3-2nm晶片的設計與研發。雖然ASML已經研製出1nm光刻機，但是還沒有公司能設計出1nm晶片，所以暫時無法生產。科技發展是一個循序漸進的過程，所以晶片的下一代繞不過2-3nm精度。

第三，1nm晶片生產。顯然，這是矽基晶片的極限精度，這同時也意味著矽基晶片走到盡頭。

第四，從矽基晶片向碳基晶片轉移。科技發展沒有盡頭，所以碳基晶片必然會被推上世界舞臺，矽基晶片屆時也將逐漸被淘汰，這是恆古不變的真理。

當前，中國在碳基晶片上的研究進度是全球最先進的，所以未來我國極有可能在碳基晶片的轉折點實現彎道超車，我們拭目以待。