光刻機：中科院正式宣布！外媒：美將助中國科技騰飛

相信每個人最近都知道的一件事，美國今年宣布了對華為第二次和第三次制裁的原因。自9月15日起，所有採用美國技術的企業都需要獲得美國的同意，這包括臺積電和聯發科在內的企業合作才能與華為展開合作。

華為的海思晶片主要是由臺積電代工，聯發科則是華為備選晶片的供應商。鑑於美國對華為的「禁芯令」華為消費業務CEO餘承東也曾表示，麒麟9000可能是華為的絕版，這對華為來說是一個巨大的損失，不可避免地讓我們感到遺憾。

然而，華為並沒有因此陷入絕境，而是提出了一系列的自救計劃，包括EDA軟體、晶片ip、晶片製造設備和晶片製造原料。可以說這四個方面基本涵蓋了晶片行業的方方面面。

雖然華為提出了這麼多根技術，但目前制約華為的仍然是晶片製造，涉及到晶片製造設備，其中光刻機是最關鍵的一個。

可以說，如果光刻機能夠取得重大突破，晶片製造問題就可以基本解決。今天，中科院給我們帶來了好消息。

今天，中國科學院院長白春禮接受了記者採訪。白院子說：我們應該把美國卡脖子的清單變成我們的科研任務清單進行布局。其中一個提到了晶片製造設備的關鍵：高端光刻機的研發。顯然，這無疑會加速中國在光刻機領域的進步。

事實上，英國媒體《經濟學人》最近就做出了這樣的預測。《經濟學人》發表分析稱，美國對華為的禁令將有助於中國在科技方面的騰飛。文章指出，來自美國的巨大壓力很可能將中國高科技產業推向絕境，迫使中國發展一個不依賴美國技術的內生研發體系。到那時，美國將不再能夠阻止中國晶片產業的崛起。

白院長也給了一個明確的定位，那就是如果工作的領域方向不能在世界上佔有一席之地，在國內不領先，那就不要做。目前，已經成立了核心技術攻關領導小組，要求每個承擔重大任務的人都要籤署責任書。

顯然，光刻機是一項關鍵的核心技術。根據《經濟學人》的報告，我們可以在短時間內形成一條沒有美國技術的40nm生產線。倪光南還指出，我們目前也有28nm的光刻機技術，也可實現14納米晶片的生產。

因此，從這個角度來看，光刻機的突破應該主要集中在EUV，也就是極紫外光刻類型的光刻機。如果實現這一突破，未來7nm、5nm，甚至3nm、2nm工藝的生產可以一舉進入。

有人說，光靠光刻機是不行的，但它還需要晶片製造技術。是的，三星和英特爾都有光刻機器，但在先進位造技術方面仍落後於臺積電。但是，我國在這方面其實是有技術儲備的。

當然，我們還是想談談中科院。事實上，我們已經在一份報告中看到了中科院在晶片製造技術方面的優勢。這篇報導是關於英特爾在晶片製造技術上侵犯中科院專利的進展。

去年，據媒體報導，中科院在製造2納米晶片方面也取得了技術突破，採用了具有自對準柵極的堆疊垂直納米環柵電晶體技術，這在當時是世界上第一。

因此，一旦EUV光刻機器的問題得到解決，我們將在晶片製造方面向前邁出一大步。屆時，正如《經濟學人》所說，美國將不再能夠阻止中國晶片產業的崛起，我們將拭目以待。