D類音頻放大器設計:概念、原理和方法(下)

2020-12-12 電子產品世界

摘要: 本文詳細闡述了D類音頻放大器技術及其設計要素,並介紹了ADI公司的D類放大器的產品特點。

關鍵詞: D類放大器;輸出級功率;輸出電晶體;EMI;LC濾波器

音質

在D類放大器中,要獲得好的總體音質必須解決幾個問題。

「卡搭」聲:當放大器導通或斷開時發出的卡搭聲非常討厭。但不幸的是,它們易於引入到D類放大器中,除非當放大器靜噪或非靜噪時特別注意調製器狀態、輸出級時序和LC濾波器狀態。

信噪比(SNR):為了避免放大器本底噪聲產生的嘶嘶聲,對於可攜式應用的低功率放大器,SNR通常應當超過90 dB,對於中等功率設計SNR應當超過100 dB,對於大功率設計應當超過110 dB。這對於各种放大器是可以達到的,但在放大器設計期間必須跟蹤具體的噪聲源以保證達到滿意的總體SNR。

失真機理: 失真機理包括調製技術或調製器實現中的非線性,以及為了解決衝擊電流問題輸出級所採用的死區時間。

在D類調製器輸出脈寬中通常對包含音頻信號幅度的信息進行編碼。用於防止輸出級衝擊電流附加的死區時間會引入非線性時序誤差,它在揚聲器產生的失真與相對於理想脈衝寬度的時序誤差成正比。用於避免衝擊最短的死區時間對於將失真減至最小經常是最有利的;欲了解優化開關輸出級失真性能的詳細設計方法請參看深入閱讀資料2。

其它失真源包括:輸出脈衝上升時間和下降時間的不匹配,輸出電晶體柵極驅動電路時序特性的不匹配,以及LC低通濾波器元器件的非線性。

電源抑制 (PSR): 在圖2所示的電路中,電源噪聲幾乎直接耦合到輸出揚聲器,具有很小的抑制作用。發生這種情況是因為輸出級電晶體通過一個非常低的電阻將電源連接到低通濾波器。濾波器抑制高頻噪聲,但所有音頻頻率都會通過,包括音頻噪聲。關於對單端和差分開關輸出級電路電源噪聲影響的詳細說明請參看深入閱讀材料3。

如果不解決失真問題和電源問題,就很難達到PSR優於10 dB,或總諧波失真(THD)優於0.1%。甚至更壞的情況,THD趨向於有害音質的高階失真。

幸運的是,有一些好的解決方案來解決這些問題。使用具有高環路增益的反饋(正如在許多線性放大器設計中所採用的)幫助很大。LC濾波器輸入的反饋會大大提高PSR並且衰減所有非LC濾波器失真源。LC濾波器非線性可通過在反饋環路中包括的揚聲器進行衰減。在精心設計的閉環D類放大器中,可以達到PSR > 60 dB和THD < 0.01%的高保真音質。

但反饋使得放大器的設計變得複雜,因為必須滿足環路的穩定性(對於高階設計是一種很複雜的考慮)。連續時間模擬反饋對於捕獲有關脈衝時序誤差的重要信息也是必需的,因此控制環路必須包括模擬電路以處理反饋信號。在集成電路放大器實現中,這會增加管芯成本。

為了將IC成本減至最低,一些製造商喜歡不使用或使用最少的模擬電路部分。有些產品用一個數字開環調製器和一個模數轉換器來檢測電源變化,並且用調整調製器進行補償,這可以參看深入閱讀資料3。這樣可以改善PSR,但不會解決任何失真問題。其它的數字調製器試圖對預期的輸出級時序誤差進行預補償,或對非理想的調製器進行校正。這樣至少會處理一部分失真源,但不是全部。對於音質要求寬鬆的應用,可通過這些開環D類放大器進行處理,但對於最佳音質,有些形式的反饋似乎是必需的。

調製技術

D類放大器調製器可以有多種方法實現,擁有大量的相關研究和智慧財產權支持。限於篇幅,在此從略。

EMI處理

D類放大器輸出的高頻分量值得認真考慮。如果不正確理解和處理,這些分量會產生大量EMI並且幹擾其它設備的工作。

兩種EMI需要考慮:輻射到空間的信號和通過揚聲器及電源線傳導的信號。D類放大器調製方案決定傳導EMI和輻射EMI分量的基線譜。但是,可以使用一些板級的設計方法減少D類放大器發射的EMI,而不管其基線譜如何。

一條有用的原則是將承載高頻電流的環路面積減至最小,因為與EMI相關的強度與環路面積及環路與其它電路的接近程度有關。例如,整個LC濾波器(包括揚聲器接線)的布局應儘可能地緊密,並且保持靠近放大器。電流驅動和迴路印製線應當集中在一起以將環路面積減至最小(揚聲器使用雙絞線對接線很有幫助)。另一個要注意的地方是當輸出級電晶體柵極電容開關時會產生大的瞬態電荷。通常這個電荷來自儲能電容,從而形成一個包含兩個電容的電流環路。通過將環路面積減至最小可降低環路中瞬態的EMI影響,意味著儲能電容應儘可能靠近電晶體對它充電。

有時,插入與放大器電源串聯的RF厄流線圈很有幫助。正確布置它們可將高頻瞬態電流限制在靠近放大器的本地環路內,而不會沿電源線長距離傳導。

如果柵極驅動非重疊時間非常長,揚聲器或LC濾波器的感應電流會正向偏置輸出級電晶體端的寄生二極體。當非重疊時間結束時,二極體偏置從正向變為反向。在二極體完全斷開之前,會出現大的反向恢復電流尖峰,從而產生麻煩的EMI源。通過保持非重疊時間非常短(還建議將音頻失真減至最小)使EMI減至最小。如果反向恢復方案仍不可接受,可使用肖特基(Schottky)二極體與該電晶體的寄生二極體並聯,以轉移電流並且防止寄生二極體一直導通。這很有幫助,因為Schottky二極體的金屬半導體結本質上不受反向恢復效應的影響。

具有環形電感器磁芯的LC濾波器可將放大器電流導致的雜散現場輸電線影響減至最小。在成本和EMI性能之間的一種好的折衷方法是通過屏蔽減小來自低成本鼓形磁芯的輻射。

LC濾波器設計

為了節省成本和PCB面積,大多數D類放大器的LC濾波器採用二階低通設計。圖3示出一個差分式二階LC濾波器。揚聲器用於減弱電路的固有諧振。儘管揚聲器阻抗有時近似於簡單的電阻,但實際阻抗比較複雜並且可能包括顯著的無功分量。要獲得最佳濾波器設計效果,設計工程師應當總是爭取使用精確的揚聲器模型。

常見的濾波器設計選擇目的是為了在所需要的最高音頻頻率條件下將濾波器響應下降減至最小以獲得最低帶寬。如果對於高達20 kHz頻率,要求下降小於1 dB,則要求典型的濾波器具有40 kHz巴特沃斯(Butterworth)響應(以達到最大平坦通帶)。對於常見的揚聲器阻抗以及標準的L值和C值,表1給出了標稱元器件值及其相應的近似Butterworth響應。

表1

如果設計不包括揚聲器反饋,揚聲器THD會對LC濾波器元器件的線性度敏感。

電感器設計考慮因素:設計或選擇電感器的重要因素包括磁芯的額定電流和形狀,以及繞線電阻。

額定電流:選用磁芯的額定電流應當大於期望的放大器的最高電流。原因是如果電流超過額定電流閾值並且電流密度太高,許多電感器磁芯會發生磁性飽和,導致電感急劇減小,這是我們所不期望的。

通過在磁芯周圍繞線而形成電感。如果繞線匝數很多,與總繞線長度相關的電阻很重要。由於該電阻串聯於半橋和揚聲器之間,因而會消耗一些輸出功率。如果電阻太高,應當使用較粗的繞線或選用要求繞線匝數較少的其它金屬材質的磁芯,用以提供需要的電感。

最後,不要忘記所使用的電感器的形狀也會影響EMI,正如上面所提到的。

系統成本

在使用D類放大器的音頻系統中,有哪些重要因素影響其總體成本? 我們怎樣才能將成本減至最低?

D類放大器的有源器件是開關輸出級和調製器。構成該電路的成本大致與模擬線性放大器相同。真正需要考慮的折衷是系統的其它元器件。

D類放大器的低功耗節省了散熱裝置的成本(以及PCB面積),例如,散熱片或風扇。D類集成電路放大器可採用比模擬線性放大器尺寸小和成本低的封裝。當驅動數字音頻源時,模擬線性放大器需要數模轉換器(DAC)將音頻信號轉換為模擬信號。對於處理模擬輸入的D類放大器也需如此轉換,但對於數字輸入的D類放大器有效地集成了DAC功能。

另一方面,D類放大器的主要成本缺點是LC濾波器。LC濾波器的元器件,尤其是電感器,佔用PCB面積並且增加成本。在大功率放大器中,D類放大器的總體系統成本仍具有競爭力,因為在散熱裝置節省的大量成本可以抵消LC濾波器的成本。但是在低成本、低功耗應用中,電感器的成本很高。在極個別情況下,例如,用於蜂窩電話的低成本放大器,放大器IC的成本可能比LC濾波器的總成本還要低。即使是忽略成本方面的考慮,LC濾波器佔用的PCB面積也是小型應用中的一個問題。

為了滿足這些考慮,有時會完全取消LC濾波器,以採用無濾波放大器設計。這樣可節省成本和PCB面積,雖然失去了低通濾波器的好處。如果沒有濾波器,EMI和高頻功耗的增加將會不可接受,除非揚聲器採用電感式並且非常靠近放大器,電流環路面積最小,而且功率水平保持很低。儘管這種設計在可攜式應用中經常採用,例如,蜂窩電話,但不適合大功率系統,例如,家庭音響。

另一種方法是將每個音頻通道所需要的LC濾波器元器件數減至最少。這可以通過使用單端半橋輸出級實現,它需要的電感器和電容器數量是差分全橋電路的一半。但如果半橋輸出級需要雙極性電源,那麼與產生負電源相關的成本可能就會過高,除非負電源已經有一些其它目的,或放大器有足夠多的音頻通道,以分攤負電源成本。另外,半橋也可從單電源供電,但這樣會降低輸出功率並且經常需要使用一個大的隔直流電容器。

ADI公司D類放大器

剛才討論的所有設計問題可以歸結到一個要求相當嚴格的項目。為了節省設計工程師的時間,ADI公司提供各種D類放大器IC,它們含有可編程增益放大器、調製器和功率輸出級。為了簡化評估,ADI公司為每種類型的放大器提供了演示板。這些演示板的PCB布線和材料清單可以作為切實可行的參考設計,從而幫助客戶迅速設計經過驗證、經濟有效的音頻系統而無須為解決D類放大器主要設計問題做「重複性的工作」。

例如,可以考慮使用AD19902,AD19923,AD19944和AD199655雙放大器IC系列產品,它們適合要求兩個通道每通道輸出達到5,10,25和40 W的中等功率的立體聲或單聲道應用。

致謝ADI公司Art Kalb先生和Rajeev Morajkar先生對本文的有益建議。

深入閱讀資料
1. International Rectifier, Application Note AN-978, 「HV Floating   MOS-Gate Driver ICs.」
2. Nyboe, F., et al, 「Time Domain Analysis of Open-Loop   Distortion in Class D Amplifier Output Stages,」 presented at the  AES 27th International Conference, Copenhagen, Denmark,  September 2005.
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