GIGABYTE推出全新Z370 AORUS Ultra Gaming 2.0主機板，相較舊版作出了多項升級，VRM供電由舊版4+3相大幅提升至8+3相設計，降低供電模組溫度並提升超頻穩定性，2.0版本追加M.2 SSD散熱器設計，加上RGB Fusion燈效同步、AMP-Up音效模組等，打算入手Intel Z370平臺玩家不容錯過。
技嘉Z370 AORUS超級遊戲2.0
針對主流級電競市場，GIGABYTE推出升級版Z370 AORUS Ultra Gaming 2.0型號，相較舊版Z370 AORUS Ultra Gaming，特別針對VRM供電部份作出強化，由4+3相供電提升至8+3相設計，令VRM運作溫度下降並提升超頻穩定性。此外，2.0新版亦追加M.2 SSD散熱器，能避免M.2 SSD因過熱導致性能下降與不穩。
GIGABYTEZ370 AORUS Ultra Gaming 2.0主機板採用ATX Form Factor 規格，尺寸為30.5cm x 24.4cm，黑、銀色配搭橘色線條襯託，型酷的I/O Cover 設計加上巨型PWM、系統晶片散熱器，增設M.2 SSD 散熱器設計，雖然是Z370 AORUS Gaming中最入門的型號，仍然擁有出色的周邊功能及Fusion RGB燈效。
Socket 1151v2處理器接口
採用LGA 1151v2 處理器介面，雖然外觀上與舊有Socket 1151 處理器相同，但腳位定義作出了改動，增加了18 個VCC 供電及14 個VSS 接地腳位，以滿足更多核心對供電的需求，只支援全新Coffee Lake 微架構、第8 代Intel Core 系列處理器，無法兼容舊有Skylake 及Kaby Lake 微架構產品。
受惠於Intel 第三代14nm++ 製程及晶片線路重新布局， Coffee Lake 微架構是Intel 首代主流處理器搭載6 核心配置，加上核心時脈的提升，成為近代Intel Core 主流級型號性能提升幅度最大的世代交替。
英特爾第八代核心系列
當中，最高階的Core i7-8700K 處理器Boost Clock 高達4.7GHz ，是Intel 目前為止預設Boost Clock 最高的產品， 所有支援Turbo Boost 的型號均達4GHz 或以上，時脈的提升帶來更直接的性能提升。
英特爾第八代奔騰金牌系列
新增5 款入門至低階Coffee Lake 型號，包括Pentium Gold G5600、Pentium Gold G5500 及Pentium Gold G5400，以及Celeron G4920、Celeron G4900，續漸取代舊有的Pentium G4600 系列與Celeron G3900 系列。
英特爾第八代賽揚系列
Intel Z370系統晶片
採用Intel Z370 系統晶片，基本上 Z370 在硬體設計層面上與Z270 系統晶片完全相同，只有儲存技術提升至Rapid Storage Technology 16 版本，並支援CPU PCIe Lanes 的NVMe SSD 組成RAID 0 模式，但這些功能提升並非由晶片層面提供。
相較其他Intel 300系列晶片組，Intel Z370支援CPU超頻可配合K系列處理器提供不鎖倍頻功能，同時亦提供記憶體超頻功能最高可達DDR4-8400，對於喜歡超頻及追求性能的玩家，選擇Intel Z370平臺將會更為理想。
英特爾300系列晶片組比較
支援DDR4-4000 OC XMP
記憶體支援方面，Z370 AORUS Ultra Gaming 2.0主機板提供4 個DDR4 DIMM 插槽，支援Dual Channel 記憶體技術與Intel XMP 2.0 記憶體技術，最高可支援64GB 記憶體容量。特別加入不鏽鋼記憶體插槽設計，單件全包覆式不鏽鋼防護插槽，能大幅強化DIMM 插槽強度外，還能降低記憶體模組的電磁幹擾，插槽之間加入LED 導光條，運作時會發出RGB 燈效，非常型酷。
記憶體速度方面，官方規格支援最高DDR4-4000 XMP速度，筆者採用G.SKILL DDR4-3600 CL16 16GB Kit記憶體，成功超頻至DDR4-4133 CL21-31-31並完成壓力測試，表現令人滿意。
升級8+3 相數位供電
供電方面，GIGABYTE特別針對Z370 AORUS Ultra Gaming 2.0作出強化，由舊版7相提升至2.0版本的11相數位供電設計，其中8 相位獨立負責CPU vCore 供電，另外3 相位則負責CPU SoC 供電，以應付繁重運算及超頻需求，每相位供電可更平均承擔負載，降低每相的溫度、提升元件壽命及穩定性。
採用Intersil 95866 數位PWM 控制晶片，提供精確及更高效率的供電控制，每相位供電由ON Semiconductor 4C06N + 4C10N Low RDs(on) MOSFET 組成。
(左) Intersil 95866 VRM 控制晶片 (右) On Semi 4C06N+4C10N MOSFET
配搭GIGABYTE 自家訂製的合金雷電電感，能改善CPU vCore 電壓供應的穩定性，改善電源轉換減低廢熱產生，配搭日本制Durable Black 10K 系列固態電容，在105C 可具備至少1萬小時使用壽命，在嚴苛的環境下仍能保持正常運作。
( 左) Durable Black 10K 系列固態電容( 右) 訂製合金雷電電感
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