作為一家存儲晶片知名廠商，SK海力士最近的消息是喜憂參半，喜的是，SK海力士已開發出一種176層4D NAND快閃記憶體晶片，這種晶片具有更高的生產率和性能。是4D產品的第三代產品，該產品突出了業內每晶圓的最佳晶片數量，176層的512Gb TLC 4D NAND快閃記憶體樣品已於上個月提供給快閃記憶體控制器公司以製造解決方案產品。憂的是產能，因為11月29日，重慶SK海力士一韓籍員工出境後，在韓國仁川機場被檢出新冠病毒核酸陽性，重慶SK海力士全線停產幾天，導致產能受損。
近日，無錫高新區集成電路產業迎來了總投資14億美元的項目，它就是SK海力士的M8項目，前幾日正式投產。無錫副市長、高新區黨工委書記、新吳區委書記蔣敏表示，近年來，SK海力士在省市各級領導的關心支持下呈現高速發展的良好態勢，累計總投資近200億美元，成為我省外商投資項目中最為成功和最具活力的典範之一，為無錫高新區打造千億級集成電路產業集群奠定了堅實基礎天M8項目正式投產，為全球集成電路項目建設又樹立了一個標杆，把SK海力士與無錫的合作發展推向了新的高度，也標誌著無錫集成電路產業發展又邁出了新的步伐。
（圖片源於sk hynix）
SK海力士無錫新廠相關工作人員介紹介紹，M8項目是指海辰半導體（無錫）有限公司和SK海力士系統集成電路（無錫）有限公司共同投資建設的8英寸非存儲晶圓項目。項目投產後將月產11.5萬枚8英寸晶圓片，遠高於國內外其他企業月產5萬枚的平均水平。
在全球8英寸晶圓需求爆發的情形下，M8項目擁有稀缺的高性能8英寸設備及一流的技術，可以生產57納米-500納米不同產品，有助於緩解目前國內8英寸晶圓產能不足、供不應求的局面，推動國內IC設計業穩定有序發展。M8項目落戶無錫並順利投產有利於鞏固無錫中國微電子產業南方基地的地位，更將助力無錫成為世界一流的綜合半導體產業樞紐。
儘管全球存儲市場近年來遇到了產能爆滿的困境，增長瓶頸逐漸顯現，但是，大廠仍然在擴產，似乎想用產能撐死對手。上周三，鎧俠宣布計劃擴大其在北上的生產基地，建立一個名為K2的新生產設施。這是鎧俠在不到兩個月的時間裡發布的第二份工廠聲明，表明該公司對未來幾年3D NAND快閃記憶體需求的增長充滿信心。如果鎧俠的擴張計劃按計劃進行，兩個新的晶圓廠將在2023到2024年的某個時間上線。鎧俠和它的合作夥伴西部數字正在日本巖手縣北上縣的K1工廠加速96層BiCS 3D NAND內存的生產。按規模計算，Fab K1是世界上最大的合資工廠，其無塵室將分四期建成。今年早些時候，兩家公司開始了K1期3D NAND的商業化生產，預計在此期間產量將會增加。同時，K1將隨著時間的推移增加三個潔淨室階段。
據悉，鎧俠想要生產3D NAND，因此將開始為其K2工廠在現有場地附近準備136,000平方米的面積。準備工作將於2021年春季開始，預計2022年春季完成。如果鎧俠決定在2022年初開始建造殼牌大廈，那麼建築將在2023年初完工，為設備的移入做好準備。一般來說，安裝一個無塵室並開始商業化生產需要1到1.5年的時間，因此，如果鎧俠按照其典型的工廠建設進度，K2可能在2024年開始運營。
三星也在近期開啟了擴產的步伐，三星計劃明年將加碼10兆韓元用於擴大半導體製造能量，鎖定提升DRAM、NAND晶片與晶圓代工產能。市場解讀，三星布局，意在與SK海力士、美光、臺積電等同業的競爭。三星的相關投資主要在平澤工廠，擴產後，三星DRAM月產能將增加3萬片、NAND增加6萬片、晶圓代工增加2萬片。有內部人士透露，三星近期擴大採購極紫外光設備，更規劃在韓國華城、平澤以及美國德州奧斯丁等城市建立EUV產線，做7納米與5納米以下晶片生產基地。這個消息也印證了三星的擴產計劃。
可能是這些大廠嗅到了漲價的味道，開啟擴產搶佔市場。隨著晶圓代工產能緊缺，晶片廠排隊加價大搶產能，晶圓、上遊材料和代工漲價，電子產業鏈似乎趨勢向好。三星和SK海力士、鎧俠的擴產又顯得很合理。近日，有消息人士透露，國巨在臺灣地區有新擴產項目，另外，三星、村田、太陽誘電等客戶均在中國有不同程度擴產。
意義非凡，無錫和SK海力士共贏
據悉，SK海力士前身為1983年成立的現代電子產業株式會社，2012年被SK集團收購以後正式更名為SK海力士株式會社。SK海力士致力於生產DRAM、NAND Flash和CIS非存儲器為主的半導體產品。作為全球領先的半導體製造商，當前在韓國利川和清州、 中國無錫和重慶設有四個生產基地，並在全球16個國家和地區設立了銷售、研發等基地。
據了解，SK海力士半導體無錫市廠是世界一流的存儲器製造企業，公司主要產品為12英寸集成電路晶圓，應用範圍涉及個人電腦、伺服器、移動存儲等領域。
SK海力士和無錫的緣分在2004年就產生了。2004年，SK海力士與無錫市籤訂合作協議，SK海力士半導體（中國）有限公司就在2005年成立了。據介紹，SK海力士半導體（中國）有限公司是由韓國SK海力士株式會社於2005年4月投資設立的半導體製造工廠，主要生產12英寸半導體集成電路晶片。
據悉，SK海力士公司在無錫進行了多次增資技術升級，累計投資額約200億美元，已成為江蘇省單體投資規模最大、技術水平最高、發展速度最快的外資企業。SK海力士無錫廠已成為江蘇省單體投資規模最大、技術水平最高、發展速度最快的外資投資企業，更成為韓國高科技企業在中國、江蘇投資合作經營的成功典範。
SK海力士System IC，其前身SK海力士代工業務部從2010年起開始代工業務。隨著第四次工業革命的來臨，專門生產晶片的代工業務也在快速成長。為了迅速應對市場的快速變化，SK海力士System IC於2017年7月擺脫SK海力士傳統的內存供應結構「少品種大批量生產」，而建立適合System IC的「多品種少批量生產」體系。
2018年8月，韓國SK海力士System IC公司在無錫新吳區內，獨資設立了SK海力士系統集成電路（無錫）有限公司，並設立SK海力士的無錫銷售總部，佔地面積18萬平方米。一期項目投資2.75億美元。公司將持續不斷加大投資，提高技術、生產及質量水平，致力發展成為世界一流System IC半導體公司。公司經營範圍包括生產、銷售、進出口集成電路、電子元件及上述產品零部件，並提供相關技術服務。公司還在籌備當中，2019年下半年竣工後，開始安裝半導體設備並投產樣品。
2018年，SK海力士實現產能177萬片晶圓，實現銷售額135億元(人民幣，下同)，淨利潤達9.5億元，設備進口額達358.5億元，員工總數約4600名。
2019年4月18日，SK海力士半導體(中國)有限公司(下簡稱「SK海力士」)舉行主題為「芯的飛躍、芯的未來」的竣工儀式，宣布SK海力士二工廠項目竣工。為確保在全球半導體行業的領先地位，全球排名第二的DRAM半導體生產商SK海力士株式會社於2017年6月決定在江蘇無錫實施SK海力士二工廠項目。SK海力士生產的12英寸DRAM晶圓，以20納米級的技術引領全球半導體行業。
據了解，SK海力士獨立出來的SK海力士System IC清州M8廠，產能為10萬片8寸晶圓，主要產品為面板驅動IC(DDI)、電源管理IC(PMIC)、CMOS影像感測器(CIS)。M8廠最大客戶為LG，替LG代工生產液晶屏幕的DDI。M8也替韓廠Silicon Works,Silicon Mitus製造PMIC，並為SK海力士生產CIS。
2020年8月28日，由江蘇省政府投資基金與SK海力士(無錫)投資有限公司、聯想控股、無錫市、無錫高新區聯合發起的君海榮芯基金在無錫市舉行籤約儀式。君海榮芯基金是江蘇省政府投資基金首支與外資合作的子基金，基金規模20億元，將依託SK海力士(無錫)投資有限公司、聯想控股的資源優勢和基金管理團隊的專業優勢，聚焦江蘇省信息科技產業的重點領域和關鍵環節開展投資。該基金的成立對推進蘇南國家自主創新示範區建設、打造江蘇信息科技和物聯網先進位造業集群、提升江蘇省信息科技產業核心競爭力具有重要意義。
2020年12月12日，無錫高新區集成電路產業又傳來喜訊，總投資14億美元的M8項目正式投產。M8項目正式投產，為全球集成電路項目建設又樹立了一個標杆，把SK海力士與無錫的合作發展推向了新的高度。對於無錫SK海力士投產的意義，蔣敏表示，「我們將加快提高集成電路產業基礎高級化和產業鏈現代化水平，努力把無錫建設成為中國集成電路產業集聚區和世界集成電路產業高地，打造成為有完整環節、有核心技術、有規模效應、有競爭優勢的世界級集成電路產業鏈。」
除了無錫廠區，SK海力士在重慶也有廠，那就是SK海力士半導體(重慶)有限公司在中國重慶創立2014年，SK海力士半導體（重慶）有限公司投入試生產及量產，重慶廠位於重慶市沙坪垻區西永綜合保稅區B區，佔地面積28萬平方米，一期項目投資3.3億美元，主要經營半導體產品的探針測試、封裝，封裝測試和模組裝配等。
近年來，SK海力士在原有DRAM生產線的基礎上實施擴建工程，意在通過確保半導體微細化工藝轉換所需空間，強化企業競爭力。SK海力士一位發言人對於擴產計劃表示：「這是一個長期的投資計劃，我們的策略可能會根據市場情況而改變。」製造DRAM和下一代晶片的工廠計劃隨著晶片製造商為5G和人工智慧、物聯網等新技術的需求激增做好準備。