今日推薦！專業人士必備微信號
▼
芯 榜 中 國 芯 片 排 行 榜
推薦：
來源：IP Liberator
這幾天多篇文章爆出了「中芯國際涉軍」，已被美國列入黑名單，深知信息搬運工的責任重大，秉著「不忘初心，牢記使命」的宗旨，外加周末有點自我安排的時間，所以也就有了本篇文章，另外作為模擬IC設計師，還是很有必要知道國內有哪些集成電路代工廠+工藝節點+工藝特徵，畢竟我也是填過坑的人，項目指標來了首先需要確定的就是工藝，選擇不當來回折騰也是難以避免，不廢話上內容了。
1、中芯國際（SMIC）
序列
公司
工藝特徵
1
中芯國際
（SMIC）
先進邏輯技術
14nm
2019年第四季度進入量產，應用於5G、高性能計算、人工智慧、物聯網、消費電子及汽車電子等新興領域。
成熟邏輯技術
28nm
2013年第四季度推出，28納米技術包含傳統的多晶矽（PolySiON）和後閘極的高介電常數金屬閘極（HKMG）製程。
28納米工藝製程主要應用於智慧型手機、平板電腦、電視、機頂盒和網際網路等移動計算及消費電子產品領域。
核心 Vcc (V)：0.9V。
40nm
40納米標準邏輯製程提供低漏電(LL)器件平臺，核心組件電壓1.1V，涵蓋三種不同閾值電壓，以及輸入/輸出組件 2.5V電壓(超載 3.3V，低載 1.8V)以滿足不同的設計要求。40納米邏輯製程結合了先進的浸入式光刻技術，應力技術，超淺結技術以及低介電常數介質。
適用於場景廣泛，如：手機基帶及應用處理器，平板電腦多媒體應用處理器，數位電視，機頂盒，遊戲及其他無線互聯應用，正在研發的可工作在0.9v電壓下的40納米超低功耗產品更是為IoT應用場景量身打造。
65nm/55nm
65納米/55納米技術的工藝元件選擇包含低漏電和超低功耗技術平臺。此兩種技術平臺都提供三種閾值電壓的元件以及輸入/輸出電壓為1.8V，2.5V和3.3V的元件，而形成一個彈性的製程設計平臺。此技術的設計規則、規格及SPICE模型已完備。55納米低漏電/超低功耗技術和65納米低漏電技術重要的單元庫已完備。
主要面向高性能、低功耗的應用場景，如移動應用和無線應用。
90nm
中芯90納米製程採用Low-k材質的銅互連技術，生產高性能的元器件。可為客戶量身定做， 達到各種設計要求，包括高速，低耗，混合信號，射頻以及嵌入式和系統集成等方案；
單元庫，IP及輸入/輸出接口等可通過我司的合作夥伴獲得；
90納米低漏電器件(1.2V)和90納米低漏電器件(1.0V)；
可滿足多種應用產品如無線電話，數位電視，機頂盒，移動電視，個人多媒體產品，無線網絡接入及個人計算機應用晶片等對低能耗，卓越性能及高集成度的要求。
0.13/0.11μm
和0.15微米器件的製程技術相比，0.13微米工藝能使晶片面積縮小25%以上，性能提高約30%。與0.18微米製程技術比較，晶片面積更可縮小超過50%，而其性能也提高超過50%。
中芯的0.13微米製程採用全銅製程技術。核心電壓為 1.2V以及輸入 / 輸出電壓為 2.5V 或 3.3V的組件。
同時可提供0.13/0.11微米的單元庫，內存編譯器，輸入輸出接口和模擬IP，應用產品包括快閃記憶體控制器、媒體播放器等。
0.15μm
0.15微米工藝技術包括邏輯、混合信號，高壓，BCD，並提供廣泛的單元庫和IP的支持。
在 0.15 微米技術節點上可提供低成本的移動/消費應用和汽車和工業應用產品。
0.18μm
0.18微米為消費性、通訊和計算機等多種產品應用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳選擇。此外，它也在嵌入式內存、混合信號及CMOS射頻電路等應用方面為客戶提供靈活性的解決方案及模擬。
此工藝採用 1P6M（鋁）製程，特點是每平方毫米的多晶矽門電路集成度高達100,000門以及有1.8V、3.3V和5V三種不同電壓，供客戶選擇。
0.18 微米工藝技術包括邏輯、混合信號/射頻、高壓、BCD、帶電可擦除只讀存儲器以及OTP等。這些技術均有廣泛的單元庫和智能模塊支持。
在 0.18 微米技術節點上可提供低成本、經驗證的智慧卡、消費電子產品以及其它廣泛的應用類產品。
0.25μm
0.25微米技術能實現晶片的高性能和低功率，適用於高端圖形處理器、微處理器、通訊及計算機數據處理晶片。同時提供0.25微米邏輯電路和3.3V和5V應用的混合信號/CMOS射頻電路。
該工藝可應用於智慧卡、消費性產品以及其它多個領域。
,0.35μm
0.35微米製程技術包括邏輯電路，混合信號/CMOS射頻電路、高壓電路、BCD、 EEPROM和OTP晶片。這些技術均有廣泛的單元庫和智能模塊支持。
提供成本優化及通過驗證的0.35微米工藝解決方案，可應用於智慧卡、消費性產品以及其它多個領域。
特殊工藝
電源/模擬
Analog&Power（0.35微米、0.18微米和0.15微米等）
技術簡介：中芯國際的電源和模擬技術基於現有的低功耗邏輯平臺可提供模塊架構，為模擬和電源應用提供了較低的成本和優越的性能。該技術包括雙極電晶體、高壓LDMOS電晶體、精密模擬無源器件和eFuse/OTP/MTP非易失性存儲器，同時提供有競爭力的Rds(on)功率器件。中芯國際的8寸廠擁有世界級的缺陷管控，可和全球的合作夥伴一起提供完整的一站式服務。 這些技術已經主要集中在0.35微米、0.18微米和0.15微米等技術節點上，並具有業界領先的模擬和功率器件。
應用產品：該技術的目標是具有成本效益的智慧型手機、平板電腦及消費電子產品，如電池管理，DC-DC，AC-DC，PMIC，快速充電器，電機控制器，以及汽車和工業應用。
高壓工藝平臺用於顯示面板驅動IC(DDIC)（0.3微米、0.16微米、0.15微米、95納米、55納米、40納米）
技術簡介：驅動IC是控制液晶面板及AMOLED面板開關及顯示方式的集成電路晶片。隨著面板顯示解析度及數據傳輸速度的提高，其對驅動晶片的要求也不斷提高。中芯國際持續開發更先進的高壓工藝平臺，包含大尺寸及中小尺寸面板IC,並提供具競爭力的SRAM單元尺寸，以滿足客戶多方面的設計要求。中芯國際提供95納米 高壓平臺，該平臺的技術性能優越，具備超低功耗的特性來支持可穿戴式設備的應用，具備eNVM來支持in-cell面板的技術，可廣泛應用於面板驅動，in-cell面板及AMOLED面板等。
應用產品：中芯國際高壓工藝為計算機和消費類電子產品以及無線通訊LCD/AMOLED顯示面板驅動等廣泛應用領域提供一個經濟有效的平臺。
絕緣柵雙極型電晶體IGBT
（600V~1200V）
技術簡介：IGBT是一種新型電力半導體器件的平臺性器件，具有高輸入阻抗，低導通壓降，驅動電路簡單，開關速度快，電流密度大等優點。中芯集成電路製造（紹興）有限公司是中芯國際的合資公司。IGBT平臺從2015年開始建立，著眼於最新一代場截止型（Field Stop）IGBT結構，採用業界最先進及主流的背面加工工藝，包括Taiko背面減薄工藝、溼法刻蝕工藝、離子注入、背面雷射退火及背面金屬沉積工藝等。已完成整套深溝槽（Deep Trench）+薄片（Thin Wafer）+場截止（Field-Stop）技術工藝的自主研發，並相應推出600V~1200V等器件工藝，技術參數可達到業界領先水平。
應用產品：可廣泛應用於工業變頻、白色家電、軌道交通、電動汽車、智能電網、風力發電和太陽能等行業。
嵌入式非揮發性記憶體平臺助力智慧卡和微處理器應用
eNVM（0.35微米到40納米）
技術簡介：中芯國際擁有公認的製造能力，可以提供具有成本競爭力的嵌入式非揮發性記憶體平臺，包括一次性可編程技術, 多次性可編程技術,嵌入式電可擦除只讀存儲器技術和嵌入式快閃記憶體技術。技術節點覆蓋從0.35微米到40納米。這些嵌入式非揮發性存儲技術提供高性能，低功耗與卓越的耐久性和資料保存性能。
應用產品：中芯國際提供了完整的嵌入式非揮發性存儲技術與廣泛IP支持，可應用於智慧卡、微處理器和物聯網應用。這些工藝可提供客戶製造出具有成本效益，低功耗，高可靠性的產品，和更具經濟效益的解決方案。
非易失性存儲器NVM
（38納米以及24納米快閃記憶體技術，從0.18微米到65納米的ETOX NOR快閃記憶體技術解決方案）
技術簡介：中芯國際擁有公認的製造能力，可以提供具有成本競爭力的38納米以及24納米快閃記憶體技術。中芯國際還提供了從0.18微米到65納米的ETOX NOR快閃記憶體技術解決方案 。這些工藝可提供客戶製造出具有低成本效益，低功耗，高可靠性和耐久性的產品。
應用產品：通信與數據處理：記憶卡和USB棒，手機，行動裝置…
消費電子：STB/OTT，MP3，可穿戴設備，玩具和遊戲，數位電視…
工業電子：監控、智能儀表、自動化和機器人…
混合信號/射頻工藝技術Mixed Signal&RF
（28納米, 40納米, 65/55納米, 90納米,0.13/0.11微米, 0.18微米）
技術簡介：中芯國際提供與邏輯工藝兼容的混合信號/射頻工藝技術，通過與國際領先EDA工具供應商的合作，中芯國際提供精確的RF SPICE模型和完整的PDK工具包，涵蓋從0.18微米工藝到28納米PolySiON工藝。
應用產品：這一系列工藝技術用於射頻和無線互聯晶片製造並被廣泛應用於消費電子，通信，計算機以及物聯網等市場領域。
MEMS傳感器
（MEMS麥克風，慣性傳感器）
技術簡介：中芯國際的MEMS方案主要集中在兩大主流應用領域：第一種為開放式結構，例如MEMS麥克風，目前已經進入量產；第二種為封閉式結構，例如慣性傳感器，於2016年第二季度進入量產。
應用產品：矽麥克風、加速度計、陀螺儀、壓力傳感器、顯微鏡、超聲波傳感器、射頻器件。
物聯網應用平臺
IoT Solutions
（0.18微米到28納米）
技術簡介：通過不斷優化成熟工藝平臺，中芯國際提供完整的一站式物聯網（Internet of Things, IoT）工藝、製造和晶片設計服務，並攜手集成電路生態鏈合作夥伴，為設計公司生產物聯網智能硬體相關晶片產品，用於智能家居、能源、安防、工業機器人、可穿戴式設備、汽車、交通、物流、環境、智能農業、健康監護及醫療等多個領域。作為中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業，中芯國際能夠提供專業、安全、完整的本土化服務，幫助設計公司縮短入市時間，降低成本，在蓬勃發展的物聯網市場中佔據有利地位。
物聯網基礎技術平臺：超低功耗+射頻+嵌入式快閃記憶體
物聯網產品通常具有功能多樣性以及快速的上市響應等特點，產品結構以傳感、微處理、存儲、互聯為主，注重微小體積和超低功耗。中芯國際提供0.18微米到28納米的低功耗邏輯及射頻工藝，結合嵌入式快閃記憶體，設計公司可在智能家居、可穿戴式設備、智慧城市等各類物聯網產品上優化安全性能和成本結構。
（1）超低功耗邏輯及射頻技術平臺
95ULP - 中芯國際推出了95超低功耗技術平臺。在8英寸工藝平臺提供業界最高密度最小面積的SRAM，具備極低的漏電流、功耗和寄生電容。55ULP - 在12英寸工藝平臺上, 中芯國際同時提供55 超低功耗技術。以95ULP和55 ULP為主要超低功耗技術節點，通過進一步降低產品操作電壓、工藝器件優化和IP設計優化，極大減低產品的動態功耗和靜態功耗，延長系統待機時間和使用效率。
（2）低漏電嵌入式快閃記憶體平臺
中芯國際提供0.13微米和55納米低漏電嵌入式快閃記憶體(embedded Flash)工藝進一步整合內置存儲器。採用中芯國際55納米低功耗嵌入式快閃記憶體技術的智慧卡晶片已成功進入穩定量產。
（3）全面的物聯網生態系統
除了自身的工藝技術平臺以外，中芯國際還積極創建全面的物聯網IP/Subsystem生態系統。通過與國內外眾多IP合作夥伴建立的良好合作關係，中芯國際可在射頻、基帶、嵌入式快閃記憶體、CPU 和DSP IP核、基礎單元庫IP、電源管理類IP、信息安全類IP和模擬接口類IP等方面提供完備的、高質量的IP和設計服務，並面向新應用提供語音、圖像處理、低功耗廣域連接等類型的生態系統。
汽車電子Automotive
（0.18微米到40納米）
技術簡介：中芯國際依據IATF 16949質量管理體系標準以及AEC-Q100測試要求對汽車電子晶片進行嚴格的質量管控與可靠性驗證，通過持續的工藝改良實現品質卓越及生產零缺陷的目標，並多次通過國際知名汽車客戶基於VDA 6.3要求的審核且獲得認可。
應用領域：中芯國際致力於為客戶提供汽車電子三大領域裡最優質、最可靠的工藝平臺。
2、華虹宏力
2
華虹宏力
嵌入式非易
失性存儲器
0.25μm ~ 0.13μm eFlash工藝平臺
華虹宏力擁有兩套嵌入式非易失性快閃記憶體存儲器工藝平臺： 其一為自對準浮柵快閃記憶體技術的工藝平臺，涵蓋0.25μm、0.18μm、0.13μm。 其二為0.13μm的SONOS工藝平臺，提供業界最具競爭力的快閃記憶體IP，具備高可靠性，可重複擦寫30萬次以上，數據保持大於100年。此兩套工藝平臺均經過大規模量產驗證，可以定製各種高速，低功耗以及低成本解決方案的IP，針對觸控需求，華虹宏力提供創新的單晶片高壓解決方案—0.13μm-32V工藝平臺。該工藝基於成熟的0.13μm嵌入式快閃記憶體平臺，集成了HV CMOS （32V）器件，兼容原平臺上各種容量的嵌入式快閃記憶體/EEPROM，SRAM，完整的模擬IP，高性能的IO庫和低功耗數字單元庫，目前，該平臺在熱點觸控類應用領域得到了廣泛的認可，超過上萬片出貨。
0.35μm ~ 90nm eEEPROM工藝平臺
華虹宏力擁有三套嵌入式電可擦只讀存儲器工藝平臺：其一為自對準浮柵技術的工藝平臺，涵蓋0.13μm、90nm； 其二為0.13μm的SONOS工藝平臺；其三為前道0.5μm、後道0.35μm/0.25μm的浮柵工藝平臺；作為領先的智慧卡晶片代工提供商，華虹宏力的代工產品涵蓋電信卡、U-key、社保卡、身份證卡、銀行卡以及眾多安全晶片。
0.5μm ~ 0.11μm eOTP/eMTP工藝平臺
為客戶提供最完整和最高性價比的8位MCU的代工方案：
5V與3.3V單電壓工藝平臺提供高性價比解決方案，廣泛用於電池、小家電，玩具，遙控器等各類MCU，完整的IP組合與經驗豐富的設計團隊，助力客戶快速切入高性能、低功耗MCU領域。
邏輯與混合信號
90nm低漏電邏輯與混合信號工藝平臺
在趨近於業界通用90nm的物理尺寸上延續1.5V低漏電技術，支持最多七層鋁互聯層，搭配高密度工藝庫，為低功耗設計提供更為經濟的解決方案，提供高阻值多晶矽電阻，MIM電容。
0.13μm及其縮小化的邏輯與混合信號工藝平臺
支持最多七層鋁互聯層，提供1.2V通用工藝和1.5V、1.8V 低漏電工藝，並搭配高密度工藝庫，支持多閾值電壓，提供高阻值多晶矽電阻，MIM電容。
0.18μm及其縮小化的邏輯與混合信號工藝平臺
支持最多六層金屬互聯層，提供1.8V通用工藝和1.8V低漏電工藝，並搭配高密度工藝庫，支持多閾值電壓，提供高阻值多晶矽電阻，MIM電容，提供廣泛的IP支持，包括OTP/MTP、常用的模擬IP及接口IP
0.5μm 5V與0.18μm 3.3V，5V混合信號工藝平臺
支持最多四層金屬互聯層
極具競爭力的光罩層數以及緊湊的電路設計規則
提供高阻值多晶矽電阻，MIM電容，厚頂層金屬電感和OTP/MTP等
射頻
0.13μm/0.18μm SiGe Bipolar/BiCMOS工藝平臺
採用創新的HBT結構，提供了性能和成本的完美結合，已申請超過400項發明專利，提供豐富工藝選項、傑出的性能，並以持續不斷的技術開發來更靈活地支持客戶產品設計，提供精準的模型和完整的設計工具套件，可根據客戶需要提供定製服務，以增強客戶競爭力。
0.13μm RF CMOS工藝平臺
與0.13μm通用邏輯工藝平臺完全兼容，支持最多七層鋁互聯層，支持多閾值電壓，提供高阻值多晶矽電阻，MIM電容，變容二極體，厚頂層金屬電感，提供完全可擴展參數的設計工具套件。
0.18μm RF CMOS工藝平臺
與0.18μm通用邏輯工藝平臺完全兼容，支持最多六層金屬互聯層，支持多閾值電壓，提供高阻值多晶矽電阻，MIM電容，變容二極體，厚頂層金屬電感，提供完全可擴展參數的設計工具套件。
0.2μm SOI RF CMOS工藝平臺
專為無線射頻前端開關應用優化定製，提供2.5V器件，具有更低的開關插入損耗、更高的隔離度和更好的線性度，提供針對射頻性能和晶片面積同時進行優化的便利的設計工具(PDK)，提供PSP model。
電源管理IC
0.35μm BCD工藝平臺 (BCD350G/BCD350GE)
基於0.35μm 5V CMOS工藝，提供高性能BJT與LDMOS，其中LDMOS可同時支持5V與12V的Vgs，且Vds最高可達40V，支持最多四層金屬互聯層，並提供豐富的器件選項，包括高Rsh多晶矽電阻，低溫度係數多晶矽電阻，MIP電容，肖特基二極體，低溫度係數齊納二極體，JFET，5V、20V和40V耗儘管，低飽和壓降BJT，厚頂層金屬和OTP等
提供完整的工藝庫與完全可擴展參數的設計工具套件，BCD350GE在原有量產的BCD350G工藝基礎上，進一步降低了LDMOS的比導通電阻，減少了光罩層數。
0.18μm BCD工藝平臺 (BCD180G)
基於0.18μm 1.8V/5V標準CMOS工藝，提供高性能BJT與LDMOS，其中LDMOS支持5V Vgs與最高可達40V的Vds
支持最多六層金屬互聯層，並提供豐富的器件選項，包括高Rsh多晶矽電阻，MIM電容，肖特基二極體，低溫度係數齊納二極體，JFET，5V、20V和40V耗儘管，低飽和壓降BJT，厚頂層金屬和OTP/MTP等，提供完整的工藝庫與完全可擴展參數的設計工具套件。
0.35μm CDMOS工藝平臺 (PMU350G)
基於0.35μm 3.3V/5V CMOS工藝，提供高性能BJT與LDMOS，其中LDMOS支持5V Vgs與最高可達40V的Vds
支持最多四層金屬互聯層，並提供豐富的器件選項，包括高Rsh多晶矽電阻，低溫度係數多晶矽電阻，MIP電容，低溫度係數齊納二極體，JFET，5V、20V和40V耗儘管，低飽和壓降BJT，厚頂層金屬和OTP等，提供完整的工藝庫與完全可擴展參數的設計工具套件。
0.13μm CDMOS 工藝平臺
基於0.13μm 1.8V/5V CMOS工藝，提供可同時支持5V與12V Vgs的LDMOS，且Vds最高可達40V，支持最多五層金屬互聯層，並提供豐富的器件選項，包括高Rsh多晶矽電阻，MIM電容，高壓BJT，齊納二極體，厚頂層金屬等，提供高可靠性的eFlash/eEEPROM，其數據保存能力超過10年，擦寫能力可達20萬次以上，極具競爭力的比導通電阻有助於縮減晶片面積，提供完整的工藝庫，完全可擴展參數的設計工具套件，以及模擬IP與接口IP。
1μm 700V CDMOS 工藝平臺 (BCD 700V)
6V CMOS，6V柵電壓 提供40V到700V的LDMOS，集成的700V MOSFET具有業界領先的比導通電阻，有助於縮減晶片面積，提供靈活的模塊化工藝輔以相應的設計工具套件，便於客戶根據需要進行版圖設計，縮短設計周期，另外提供高壓JFET，高值多晶矽電阻，電容，齊納二極體等多種選項，方便客戶靈活設計。
0.8μm 5V/40V HVCMOS 工藝平臺
5V和40V柵電壓 提供5V CMOS 和40V的對稱與非對稱結構HVCMOS，可選擇的隔離30V NMOSFET可用於橋式驅動
提供靈活的模塊化工藝輔以相應的設計工具套件，便於客戶縮短設計周期，另外提供高值多晶矽電阻，MIP電容，齊納二極體，多晶熔斷等多種選項，方便客戶靈活設計，數萬片的穩定出貨量。廣泛用於顯示屏的源驅動，開關電源的PWM和PFC控制器，LED照明驅動IC。
0.5μm/0.35μm 5V CMOS工藝平臺
(CZ6H+/CZ6L+) 與0.35μm 7V CMOS工藝平臺(CZ6-7V)
CZ6H+/CZ6L+是華虹宏力最成熟的模擬工藝平臺之一，有超過10年的量產經驗，擁有大量經過真實產品驗證過的成熟IP。它延續了邏輯器件的成熟穩定特性，並提供多種可供模擬電路設計的器件選擇，CZ6-7V是華虹宏力面向7V工作電壓而推出的另一模擬工藝平臺，主要目標產品應用包括低中壓的音頻功放和LDO、DC/DC等電源管理晶片。
0.18μm 5V CMOS工藝平臺
支持最多四層金屬互聯層，極具競爭力的光罩層數以及緊湊的電路設計規則，提供高阻值多晶矽電阻，MIM電容，厚頂層金屬電感和OTP/MTP等。
功率器件
Trench HV MOSFET
基於華虹宏力在過去累積的LV MOSFET經驗，華虹宏力成功開發了溝槽類型的600V MOSFET，並進入量產。華虹宏力創造性地將溝槽應用到600V的MOSFET上，與常規的平面型MOSFET相比，可以有效地降低開啟電阻10%以上，該技術的產品非常適合用於市電範圍的開關電源、AC/DC、適配器/充電器和LED照明等應用。
工作電壓範圍 400V ~ 700V
提供厚度低至60um的薄片技術
提供可用於直接焊接的背金
根據產品特性需求，提供客戶定製化服務
超級結MOSFET
基於華虹宏力在過去累積的MOSFET的經驗，華虹宏力成功開發了超級結結構的600-700V MOSFET，並進入生產。華虹宏力的超級結技術採用獨特的工藝，可以達到優於業界水平的性能和指標。該技術的產品非常適合用於市電範圍的開關電源、AC/DC、適配器/充電器和LED照明等應用。
IGBT
依託於華虹宏力在MOSFET和Super Junction方面累積的豐富的經驗，華虹宏力與客戶合作成功開發了基於溝槽結構的600V-1200V非穿通型和場截止型IGBT。該技術的產品非常適合用於新能源汽車、白色家電、電磁爐、馬達驅動、UPS、焊機、機車拖動、智能電網以及包括風電和太陽能等新能源應用。
1200V 非穿通型和輕穿通型IGBT
600V ~ 1200V 場截止型IGBT針對變頻家電應用
1700V ~ 6500V 場截止型IGBT (開發中)，瞄準業界高端工業及能源市場應用
汽車電子
0.13μm 嵌入式快閃記憶體 － 信息娛樂系統
0.25μm 嵌入式快閃記憶體 － 引擎及安全氣囊控制
0.18μm 嵌入式快閃記憶體 － 車用收音機及導航
0.35μm SONOS快閃記憶體 － 信息娛樂系統
0.35μm EEPROM - 車載動力/引擎數據等存儲
0.15μm 邏輯 － 語音系統
功率器件 － 油泵系統、AC/DC 轉換器
650V/750V/1200V IGBT －電動汽車逆變器
深溝槽超級結－ AC/DC 轉換器
3、華立微電子（HLMC）
3
華立微電子
（HLMC）
邏輯工藝
65/55納米
40納米
28納米
22納米
特殊工藝
圖像傳感器工藝
55納米
射頻工藝
55納米/40納米/28納米
高壓工藝
55納米/28納米
超低功耗工藝
55納米至22納米
嵌入式非易失性存儲器工藝
55納米
獨立式非易失性快閃記憶體工藝
65/55納米
IP
基礎IP：標準單元庫（Standard Cell Library）、靜態存儲器編譯器（Memory Compiler）、一次性可編程單元（OTP）、電熔絲（efuse）、I/O庫；
模擬/混合信號IP：ADC、BG、DAC、LDO、OSC、PLL、POR等；
高速接口/物理層IP：USB、DDR、LPDDR、MIPI、LVDS、PCIe、Serdes等物理層IP（PHY）；
特色類IP：eFlash Macro；
定製類IP：SRAM instance、各種特定需求Standard Cell Library
4、華潤上華（CSMC）
4
華潤上華
（CSMC）
Standard Analog
0.25μm 5V Salicide Analog
公司提供0.25um S/A 5V CMOS工藝，採用STI前端、0.25um後端和Salicide工藝。本平臺具有更小的器件尺寸，更低的導通電阻，更穩定的器件可靠性以及極具競爭力的光刻層次。為LDO、數字音頻功放、接口控制晶片等提供了優秀的解決方案。
0.35um 3V/5V MS
035MM是公司的標準數模混合工藝平臺。0.35微米柵長, 雙層多晶，四層金屬. 應用於模擬方面的工藝，提供兩種工作電壓，MOS電晶體，隔離電晶體，PIP電容，多晶高阻等工藝模塊。在設計規則和電晶體性能方面符合業界0.35微米CMOS工藝標準。詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，模擬和數字單元庫，IP以及開發工具包可以支持主要的EDA工具供應商提供的平臺。
0.5μm/0.35μm 5V Mixed-Signal & 7V LDO platform
0.5/0.35um是公司的標準數模混合工藝平臺。0.5微米柵長，0.35微米工藝後段，雙層多晶，四層金屬，應用於模擬方面的工藝，提供5VMOS電晶體，隔離電晶體，ONO電容，多晶高阻等工藝模塊。在設計規則和電晶體性能方面符合業界0.5微米CMOS工藝標準。詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，模擬和數字單元庫，IP以及開發工具包可以支持主要的EDA工具供應商提供的平臺。
Power IC
0.18um AB s-BCD G1 (7V-24V)
公司提供的0.18um Analog BCD體矽（非外延）工藝，擁有性能卓越的LDMOS/DECMOS表現以及精簡的光刻層次，為DC-DC Convertor、電源管理IC、手機背光碟機動、快充等應用提供了很好的解決方案。
0.25μm s-BCD G2 (12V-60V)
公司提供成熟量產的0.25μm s-BCD G2(12V-60V)工藝擁有性能卓越的LDMOS/DECMOS表現以及精簡的光刻層次，並提供獨有的厚柵氧HV器件，為馬達驅動、AC-DC/DC-DC Convertor、電源管理IC、快充等應用提供了很好的解決方案。
0.8μm 700V BCD G3S
0.8μm 700V BCD G3S是公司的標準高壓工藝平臺之一，是以較經濟的光刻層數實現700V高壓工藝，特別合適離線式電源（AC/DC）和LED 驅動產品設計，特徵為0.8μm前端/0.5μm後端，單層多晶，雙層金屬，工藝平臺提供常規及隔離的5V低壓CMOS、40V中壓CMOS器件、700V LDMOS、700V HV 耗儘管、700V JFET器件，以及多晶高阻和齊納二極體等器件。
1μm600V HVIC
公司提供的1μm 600V HVIC高壓浮柵工藝， 擁有200V/600V兩個檔位的NLDMOS/高壓隔離島。公司的高壓互聯自屏蔽技術榮獲兩項發明專利。為電機驅動、白色家電（IPM模塊）、大功率LLC、無人機等應用提供了很好的解決方案。
Mixed-Signal/RF
0.11 Ultra-low Leakage
公司 0.11 ULL採用了鋁互連技術，1P8M 架構，提供1.5V 內核器件及3.3V 輸入輸出器件，具備超低漏電特點，器件特徵Ioff (pA/um)<0.5。
0.11 ULL flash
公司 0.11 ULL flash 工藝是基於0.11 ULL工藝嵌入flash, 邏輯器件與ULL兼容。提供超低功耗模擬IP。
0.153μm CMOS EN (5V)
公司提供的0.153μm CMOS EN (5V)工藝擁有具成本效益的光刻層數和緊湊的設計規則，為可攜式設備電源管理、LED驅動和音頻PA等應用提供了很好的解決方案。
0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G
0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G
公司0.18um工藝是基於客戶對於Fab兼容目的而開發可廣泛應用的工藝。0.18um邏輯工藝可提供1.8V電壓core device、3.3V或者5V 電壓IO device， 並同時提供Native VT、Medium low VT器件、高性能電容、高精度poly電阻、可變電容器、電感等可選工藝可方便客戶電路設計。
Shrunk工藝可以有效的降低客戶成本，同時Shrunk工藝的器件特性同不Shrunk工藝非常接近。公司 0.162um工藝是0.18um 90% Shrunk工藝, 公司 0.153um工藝是0.18um 85% Shrunk工藝。
公司0.18um工藝提供OTP/MTP工藝，OTP/MTP 工藝同現有單多晶邏輯工藝平臺兼容，不需要額外增加光刻層次。
0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V)
公司提供的0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V)工藝擁有極具競爭力的光刻次數和緊湊的設計規則，為DC-DC、LED屏驅動、音頻功放、MCU等應用提供了很好的解決方案。
0.18μm e-Flash
公司提供的0.18μm e-Flash工藝兼容0.18um logic工藝，提供業界具有競爭力的快閃記憶體IP，高可靠性，低功耗和低成本，為智慧卡、各類屏接觸控制、MCU等應用提供了很好的解決方案。
Power Discrete
0.4μm 60V-100V 8" N/P-ch DMOS
中壓的Trench DMOS 工藝平臺成功量產，較低的導通電阻和較強雪崩能力，拓展了在電動工具、電動車、車載電器、太陽能逆變器、UPS、馬達驅動上的應用。
0.35um 20-30V 8" N/P-ch DMOS
0.2um 20-40V 8" N-ch DMOS
20~40V是公司的標準Trench DMOS 工藝平臺，主要應用於DC-DC SMPS電源管理，具有高密度和低通態電阻特性，並能夠提供完整的設計服務。
Normal Planar
50~1200V是公司的標準Planar DMOS 工藝平臺，主要應用於AC-DC SMPS電源管理，具有高效率和低通態電阻特性，並能夠提供完整的設計服務。
30V-45V SGT DMOS
新近開發成功的30V-45V的分立柵槽技術，採用電荷耦合的技術，極大地提升了單位面積的電流密度， 提升Rsp水平，減少柵極電荷。在快充和高效的同步整流中有廣泛的應用。
5、上海先進半導體（ASMC)/上海積塔半導體
略（暫沒查到）
6、和艦科技
7、三安光電
7
三安光電
晶圓代工製程
製程系列
主要用途
HBT (砷化鎵異質結雙極型電晶體)
H20HL (高線性製程)
手機，無線寬帶功率放大器
手機，無線寬帶低雜訊放大器增益器
H20HR (高韌性製程)
通訊信號切換器
通訊微波器件
pHEMT (砷化鎵偽型態高電子遷移率電晶體)
P25ED (增強/耗盡混合型)
增益器
P25PA (功率型)
通訊信號切換器
P25SW (低啟動阻抗型)
通訊微波器件
SiC SBD/MPS
( 碳化矽肖特基二極體）
快速回復肖特基二極體
綠能節能器件：
消費電子產品的電源轉換/反向器
GaN FET
（氮化鎵場效應電晶體）
耗盡型場效應三極體
汽車/交通工具使用電源轉換/反向器
增強型場效應三極體
工業用大功率電源轉換/反向器
VCSEL
垂直腔面發射雷射器
傳感器/3D人臉識別/HDMI
8、中科渝芯（非主流）
8
中科渝芯
CMOS
1.CM06，0.6m Analog CMOS
CM06工藝是中科渝芯高低壓兼容模擬CMOS工藝平臺。特別適合混合信號電路應用, 如電源管理(AC-DC / DC-DC)和 LED 驅動等相關產品設計， 工藝平臺特徵為0.6微米、雙多晶、雙柵氧、三層金屬布線，工藝平臺提供常規及隔離的5V低壓CMOS，15V/25V/40V/60V LDMOS 及其他高壓CMOS 器件，多晶高阻電阻(Poly-Resistance)，高壓三極體(BJT)，電容(Capacitance)等。CM06工藝平臺提供詳盡的設計規則、準確高溫模型、數字和模擬的標準單元庫、IP和設計包支持主要的EDA軟體工具。
工藝特徵：
雙層多晶，3層金屬布線；
雙柵氧 （130A/400A）
低溫度係數多晶電阻，高精度PIP線性電容。
多晶高阻3.5K；
15V/25V/40V/60V 高壓MOS電晶體；
典型應用：
DC-DC 轉換電路；
電源管理電路；
低功耗數模混合電路；
高精度數模混合電路；
2.CM30(3m CMOS)
CM30工藝是中科渝芯3μm 10V/25V模擬CMOS工藝平臺之一，具有較好的KFZ性能，主要適用於驅動器、接口電路。工藝平臺提供標準10V NMOS/PMOS管，25V高壓對稱型MOS管等有源器件，以及高低值摻雜電阻及低溫度係數的鉻矽電阻。單雙層布線工藝可選。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特徵：
採用N<100>型襯底P阱工藝，全流程19層光罩, 19次光刻，最少光刻10次光刻;
高低壓器件兼容;
單多晶、雙鋁布線工藝;
高阻、鉻矽電阻、頂層鋁可選。
典型應用：
(1)電源管理
(2)驅動器
3.CM80(8m CMOS)
CM80工藝是中科渝芯8μm 15V/33V模擬CMOS工藝平臺之一，具有較好的KFZ性能，主要適用於驅動器、接口、高壓AD/DA電路。工藝平臺提供標準低壓15V NMOS/PMOS管，高壓33V對稱型MOS管等有源器件，以及高低值摻雜電阻及低溫度係數的鉻矽電阻。單雙層布線工藝可選。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特徵：
採用N<100>型外延P阱工藝，全流程18層光罩,18次光刻，最少光刻10次光刻;
單多晶、雙鋁布線工藝;
高阻、鉻矽電阻、頂層鋁可選。
典型應用：
(1)電源管理
(2)驅動器
(3)高壓數模轉換器
BCD
1.BD10，1.0m 40V BCD
BD10工藝是中科渝芯BCD工藝平臺之一。工藝平臺提供雙極電晶體，常規及隔離5V CMOS， 40V高壓CMOS器件以及多晶高阻和齊納二極體等器件，應用於數模混合的高壓產品。為了節省晶片面積，工藝提供1.0m 前端0.5m後端設計規則。詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特徵：
1.0m 前端設計， 0.5m 後端設計;
外延隔離工藝；
厚薄柵氧，單層多晶，雙層金屬布線；
HV CMOS 提供Vgs/Vds=5V/40V或Vgs/Vds=40V/40V器件；
多晶高阻1K/2K/3K 可選；
多晶高阻、齊納二極體可選，HV CMOS提供客制化需求；
典型應用：
(1) DC-DC 轉換電路；
(2) 電源管理電路；
(3) 鋰電保護電路；
(4) LED驅動電路；
2.BD10H，1.0m 700V BCD
1.0m 700V BCD 是中科渝芯標準超高壓工藝平臺。工藝平臺提供常規及隔離5V CMOS， 40V中壓CMOS，500V/600V/700超高壓LDMOS，700V Dep-MOS，700V NJFET，雙極型電晶體，多晶高阻和齊納二極體等器件。可廣泛應用於離線式電源轉換晶片、LED照明驅動晶片類綠色單片智能功率集成電路產品。
工藝特徵：
1.0m 前端設計， 0.5m 後端設計;
P外延隔離工藝；
模塊化工藝：5V 低壓CMOS模塊， 40V中壓CMOS模塊，500V/600V/700高壓DMOS模塊；
靈活的高壓啟動器件方案：700V Dep-MOS/700V NJFET；
可選器件：多晶高阻、齊納管、客制化超高壓LDMOS IP；
頂層金屬厚度可選；
典型應用：
(1) AC-DC 轉換電路
(2) LED照明驅動電路
Bipolar
1.WP32，1m 32V Linear Bipolar
WP32工藝是中科渝芯線性雙極工藝平臺之一。工藝平臺提供標準32V 高頻NPN管、32V LPNP管、15V 襯底PNP管，以及摻雜電阻、低溫度係數多晶電阻、高值MIS電容、齊納二極體等器件，雙層布線。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特性：
採用N型外延， PN結隔離工藝；
17層光罩，17層光刻(其中包含高值電阻、齊納、MIS電容、多晶電阻等可選)，最少為13層光刻層；
高頻NPN管fT≥1.2GHz；
低溫度係數多晶電阻≤100ppm；
採用PtSi孔接觸；
可選器件包含：注入高值電阻、齊納二極體、MIS電容、多晶電阻等器件，以及其他特殊需求。
典型應用：
(1) 電源管理電路
(2) 運算放大器電路
2.WP18，1m 18V Linear Bipolar
WP18工藝是中科渝芯線性雙極工藝平臺之一。工藝平臺提供標準18V 高頻NPN管、18V LPNP管、18V 襯底PNP管，以及摻雜電阻、多晶電阻、高值MIS電容、齊納二極體等可選器件，雙層布線。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特性：
(1) 採用N型外延， PN結隔離工藝；
(2) 16層光罩，16層光刻層(其中包含高值電阻、齊納、MIS電容、多晶電阻，雙層布線等可選)，最少為11層光刻層；
(3) 高頻NPN管fT≥4.5GHz；
(4) 可選器件包含：注入高值電阻、齊納二極體、MIS電容、多晶電阻等器件，以及其他特殊需求。
典型應用：
(1) 電源管理電路
(2) 運算放大器電路
3.WB18，2m 18V Bipolar
WB18工藝是中科渝芯標準雙極工藝平臺之一。工藝平臺提供標準PN結隔離的18V NPN管，18V LPNP管，18V SPNP管、18V VPNP管，以及摻雜電阻、齊納二極體、高值氮化矽電容等可選器件，同時具備雙層布線能力，可根據客戶需求進行選擇。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特性：
(1) 採用N型外延， PN結隔離工藝；
(2) 16 層光罩，16層光刻層(其中包含摻雜電阻、SPNP管、高值MIS電容、雙層布線等可選)，最少為8層光刻層；
(3) 可選器件包含：摻雜電阻、VPNP管、齊納二極體，以及其他特殊需求。
典型應用：
(1) 電源管理電路
(2) 常規運算放大器電路
(3) LDO穩壓器
4.WX40，2m 40V Bi-FET
WX40工藝是中科渝芯高壓雙極-JFET兼容工藝平臺之一。工藝平臺提供40V高壓NPN管，40V橫向PNP管，40V隔離PNP管，40V P型JFET器件，以及注入高值電阻、多晶高阻、齊納二極體以及氮化矽電容等器件。同時具備雙層布線能力，可以節省晶片面積，為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特性：
採用N型外延， PN結隔離工藝;
(2) 21 層光罩，21層光刻層(其中包含N阱、高阻、N-基區、電容、多晶矽，雙層布線等可選)，最少10層光刻層；
(3) 可選器件：注入高值電阻、多晶高阻、齊納二極體、隔離PNP、PJFET器件，其他特殊需求。
典型應用：
(1) 電源管理電路
(2) 各類運算放大器電路
(3) LDO穩壓器
5.WB70，4m 70V Bipolar
WB70工藝是中科渝芯標準高壓雙極工藝平臺之一。工藝平臺提供70V高壓NPN管，70V橫向PNP管，以及注入高值電阻、齊納二極體以及氮化矽電容等器件。同時具備雙層布線能力，可以節省晶片面積，為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具
工藝特性：
(1) 採用N型外延， PN結隔離工;
(2) 14 層光罩，14層光刻層(其中包含高阻、電容、雙層布線等可選)，最少為9層光刻層；
(3) 可選器件包含：注入高值電阻、齊納二極體，其他特殊需求。
典型應用：
(1) 電源管理電路
(2) 常規運算放大器電路
6.WB40，2m 40V Bipolar
WB40工藝是中科渝芯標準高壓雙極工藝平臺之一。工藝平臺提供40V高壓NPN管，40V橫向PNP管，40V隔離PNP管以及注入高值電阻、齊納二極體以及氮化矽電容等器件。同時具備雙層金屬布線能力，可以節省晶片面積，為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特性：
(1) 採用N型外延， PN結隔離工;
(2) 16 層光罩，16層光刻層(其中包含高阻、懸浮PNP管、電容、雙層布線等可選)，最少為9層光刻層；
(3) 注入高值電阻；
(4) 可選器件包含：注入高值電阻、隔離PNP管、齊納二極體，其他特殊需求。
典型應用：
(1) 電源管理電路
(2) 常規運算放大器電路
(3) LDO穩壓器
7.HC12，0.6μm 12V Performance Complementary Bipolar
HC12工藝是中科渝芯高性能互補雙極工藝平臺之一。該工藝平臺採用DPSA器件結構，提供12V VNPN、VPNP管，高值多晶電阻、低值p型多晶高阻、低值n型多晶電阻以及MIS、MIM氮化矽電容以及Schottky二極體等器件。提供雙層或三層可選的布線工藝，為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特性：
(1) 雙多晶自對準工藝;
(2) 深槽介質隔離
(3) 模塊化設計，29（或27）次光刻；
(4) VNPN、VPNP管特徵頻率fT分別達到8.5GHz和8GHz
典型應用：
（1） 高速（視頻）放大器，ADSL驅動
（2） DVD 雷射二極體驅動
（3） 高速邏輯電路
8.HX30，0.6μm 30V Performance SOI Complementary Bipolar
HX30工藝是中科渝芯SOI高性能互補雙極工藝平臺之一。該工藝平臺採用DPSA器件結構、SOI全介質隔離，提供30V VNPN、VPNP管，高值多晶電阻、低值p型多晶高阻、低值n型多晶電阻以及MIS、氮化矽電容以及Schottky二極體等器件。採用雙層布線工藝，為客戶提供產品競爭力。工藝平臺詳盡的設計規則，精確的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特性：
（1） 雙多晶自對準工藝;
（2） SOI、深槽全介質隔離；
（3） 模塊化設計，25（或23）次光刻；
（4） VNPN、VPNP管特徵頻率fT達到4GHz ；
典型應用：
（1） 高速（視頻）放大器，ADSL驅動
（2） DVD 雷射二極體驅動
（3） 電纜數據機
9.WC40S(4m 40V high-speed
Complementary Bipolar)
WC40S(4m 40V high-speed Complementary Bipolar)
WC40S工藝是中科渝芯高壓高速互補雙極工藝平臺。工藝平臺提供標準40V NPN管、 VPNP管，P型結型場效應電晶體，以及高/低值摻雜電阻、低溫度係數多晶電阻、高值MIS電容、齊納二極體等器件，雙層布線。工藝平臺詳盡的設計規則，初步的SPICE模型，DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA軟體工具。
工藝特性：
採用SOI片製作：襯底材料:(100) P 型 硼摻雜 電阻率:15-20ohm-cm 器件層：（100） p 型 硼摻雜 電阻率：15-20ohm-cm 厚度 5+/-0.5um 氧化層：厚度 0.65+/-0.05um
採用N型外延， 介質隔離工藝；
25層光罩，25層光刻(其中包含PJFET器件、高值電阻、MIS電容、多晶電阻、薄膜電阻、雙層布線等可選)，最少為15層光刻層；
高頻NPN/PNP管fT≥0.4GHz；
CrSi電阻溫度係數≤50ppm；
可選器件包含：注入高值電阻、MIS電容、多晶電阻、薄膜電阻、雙層布線等器件。
典型應用：
(1) 電源管理電路
(2) 放大器電路
(3) 驅動器電路
(4) 基準電路
分立器件
1.SBR
45V~60V SBR具有高頻低功耗， 低正向壓降，高可靠性等優良特性，CSEC可提供45V~60V系列成熟穩定的工藝平臺及產品。
工藝特性：
4/5層光刻，Al面/Ag面可選工藝;
低正向壓降;
高溫度穩定性;
高可靠性;
快速開關能力。
典型應用：
(1)通用整流器
(2)高頻開關電源
(3)驅動電路
(4)高頻逆變器
2. Planar SBD
45V～200V Planar SBD具有高頻低功耗，高壓大電流，低正向壓降高可靠性等優良特性；CSEC可提供45V～200V系列成熟穩定的工藝平臺及高良率產品。
工藝特性：
Pt/NiPt勢壘平面肖特基技術
3層光刻，Al面/Ag面可選工藝
高耐壓、大電流
高頻率、低功耗
高抗浪湧能力，高可靠性
典型應用：
通用整流器
高頻開關電源
驅動電路
高頻逆變器
3. Planar DMOS
500～700V Planar DMOS具有導通電阻低，開關速度快，柵電荷小，雪崩能力好等優良特性；CSEC可提供500～700V系列成熟穩定的工藝平臺及高良率產品。
工藝特性：
平面柵雙擴散基本工藝
6-7層光刻工藝
低導通電阻，低柵電荷總量
良好的雪崩特性
典型應用：
高頻開關電源
電子鎮流器
UPS
3. MOS SBD
45V～100V MOS SBD具有低開啟電壓，低漏電流，高性能及低成本，可完全替代傳統低壓肖特基產品, CSEC具有此類產品自行設計研發能力。
工藝特性：
0.5um MOS肖特基技術
4-5層光刻，Al面/Ag面可選工藝
PN結和肖特基混合二極體
高頻率、低功耗
典型應用：
低壓通用整流器
快速電子充電器
高頻逆變器
4. FRD
200～1600V FRD具有正向壓降低，開關速度快，反向恢復軟等優良特性；CSEC可提供200～600V擴Pt工藝、1200V-1600V輻照工藝系列成熟穩定的工藝平臺及高良率產品。
工藝特性：
外延矽材料
4-7層光刻工藝
擴Pt工藝，輻照工藝
開關速度快，恢復軟
典型應用：
開關電源
續流二極體
IGBT模塊
5. IGBT
IGBT集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻於一體,廣泛應用在電力轉換中，CSEC已具備1200V外延矽材料工藝產品的研發能力。
工藝特性：
外延矽材料，平面柵工藝
1200V阻斷電壓
飽和壓降低
開關速度快
典型應用：
電機驅動
電磁爐
電焊機
變頻器
汽車電子
短工序加工
1、單片外延
超薄(≤0.5um)外延、薄矽(≤2um)高阻(≥20Ω.cm)外延、多層外延、SiGe外延
2、0.5 ~ 0.35um光刻能力
Nikon Stepper能力滿足0.35um線寬尺寸
3、Pt加工
Pt、Ni/Pt濺射、合金/退火工藝配備，具備功率整流器件製造，以及模擬集成電路功能的特別需求
4、多樣化的多層布線技術
以PECVD、APCVD、SACVD、PVD、WCVD、CMP、Etchback為支撐的多樣化多層布線技術；
鎢工藝及CMP設備，在0.5um的模擬集成電路領域具備最高四層金屬布線能力
5、背面及重金屬能力
(1)背面減薄、背面注入加工能力；
(2)採用Sputter、Evaporation方式的Ag、Au為代表的背面金屬加工技術
(3)正面Ag、Au金屬光刻、刻蝕工藝的能力配備
6、金屬加工技術
(1)最高可達8um的AL，以及熱AL加工能力
(2) Chamber配置的單片AlSiCu、Ti、TiN金屬加工工藝
7、多種介質及設備工藝配備
(1)基於Vertical Furnace LPCVD工藝的 TEOS、SiN、Poly加工
(2)PECVD & APCVD 工藝的PSG、BPSG、TEOS加工
8、完備的生產在線監控檢測儀器、設備
SRP、CD SEM、Overlay、Defect、FTIR、剖面電鏡、應力檢測、注入劑量和硼磷含量監測、多種類型膜厚及電阻率監測等
參考：
【1】https://tech.sina.com.cn/roll/2020-09-05/doc-iivhvpwy5092231.shtml;
【2】http://www.smics.com/;
【3】https://www.huahonggrace.com/;
【4】http://www.hlmc.cn/;
【5】https://www.crmicro.com/;
【6】http://www.hjtc.com.cn/;
【7】http://www.sanan-e.com/;
【8】http://www.analogfoundries.com/.
今日推薦！專業人士必備微信號
▼
推薦關注：
半導體圈 微信：icquanzi
半導體行業聯盟：icunion
世界半導體論壇：icdaily
1、！