亞德諾半導體 發表於 2020-12-08 14:17:00
電子行業對精度的要求越來越高，溫度檢測也不例外。目前市面上有許多溫度檢測解決方案，每一種都有其優缺點。矽晶片溫度傳感器，線性度相對較高，而且精度遠超其他解決方案。但是，矽晶片溫度檢測領域的最新進展意味著，使用矽晶片解決方案將可以實現高解析度和高精度。
新冰箱
那時正是2020年3月，英國即將進入封鎖狀態。全球都在囤積食物，以防超市關門，而未來似乎充滿不確定。就在這種時 候，Bramble家的冰箱罷工了。滿腦子都迴響著Kenny Rogers單曲"露西爾"中的歌詞"你怎麼選擇在這樣一個時刻離開我"，我們開始在網上搜索新的替代品。
幾天後，新冰箱送來了，前面板上有數字溫度顯示，完全符合Bramble太太的需求。建議的設置溫度為-18°C，一個小時後，冰箱達到了所需的溫度，可以開始存放食物了。我有點懷疑溫度讀數的準確性，但只要能夠冷凍食物，我對此也不太在意。但問題是：我是一名工程師，有一顆熱衷探索的心，在連續幾天面對新冰箱毫無變化的數字讀數後，我崩潰了。我必須測試一下這件新電器的精度。
溫度傳感器
工業應用中使用的溫度傳感器種類繁多，各有其優缺點。鑑於有許多文本詳細介紹了各種溫度傳感器的操作，我不再贅述，只是提供一些總結。
熱電偶
熱電偶提供了一種低成本、中等精度的高溫測量方案。正如Thomas Seebeck在1821年發現的那樣，它們基於兩個結點之間產生的電壓，每個結點都由不同的金屬構成，放置於不同溫度環境下。對於K型熱電偶（由鎳鉻合金和鎳鋁金合金製成）來說，它輸出約41 μV/°C的電壓，可用於測量超過1000°C的溫度。但是，塞貝克效應依賴於兩個結點之間的溫度差，因此，在熱端測量相關溫度時，冷端必須持續測量已知的溫度。諷刺的是，在冷 端需要另一個溫度傳感器來測量溫度， AD8494 這樣的器件正好 能夠完全解決這個問題。熱電偶本身的體積很小，所以熱質很低，能夠快速響應溫度變化。
RTDs
行業廣泛使用電阻溫度檢測器(RTD)來測量中溫(<500°C)。這些器件由一種電阻會隨溫度的變化呈正變化的金屬元素組成，最常見的是鉑(Pt)。事實上，PT100傳感器是行業中使用最廣泛的RTD，因使用材料鉑製成，且在0°C時電阻為100 Ω而得名。雖然這些器件無法測量熱電偶那樣的高溫，但它們具有高線性度，且重複性較好。PT100需要精確的驅動電流，從而在傳感器上產生一個與溫度成比例的準確的壓降。PT100連接線的電阻導致傳感器的電阻測量出現誤差，所以開爾文連接是最典型的傳感器使用方法，因此出現3線或4線傳感器。
熱敏電阻
如果需要低成本的解決方案，且溫度範圍較低，那麼使用熱敏電阻通常就足夠了。這些器件線性化程度很低，具有斯坦哈特 哈特方程的特徵，電阻隨溫度升高而減小。熱敏電阻的優點 是，電阻會在小幅溫度變化下呈現大幅變化，所以，儘管它具 有非線性，但仍然可以達到很高的精度。熱敏電阻還提供快速 的熱響應。單個熱敏電阻的非線性是明確定義的，所以可以使 用LTC2986這類的組件來進行校準。
二極體隨處可見，但(V be )壓降至吸電流並非如此...
為了測試這個新家電的準確性，最終我選擇使用矽晶片溫度傳感器。它們到手即用，無需冷端溫度補償或線性化，可以提 供模擬和數字輸出，且預先經過校準。但是，直到最近，它們都只能提供中等準確性。雖然足以指示電子設備的健康狀態， 但它們一直不夠精準，無法測量（例如）體溫，體溫測量通常需要達到±0.1°C的精度（根據ASTM E1112標準）。但是最近發布的 ADT7422 和ADT7320矽晶片溫度傳感器改變了這一狀況，它們的測量解析度分別為±0.1°C和±0.2°C。
矽晶片溫度傳感器利用電晶體的V be 的溫度依賴性，根據莫爾方程，約為：
其中I c 為集電極電流，I s 為電晶體的反向飽和電流，q為電子上的電荷（1.602 × 10 –19 庫侖），k為玻爾茲曼常數(1.38 × 10 –23 )，T為絕對溫度。
方程1中集電極電流的表達式也適用於二極體中的電流，那麼為什麼每個應用電路都使用電晶體而不是二極體呢？事實上，二極體中的電流還包括電子通過pn結的耗盡區與空穴重新結合所產生的複合電流，這表明二極體電流與V be 和溫度具有非線性關係。這種電流也出現在雙極電晶體中，但流入電晶體的基極，不會出現在集電極電流中，因此非線性程度要低得多。
整合上述因素可以得出
與I c 相比，I s 很小，所以我們可以忽略方程2中的1項。我們現在可以看到，V be 根據I c 中的對數變化呈線性變化。我們也可以看到，如果I c 和I s 是常數，那麼V be隨溫度呈線性變化，因為k和q也是常數。在電晶體中施加恆定的集電極電流，並測量V be 如何隨溫度變化，這項任務很簡單。
I s 與電晶體的幾何形狀有關，並且對溫度有很強的依賴性。和許多矽晶片器件一樣，溫度每上升10°C，其值就會翻倍。雖然ln函數降低了電流變化的影響，但仍然存在V be 的絕對值隨電晶體的 變化而變化的問題，因此需要校準。所以，實際的矽晶片溫度傳感器使用兩個完全相同的電晶體，迫使1 I c 集電極電流進入一個電晶體，10 I c 進入另一個。我們能在集成電路中輕鬆生成完全 相同的電晶體和精準的比率電流，所以大多數矽晶片傳感器都使用這種結構。電流的對數變化會引起V be 出現線性變化，然後測量V be 的差值。
由方程2可知，對於溫度相同的兩個電晶體，其V be 的差值為
這是因為
我們可以看出
通過使不同的電流通過每個電晶體並測量V be 的差值，我們消除了非線性I s 項、不同的V be 的影響，以及與電晶體的幾何形狀相關的所有其他非線性效應。因為k、q和ln10都是常數，所以V be 的變化與絕對溫度(PTAT)成正比。當電流差為10倍時，兩個V be 的電流差在大約198 μV/°C時隨溫度呈線性變化。參見圖1查看實現這一效果的簡單電路。
圖1. 測量溫度的基本電路。
必須慎重選擇圖1中的電流。如果電流過高，在電晶體的整個內部電阻範圍內，會出現很高的自發熱和壓降，從而影響測量結果。如果電流過低，電晶體內部的漏電流會增大誤差。
還應注意的是，前面的方程都與電晶體的集電極電流有關，而在圖1中，電晶體中注入的是恆定的發射極電流。在設計電晶體時，可以明確確定集電極和發射極電流之間的比例（且接近整數），這樣集電極電流與發射極電流成比例。
這還只是開始。要使矽晶片溫度傳感器達到±0.1°C的精度，還需要大量的表徵和微調。
是一隻鳥？還是一架飛機？
不，這是一個超級溫度計。是的，它們確實存在。需要將未校準的矽晶片溫度傳感器放入裝滿矽油的浴缸中，準確加熱到 所需的溫度，然後使用超級溫度計進行測量。這些器件的測量精度可以精確到超過小數點後五位。將傳感器內部的保險絲熔 斷，以調整溫度傳感器的增益，從而利用方程y = mx + c將其輸出線性化。矽油提供非常均勻的溫度，因此可以在一個周期內校準許多器件。
ADT7422在25°C至50°C溫度範圍內的精度為±0.1°C。這個溫度範圍以典型的38°C體溫為中心，使得ADT7422非常適合用於精準監測生命體徵。在工業應用中使用時，我們對ADT7320進行了調整，使其精度達到±0.2°C，但溫度範圍擴大到-10°C到+85°C。
圖2. 安裝在0.8 mm厚的PCB上的ADT7422。
但是，矽晶片溫度傳感器的校準並不是唯一的問題。採用極其精確的基準電壓時，裸片上的壓力會破壞傳感器的精度，以及PCB的熱膨脹、引線框架、模塑和裸露焊盤，所有這些都需要考慮。焊接工藝本身也有問題。焊料回流工藝會使零件的溫度提高到260°C，導致塑料封裝軟化，裸片的引線框架變形，這樣當零件冷卻，塑料變硬時，機械應力會被封存在裸片中。ADI公司的工程師花了好幾個月的時間進行細緻的實驗，最終發現0.8 mm的PCB厚度最為合適，即使在焊接之後，也可以達到±0.1°C的精度。
那麼香腸的溫度到底有多低？
我將ADT7320連接到一個微控制器和一個LCD顯示器上，並編寫了幾百行C語言代碼來初始化傳感器和提取數據——可以通過在DIN引腳上連續寫入32個1s來輕鬆初始化這個部分。配置寄存器被設置為使ADT7320以16位精度連續轉換。從ADT7320上讀取數據之後，至少需要等待240 ms的延遲之後，才會發生下一次轉換。為了便於使用非常低端的微控制器，所以我手動編寫了SPI。我將ADT7320放在冰箱裡大約30分鐘，以獲取新冰箱的準確溫度。圖3顯示冰箱的溫度為–18.83°C。
圖3. 冰箱的溫度為–18.83°C。
這種精度給我留下了非常深刻的印象，雖然存儲食品並不需要達到這種溫度精度等級。然後，在英國夏季的某一天，我測量了辦公室內的溫度。如圖4所示，溫度為22.87°C。
圖4. 辦公室的溫度為22.87°C。
結論
矽晶片溫度傳感器已取得長足進步，變得非常精確，能夠實現非常高的生命體徵監測精度。雖然它們內部的技術都是基於成熟的原理，但要使它們達到亞度精度水平，還是需要付出巨大的努力。即使達到了這種精度水平，機械應力和焊接也很容易抹掉數小時校準所取得的成果。
ADT7320和ADT7422代表了多年來達到亞度級精度溫度表徵的技術頂峰，即使是在焊接到PCB上之後。
ADT7422
●焊接到 PCB 上後，精度符合 ASTM E1112 的臨床溫度測定規範
●3.0 V 下 25°C 至 50°C 時為 ±0.1°C
●2.7 V to 3.3 V 下 −20°C 至 +105°C 時為 ±0.25°C
●超低溫度漂移：0.0073°C
●美國國家標準技術研究所 (NIST) 可追溯或等效
●上電時 6 ms 的快速首次溫度轉換
●簡單的實現方式
●不需要溫度校準或校正
●不需要線性度校正
●低功耗
●在 1 SPS 模式下 3.0 V 時為 140 μW（典型值）
●在關斷模式下 3.0 V 時為 6 μW（典型值）
●可編程中斷
●關鍵過溫中斷
●過溫和欠溫中斷
●I2C 兼容接口
●符合 RoHS 標準的 16 引腳 4 mm × 4 mm LFCSP 封裝
（來源：亞德諾半導體）
編輯：hfy
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容圖片侵權或者其他問題，請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴