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最近一段時間Intel承受了很多爭議乃至非議，這個即將滿五十周歲的老牌半導體公司似乎要輸給三星、臺積電這些後輩了。
要知道，臺積電當初做代工也是得到了Intel悉心指導的，沒想到現在被臺積電、三星各種領先，特別是10nm工藝節點被這兩家甩開。
普通人之所以有這樣的認識，其實根源在於半導體知識太複雜。Intel在半導體製造領域依然具有極強的實力，他們的10nm工藝電晶體密度要比三星、臺積電的7nm工藝還要好，就是難產了點。
在許多人的認知裡，三星、臺積電超越Intel很大程度上是都被XXnm的數字迷惑了，表面上看7nm比10nm先進，10nm比14nm先進，但背後代表的半導體技術太複雜，早就不是線寬所能代表的了。
三星、臺積電在16/14nm FinFET節點上第一次超越Intel，嘗到了營銷上的甜頭，所以後面的工藝命名有很多營銷成分，比如16nm優化下就成了12nm工藝，14nm優化下成了12nm LP工藝，相比之下Intel只敢叫14nm、14nm+、14nm++等等，要老實很多。
當老實人的代價就是會吃虧，即便是在10nm節點，三星、臺積電後面還會衍生出8nm之類的工藝，讓人看的眼花撩亂，摸不清來龍去脈。
對於這個問題，Intel早前也表示過他們的無奈，也反擊過這種衡量工藝的水平，推出了全新的公式：
在這個公式中，Intel認為衡量半導體工藝的重要指標是電晶體密度，上面具體算的過程大家就不要管了，反正是行業內認識才會關注的。
在這樣的形勢下，Intel對比其他家公司工藝時就有了優勢了，去年的製造日會議上，Intel就對比過其他家公司的工藝情況：
14nm工藝的情況
先說14nm工藝，別看Intel直到現在都在縫縫補補14nm工藝，但是與其他家對比優勢明顯，電晶體密度是20nm工藝的134%，而其他兩家只不過說104%、109%。
10nm節點工藝對比
10nm節點上，Intel表示他們的10nm工藝電晶體密度達到了100MTr/mm2，就是每平方毫米1億個電晶體，是14nm工藝的兩倍多。
那麼與其他家的對比呢？Semiwiki日前討論到了三星的10nm、8nm以及7nm工藝情況，其中10nmm工藝的電晶體密度是55.10MTr/mm2，8mm是64.4MTr/mm2，7nm工藝也不過101.23MTr/mm2。
原文稱，三星這個電晶體密度比之前計算的Intel 10nm工藝密度要低，比Globalfoundries、臺積電的7nm工藝電晶體密度要略高一些。
換句話說，Intel的10nm工藝電晶體密度就相當於三星、臺積電、GF的7nm工藝了，表面上看落後了一代甚至兩代，但是Intel在技術指標上實際上要比他們領先。
所以這是不怪Intel鬱悶，不是他們不努力，而是對手太狡猾，先聲奪人在工藝命名上奪得優勢了。
Intel無力回天，反正那些投資者、分析師們也不去關注這些技術細節，問的都是你們的10nm為什麼難產呢？
為什麼難產？Intel也解答不出來，大概是因為他們懷了一個哪吒吧，出生時間就要比別人多兩年。