01衰減---Attenuation 單位 –dB
高頻電子訊號在傳動時由於基本材料電阻，產生訊號強度(電壓)降低以外，尚有因高頻引發的Impedance，導致電子訊號強度再被降低,基本電阻的衰減取決於導體材質可稱直流衰減,電容電感的衰減取決於頻率高低可稱交流衰減，且頻率越高此衰減越嚴重；如果ATT數值越趨近於0時，表示訊號損耗的情況越少。反之，ATT數值越負(越小)時，表示訊號損耗的情況越嚴重.
常見的衰減參數的測試圖，Pass表示符合測試要求，NG表示測試數據異常
衰減/插入損失（α，Attenuation/Insertion Loss）
指輸出端功率（Pout）比入射端功率（Pint）降低了多少，以dB（分貝）來表示，也可以是指輸出電壓（Vout）與入射電壓（Vin）相比訊號損耗剩下多少，一般是用NA（網路分析儀）來量測，可由儀器直接量得，其公式如下：
單位長度傳輸線的總衰減是中心導體的損失（αc）和介電材質損失（αd）之和。
αc＝11.39*f1/2/Z0*(d+D) dB/m（f:GHz d,D:cm）
或 αc＝4.34*f1/2/Z0*(d+D)dB/100ft（ f:MHz d,D:inch）
αD＝90.96*f*Σr1/2*tan(δ) dB/m
或 αD＝2.78*f*Σr1/2*tan(δ) dB/100ft δ為散逸係數
如果ATT數值越趨近於0時，表示訊號損耗的情況越少。反之，ATT數值越負（越小）時，表示訊號損耗的情況越嚴重。
衰減常數（參照電線電纜手冊一的數據說明）
表示電磁波在均勻電纜上每公裡的衰減值，它由兩部分組成，
由於金屬導體中的損耗而產生的衰減；
由於介質中損耗產生的衰減。
αn={[RLGL-ω2LLCL+(RL+ω2LL2)(GL2+ωL 2C2)1/2]/2} 1/2
在低損耗近似中，上式可近似為：
αn=(RL/Z0+GL*Z0)/2
從兩個電壓比值奈培數到同一比值的dB數之間存在一個簡單的轉換關係，如果兩個電壓的比值奈培數為rn，同樣電壓比值的dB數為rdB，由於它們等於相同的電壓比，所以可以得到：
10rdB/20=ern
rdB=rn*20loge=8.68*rn
所以傳輸線單位長度的衰減dB/長度為：
αdB=8.68αn=4.34(RL/Z0+GL*Z0)
註：αn表示衰減，為奈培/長度
αdB表示衰減，為dB/長度
RL表示導線單位長度串聯電阻
CL表示單位長度電容
LL表示單位長度串聯迴路電感
GL表示由介質引起的單位長度並聯電導
理論上，這雖是頻域中的衰減，但衰減卻與頻率沒有內在聯繫，然而事實上，在現實世界中，對於非常好的傳輸，由於趨膚效應的影響，單位長度串聯電阻隨著頻率的平方根增加；由於介質損耗因數的影響，單位長度並聯電導隨著頻率而增加，這意味著衰減也會隨著頻率的升高而增加，高頻率正弦波的衰減要大於低頻率的衰減。
單位元長度損耗由兩部分組成，一部分是由導線損耗引起的衰減：αcond=4.34(RL/Z0),另一部分衰減與介質材料損耗有關：αdiel=4.34(GL*Z0)，總衰減為：αdB=αcond＋αdiel
隨著頻率的升高，介質引起衰減的增加速度要比導線引起衰減的增加速度快，那麼會存在某一頻率，使得在這一頻率之上時介質引起的衰減處於主導地位.
傳輸線上的信號損耗：
綜合以上信號損耗主要包括以下幾種：
阻性損耗、介質損耗：信號以電磁波的形式在傳輸線中傳輸，在介質中產生極化。介質中的帶電粒子沿著電場方向規則排列，電荷的規則移動消耗了能量。
相鄰耦合損耗：串擾的影響，信號的能量一部分耦合到響鈴的線上去，從而衰減了自身的能量。
反射損耗和輻射損耗等：反射的信號在傳輸線上來回傳輸，最終對信號的總能量構成損耗；高頻信號以電磁波的形式輻射出PCB
在分析傳輸線損耗時，還應注意：趨膚效應； 鄰近效應 ；表面粗糙度；復介電常數 ；介質損耗 ；隨頻率變化的阻抗特性和時延特性等，特別自身的損耗是高頻損耗的主要部分：主要是由導線自身的電阻所引起的損耗，在交流信號下，導線的阻抗會隨著頻率的變化而變化；走線的表面都會有一定的粗糙度，當信號的波長與走線層表明的粗糙度相近時會加劇阻性損耗，而且由於趨膚效應的影響，高頻電流會集中在導體的表面，這會進一步加劇導體的阻抗損耗，下面我們將分析這些損耗如何體現在傳輸線上面.
線纜的低衰減可歸於下列因素：
a.很大的中心導體直徑(d)或絕緣介電材質的直徑。
介電材質能防止高頻能量經由電阻成份散逸而保存的能力.
介電材質散逸係數越低, 代表其傳遞高頻能量之能力越高。
b.中心導體直徑或覆被低阻值。
c.低介電係數。
d.低的集膚效應深度。
舉一個生活中的例子，如圖為熱水傳輸管道
問題1：供熱水公司輸出熱水假設100°C，但實際接收單位肯定會有差異，在這個熱水傳輸過程中有發生明顯損耗.
問題2：一杯熱水100°C，放置一個小時以後，可能就變成常溫的水，在這個放置過程中，水溫發生明顯損耗.
影響到熱水傳輸損耗的原因分析：
1.傳輸管道的壁厚（會影響保溫的時間）
2.傳輸管道的內壁光潔度（會阻礙傳輸的速度）
3.傳輸管道的材質（會影響保溫的時間）
4.傳輸水的速度 （速度直接影響水溫損耗的速度）
5.傳輸的距離（距離直接影響水溫損耗的速度）
6.外部環境的影響（會影響保溫的時間）
如圖對比管道圖，銅絲即為傳輸的核心水，絕緣皮即是保護的傳輸管道
影響到線纜傳輸損耗的原因分析：
傳輸管道的壁厚（對比為芯線的皮厚） 傳輸管道的內壁光潔度（對比為線材附著力不穩定及芯線外觀不良粗糙）傳輸管道的材質（ 芯線的絕緣材質）傳輸水的速度（導體的大小）傳輸的距離（測試線材的長短）外部環境的影響（測試的環境及線材的屏蔽效果(遮蔽率)）線纜設計中關鍵點﹕
阻抗，絕緣外徑，導體外徑，屏蔽狀況
阻抗大；衰減小﹔
絕緣線徑大；阻抗大；衰減小﹔
導體直徑大；衰減小﹔
發泡度大；介電常數小；衰減小﹔
編織密度增加；衰減小﹔
編織+鋁箔結構；衰減小﹔
鋁箔厚度增加；衰減小﹔
線纜生產過程中控制關鍵點﹕
芯線的皮厚偏小；衰減增大
附著力不穩定及芯線外觀不良粗糙；衰減增大
芯線的絕緣材質；介電常數小，衰減小
導體偏小；衰減大
測試線材的長短；線長衰減大測試的環境及線材的屏蔽效果(遮蔽率)；環境差；衰減大.
不同線種的應用設計理論重點也不同，以下做簡要數據羅列說明
電線主要分為兩種，一種為同軸系列，一種為對絞系列
同軸線主要影響衰減的因素﹕阻抗﹑絕緣線徑﹑導體直徑﹑編織錠子數﹑每錠根數。
目前需要用到同軸線的主要成品系列羅列
1) 阻抗增大；衰減減小﹔
2) 絕緣線徑增大；阻抗增大；衰減減小﹔
3) 導體直徑增大；衰減減小﹔
4) 發泡度增加；介電常數減小；衰減減小﹔
5) 外導體變化（編織）的影響
a) 編織密度增加；衰減減小﹔
b) 編織+鋁箔結構；衰減減小﹔
c) 鋁箔厚度增加；衰減減小﹔
雙絞線主要影響衰減的因素﹕導體﹑絕緣介質﹑絕緣線徑﹑對絞節距﹑對屏蔽鬆緊﹑對屏蔽厚度﹑成纜節距﹑總屏蔽﹑總屏蔽厚度﹑對內延時差。
目前雙絞線的種類非常多，網線最為普遍，其它如HDMI，USB,DP等都為此類別
1) 導體
導體線徑大；衰減小﹔
導體絞合節距增大；衰減減小
導體絞合質量差(起股﹑鬆散﹑不圓整等)；高頻衰減跳動。
2) 絕緣介質﹕發泡度增大；介電常數減小；衰減減小﹔
3) 絕緣線徑﹕絕緣線徑增大；阻抗增大；衰減減小﹔
4) 對絞節距﹕對絞節距增大；衰減減小﹔
5) 對屏蔽鬆緊
鋁箔繞包過緊；衰減增大﹔
鋁箔繞包緊；高頻衰減無跳動﹔
鋁箔繞包過緊；高頻衰減跳動﹔
鋁箔繞包松；高頻衰減有跳動。
鋁箔繞包不平整；高頻衰減跳動.
衰減參數小結：以上所寫部分主要為理論知識，在實際製程中很少會根據這些公式來計算，在實際制中影響衰減的主要因素是阻抗，所以控制阻抗穩定是非常重要一個環節，這就要求在做導體時注意OD穩定、外觀美觀、無刮傷、凸起等會影響到阻抗的不良因素，對於芯線要求OD穩定、同心度高、表面光滑美觀，絞線時要求絞距穩定、收/放線張力平衡，對於外被要求押出時不能過緊過松。所以只有做好線的每一個工段，才能保證阻抗變化不大，才能保證衰減較好；在衰減計算參數的應用裡面一般有兩個係數比較重要，如下附表