EEPROM，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶片。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。
EEPROM（帶電可擦寫可編程讀寫存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器EEPROM（ROM），其可通過高於普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM晶片，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中，當計算機在使用的時候可頻繁地反覆編程，因此EEPROM的壽命是一個很重要的設計考慮參數。EEPROM是一種特殊形式的快閃記憶體，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。
EEPROM，一般用於即插即用（Plug & Play）。常用在接口卡中，用來存放硬體設置數據。也常用在防止軟體非法拷貝的「硬體鎖」上面。
FLASH 存儲器又稱快閃記憶體，根據內部架構和實現技術可以分為AND ， NAND ， NO R ， NiNOR 等等，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM 的優勢）。
與其他存儲介質相比 ， Flash存儲器具有如下優點：
1、與低讀、寫延遲和包含機械部件的磁碟相比， Flash存儲器的讀 、寫延遲較低 ;
2、統一的讀性能 ，尋道和旋轉延遲的消除使得隨機讀性能與順序讀性能幾乎一致;
3、低能耗 ，能量消耗顯著低於RAM 和磁碟存儲器;
4、高可靠性，MTBF（mean time between failures）比磁碟高一個數量級;
5、能適應惡劣環境 ，包括高溫、劇烈震動等。
單片機運行時的數據都存在於RAM（隨機存儲器）中，在掉電後RAM 中的數據是無法保留的，那麼怎樣使數據在掉電後不丟失呢？這就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存儲器來實現。在傳統的單片機系統中，一般是在片外擴展存儲器，單片機與存儲器之間通過IIC 或SPI 等接口來進行數據通信。這樣不光會增加開發成本，同時在程序開發上也要花更多的心思。
在STC 單片機中內置了EEPROM（其實是採用IAP 技術讀寫內部FLASH 來實現EEPROM），這樣就節省了片外資源，使用起來也更加方便。下面就詳細介紹STC 單片機內置EEPROM 及其使用方法。
flash是用來放程序的，可以稱之為程序存儲器，可以擦出寫入但是基本都是整個扇區進行的。一般來說 單片機裡的flash都用於存放運行代碼，在運行過程中不能改；EEPROM是用來保存用戶數據，運行過程中可以改變，比如一個時鐘的鬧鈴時間初始化設定為12：00，後來在運行中改為6：00，這是保存在EEPROM裡，不怕掉電，就算重新上電也不需要重新調整到6：00。
下面是網上詳細的說法，感覺不錯：
FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量佔晶片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。
當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更「人性化」的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。
在晶片的內電路中，FLASH和EEPROM不僅電路不同，地址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結構還是哈佛結構都是這樣。技術上，程序存儲器和非易失數據存儲器都可以只用FALSH結構或EEPROM結構，甚至可以用「變通」的技術手段在程序存儲區模擬「數據存儲區」，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識問題。
EEPROM：電可擦除可編程只讀存儲器，Flash的操作特性完全符合EEPROM的定義，屬EEPROM無疑，首款Flash推出時其數據手冊上也清楚的標明是EEPROM，現在的多數Flash手冊上也是這麼標明的，二者的關係是「白馬」和「馬」。
至於為什麼業界要區分二者，主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和傳統EEPROM截然不同，次要的原因是為了語言的簡練，非正式文件和口語中Flash EEPROM就簡稱為Flash，這裡要強調的是白馬的「白」屬性而非其「馬」屬性以區別Flash和傳統EEPROM。
Flash的特點是結構簡單，同樣工藝和同樣晶元面積下可以得到更高容量且大數據量
下的操作速度更快，但缺點是操作過程麻煩，特別是在小數據量反覆重寫時，所以在MCU中Flash結構適於不需頻繁改寫的程序存儲器。
很多應用中，需要頻繁的改寫某些小量數據且需掉電非易失，傳統結構的EEPROM在此非常適合，所以很多MCU內部設計了兩種EEPROM結構，FLASH的和傳統的以期獲得成本和功能的均衡，這極大的方便了使用者。隨著ISP、IAP的流行，特別是在程序存儲地址空間和數據存儲地址空間重疊的MCU系中，現在越來越多的MCU生產商用支持IAP的程序存儲器來模擬EEPROM對應的數據存儲器，這是低成本下實現非易失數據存儲器的一種變通方法。
為在商業宣傳上取得和雙EEPROM工藝的「等效」性，不少採用Flash程序存儲器「模擬」（注意，技術概念上並非真正的模擬）EEPROM數據存儲器的廠家紛紛宣稱其產品是帶EEPROM的，嚴格說，這是非常不嚴謹的，但商人有商人的目的和方法，用Flash「模擬」EEPROM可以獲取更大商業利益，所以在事實上，技術概念混淆的始作俑者正是他們。
從成本上講，用Flash「模擬」EEPROM是合算的，反之不會有人幹，用EEPROM模擬Flash是怎麼回事呢？這可能出在某些程序存儲空間和數據存儲空間連續的MCU上。這類MCU中特別是存儲容量不大的低端MCU依然採用EEPROM作為非易失存儲器，這在成本上反而比採用Flash和傳統EEPROM雙工藝的設計更低，但這種現象僅僅限於小容量前提下。
因Flash工藝的流行，現在很多商人和不夠嚴謹的技術人員將程序存儲器稱為Flash，對於那些僅採用傳統EEPROM工藝的MCU而言，他們不求甚解，故而錯誤的將EEPROM程序存儲器稱為「 模擬Flash」，根本的原因是他們未理解Flash只是一種存儲器結構而非存儲器的用途，錯誤的前提自然導致錯誤的結論。
商業上講，用EEPROM模擬 Flash是不會有人真去做的愚蠢行為，這違背商業追求最大利益的原則，技術上也不可行，而對於技術人員而言。本質的問題是Flash是一種存儲器類型而非MCU中的程序存儲器，即使MCU的程序存儲器用的是Flash，但其逆命題不成立
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