從零起步到趕日超美,韓國如何制霸全球存儲27年?

全球存儲晶片業正被持續裝進韓企的口袋。

繼最近SK海力士官宣收購英特爾NAND快閃記憶體業務及其位於大連的Fab 68廠後，SK海力士相對薄弱的NAND實力得到進一步補足。

作為全球存儲晶片前年老二，SK海力士一直在老大三星的光環下承壓前行。這兩家韓國公司的版圖，已覆蓋超過72%的全球DRAM市場和超過45%的全球NAND快閃記憶體市場。

憑藉暴利的存儲晶片，三星和SK海力士一路賺得體滿缽滿，不斷擴充疆域、擴大投資，付諸各種努力捍衛這塊血賺的地盤。

回顧韓企存儲晶片上位史，這是一個頗為勵志的故事，在巨頭環伺時另起爐灶，從零技術基礎起步，到技術領先全球，再到用市場手段逼退競爭對手，韓企如何一步步稱霸全球存儲晶片市場？這是一個極其值得分析的經典案例。

▲2018年全球半導體細分市場規模分布：存儲器是全球最大的半導體細分市場。

一、從零，到第一

全球存儲晶片第一的板凳很難捂熱，美國日本各坐了十年左右，而韓國一直坐到今天。

起初英特爾在70年代前後憑存儲器起家，當了十年的存儲器老大；然後80年代日本憑藉集中五家企業的實力集中力量攻關技術，火速攻佔存儲市場，帶領日本半導體走向世界巔峰，甚至一度將美國矽谷企業打得毫無還手之力，英特爾被逼到差點倒閉。

等美國看不慣日本半導體崛起、出手打壓的時候，早已蓄力的韓國三星、SK海力士等企業開始明奪市場，一邊靠逆勢擴張競爭，另一邊積極抱美國大腿。

美韓聯合下，日本半導體兵敗如山倒，日企存儲晶片界僅存的「獨苗爾」必達在2012年宣告破產，被美國美光科技併購。

不過爾必達曾佔有的市場，卻並沒有隨著併購而通通裝進美光的口袋，相當一部分市場被三星和SK海力士進一步蠶食。

從TrendForce數據可以看到，2011年第一季度，全球DRAM市場前五分別是韓國三星、SK海力士、日本爾必達、美國美光科技、中國臺灣南亞科技，兩家韓企合計市佔率約為62.7%，爾必達和美光合佔近1/4的市場。

而到2017年，兩大韓廠DRAM市佔率合計達74.2%，較2011年佔比更大，第三名美光僅佔不到1/5的全球市場。

存儲晶片業務給三星和SK海力士帶來了豐厚的回報。2017年得益於存儲晶片價格持續上漲，三星半導體部門收入首次超過英特爾，成為全球銷售額最高的半導體企業；SK海力士也在同一年營收超過美光，位列全球第三。

▲2017年全球半導體企業銷售額TOP10（來源：Gartner）

2019年受存儲晶片價格回落影響，三星、SK海力士、美光等均出現業績下滑，但這並不影響這兩家韓企的半導體銷售額穩居全球前四。

從1993年三星首次登頂起，內存產業格局風雲變幻，當年開創DRAM晶片先河的英特爾、德州儀器、IBM等元老在20世紀末退出市場，德企奇夢達、日企爾必達破產，三星、SK海力士、美光三家壟斷超過90%的市場份額。

如今，六大玩家瓜分99%市場的NAND快閃記憶體領域中，排名第六的SK海力士上周又宣布要收購排名第五的英特爾NAND業務。如果這一交易順利完成，SK海力士有望躍升至NAND市場第二或第三名，而韓企將坐擁全球NAND領域的半壁江山。

▲2019年第四季度全球NAND品牌廠商營收排名（來源：行業分析機構DRAMeXchange）

當然了，地位最穩的仍是三星，這家存儲晶片技術和市場都遙遙領先的韓企，已經穩坐全球存儲晶片老大的位置長達27年。

二、暴走三星，「自殺式」逆襲上位

三星能從零技術背景到成功問鼎全球第一，有幾個因素功不可沒。

首先要有足夠資本擔得起風險。技術研發、規模生產都離不開大量資金投入，尤其在價格下跌、產能過剩的存儲器低谷時期，沒有充足的資金，很難撐過虧損的逆境。

而三星是韓國政府扶持的家族企業，足夠有錢，可以任性。在半導體事業起步階段，三星宛如孤注一擲的賭徒，一邊負債纍纍，一邊持續進行「自殺式」投資，不斷砸重金研發擴產。

關鍵底氣是核心技術實力過硬。三星就成功走出了一條從技術複製到創新超越的路。

三星1983年剛開始研發DRAM時，沒有任何技術基礎，先是從美日企業購買技術授權，派專家趕赴美日企業學習，進而開發出第一款64KB DRAM，與世界先進技術之間的差距逾4年。

隨後三星從美日網羅大量半導體人才，不顧虧損大力投資技術研發。僅用6年時間，三星便研發出領先全球的16M DRAM，實現技術前進5代。隨後1993年，三星因16M DRAM量產躍居存儲晶片市場第一，從此蟬聯至今。

▲韓國三星DRAM技術能力變化過程

擴張存儲器市場，三星有一大殺招——押注「逆周期定律」。當存儲器市場不景氣，其他企業削弱投資、減少生產時，三星反其道而行之，冒著血虧的風險繼續投資和擴大生產規模，通過規模效應壓低成本，進一步加劇行業虧損，逼對手紛紛出局。

這種逆勢擴張策略，三星在20世紀80年代、90年代，以及2008年金融危機前後均曾實施。

經過二十幾年的競爭，內存生產廠家從上世紀80年代的四五十家，到2008年僅剩韓國三星與SK海力士、德國奇夢達、美國美光、日本爾必達五家。2008年內存價格再次暴跌，幾年後奇夢達、爾必達先後破產，韓企迎來全面勝利。

▲2008年金融海嘯後經濟前景未明，三星仍加碼於資本支出與研發費用。

強大的市場調研能力也至為關鍵。三星充分發揮豐富的市場調研能力，將優秀人才提拔為市場調研專員派往各個國家和地區，準確把握市場變化和需求，為經營決策提供參考。

信息收集帶來的精準數據分析，輔助三星預判到時代更迭帶來的空前機遇。 90年代個人電腦（PC）取代大型機成為主流，DRAM需求發生變化，日企陷入創新窘境，被韓企用更加便宜、小巧、方便的技術戰勝。

日企爾必達依然遵照先前的生產邏輯，近乎病態地追求均一性和高成品率，卻忽略了相較於高品質，低成本和高規模才是PC用DRAM的核心競爭力所在。

這給三星等不拘泥於高成本率的韓企一個巨大的機會，三星採取四代產品同時研發的策略，致力於提高生產效率和降低每顆DRAM晶片的成本，至於成品率，提升至能滿足市場需求的水準就足夠了。通過大批量生產廉價DRAM，三星很快在市佔率上超過日企。

▲1970-2013年各種機器迭代

除了自己做研發生產，韓企還投資競爭對手。

2017年，日本最大的集成電路公司東芝存儲器是全球第四大存儲晶片巨頭、第二大NAND快閃記憶體晶片巨頭，然而因為東芝集團的巨額虧損，東芝存儲器被以180億美元賣給美國貝恩資本主導的聯盟，全球第二大存儲晶片商SK海力士也順勢成了東芝存儲器的股東。

如今的三星和SK海力士，坐擁全球最先進的存儲器技術和產能，即便面對不穩定的周期變化，依然能呈現出風雨不動安如山的姿態。

三、角逐中國市場，持續加固優勢

無論是日企趕超美企，還是韓企趕超日企，這些逆襲的故事，都給亟待實現我國半導體產業自主可控的夢想埋下了希望的種子。

作為全球最大的電子產品製造國和全球最大的電子產品消費市場，中國大陸對存儲晶片需求旺盛，且依賴進口的程度仍相當高，為以三星、SK海力士為代表的國際存儲晶片玩家貢獻了相當豐厚的收入。

▲2015-2019年間，三星和SK海力士在中國的營收（來源：彭博社）

但當中國資本開始為自主可控爭取更多可能時，韓企的危機意識油然而生。

2015年7月，紫光集團向美國美光提出230億美元的收購邀約，然而美光以擔心被美國政府阻撓為由拒絕了這一交易。

走收購外企的捷徑不成，那就自己造。從2016年起，福建晉華、合肥長鑫、長江存儲三大國產存儲晶片企業均陸續投資發力，砸千億級資金，興建DRAM或NAND Flash晶片生產線。

這令韓企感到空前的警惕。

可以看到，過去幾年，三星、SK海力士正持續採取一些措施來鞏固自己的地盤。

其一，控制產能，避免存儲晶片價格下滑。

韓國存儲晶片巨頭是控制產能、玩價格戰的老手。他們擁有充沛的資金，能遊刃有餘地抵禦市場低迷，還擅長通過控制產量影響市場。

十年前歐盟委員會曾向包括三星、SK海力士、英飛凌、日立、美光在內的10家內存製造商開出3.31億歐元罰單，原因就是它們操控了內存價格，而美光由於當了汙點證人被免於處罰。

2018年7月，三星被曝通過控制內存產能來延緩內存降價，外媒Semiwiki報導稱，這一舉措導致一些半導體設備供應商的設備出貨量短期內下降了10-25%。2019年三星、SK海力士以及美國美光均考慮通過減產彌補降價損失。

其二，積極在中國大陸建新廠。

2018年3月，三星在西安舉行存儲晶片二期項目開工奠基儀式，總投資額為70億美元，這是三星繼2012年在西安高新區花108億美元投資一期NAND快閃記憶體晶片項目後的又一筆投資。

2019年12月，三星西安快閃記憶體晶片項目二期第二階段80億美元投資啟動，二期項目預計至2021年下半年竣工，建成後將新增月產能13萬片。今年3月，三星西安一期項目在1月、2月實現滿產生產，月產13萬片存儲晶片。

SK海力士早在2005年就在無錫高新區建設了工廠，累計總投資超100億美元。

2017年10月，SK海力士二工廠項目正式籤約，在去年4月正式竣工，預計完全投產後，月產能將提升至18萬片12英寸晶圓，海力士無錫公司也將成為全球單體投資規模最大、月產能最大、技術最先進的10納米級DRAM產品生產基地。

▲SK海力士在無錫的工廠竣工後

不過由於今年疫情影響，三星二期項目和SK海力士的無錫工廠推遲了大約3個星期。

而如果SK海力士能順利收購英特爾NAND快閃記憶體業務，也將把生產非易失性存儲器的大連英特爾工廠一併收之麾下。

其三，拉大技術差距，引入EUV技術。

EUV光刻技術是實現更先進晶片製程的關鍵技術，此前主要被用於生產7nm及以下的邏輯晶片，而今年，三星和SK海力士均釋放了將其引入存儲晶片生產線的訊號。

據韓媒報導，今年8月，三星「平澤2號」半導體工廠已開始運營，將生產全球首個基於EUV的移動DRAM產品。三星電子的一位發言人透露，使用EUV的1a工藝，生產效率是基於12英寸晶圓的1x工藝的兩倍。

SK海力士也在加速推進基於1a工藝的EUV DRAM產品。此前SK海力士已在M16晶片廠園區內安裝了兩臺EUV光刻機，計劃將EUV技術應用於下一代DRAM晶片生產。

一臺EUV光刻機造價超過1億美元，數量又極其稀缺，迄今中國大陸企業產線尚未拿到一臺EUV光刻設備。如果韓企基於EUV的DRAM產品落地，將進一步拉大與中國大陸企業間的技術差距。

結語：存儲晶片市場競爭門檻升級

如今存儲晶片發展愈發集中，尤其是DRAM內存市場，持續向三星、SK海力士、美光三家聚攏。如果SK海力士最終成功收購和吸收英特爾NAND業務，全球存儲晶片市場的大半江山都將成為韓企的囊中之物。

而從歷史經驗來看，爭奪存儲晶片市場將不可避免地需要更多資金的投入，這也意味著未來競爭的門檻進一步增高，其他玩家如想突圍，將面臨技術、成本以及市場的多重競爭。