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電磁爐的加熱原理:
電磁爐是採用磁場感應渦流原理,它利用高頻的電流通過環形線圈,從而產生無數封閉磁場力,當磁場那磁力線通過導磁(如:鐵質鍋)的底部,既會產生無數小渦流(一種交變電流,家用電磁爐使用的是15-30KHZ的高頻電流),使鍋體本生自行高速發熱,然後再加熱鍋內食物。
對於電磁爐的發熱原理我們可以這樣簡單的理解:
鍋和電磁爐內部發熱線圈盤組成一個高頻變壓器,內部線圈是變壓器初級,次級是鍋。當內部初級發熱線圈盤有交變電壓輸出後,必然在次級鍋體上產生感應電流,感應電流通過鍋體自身的電阻發熱(所以鍋本身也是負載),產生熱量。假如:當內部初級發熱盤有交變電壓輸出,若次級及負載(鍋)不存在,則輸出功率將非常低。當然在實際電路中,我們必須要很快的檢測到此功率的變化,並將輸出到發熱線圈盤的交變電流關斷。
由於非導磁性材料不能有效匯聚磁力線,幾乎不能形成渦流(就像一個普通變壓器如果沒有矽鋼片鐵心,而只有兩個繞組是不能有效傳送能量的),所以基本上不加熱;另外,導電能力特別差的磁性材料由於其電阻率太高,產生的渦流電流也很小,也不能很好產生熱量。所以:電磁爐使用的鍋體材料是導電性能相對較好,鐵磁性材料的金屬或者合金以及它們的複合體。一般採用的鍋有:鑄鐵鍋,生鐵鍋,不鏽鐵鍋。純不鏽鐵鍋材料由於其導磁性能非常低,所以在電磁爐上並不能正常工作。
電磁爐是採用磁場感應渦流加熱原理,它利用電流通過線圈產生磁場,當磁場內之磁力通過含鐵質鍋底部時,即會產生無數之小渦流,使鍋體本身自行高速發熱,然後再加熱於鍋內食物。電磁爐工作時產生的電磁波,完全被線圈底部的屏蔽層和頂板上的含鐵質鍋所吸收,不會洩漏,對人體健康絕對無危害。
適用的鍋類容器
1、鐵系(琺瑯、鑄鍋、不鏽鐵)鍋,不鏽鋼鍋.注:複合底鍋必須是電磁爐專用。
2、底部直徑12CM以下,根據不同的功能使用,如煎炒烤炸類要離空1CM為最佳蒸煮 類平底為最佳。
不適用的鍋類容器:
1、鋁、銅為材料之容器、鍋。
2、容器底部直徑不超過12CM者。
3、容器底部凸凹高度大於2CM者。
4、不鏽鋼雙層複合底鍋(非電磁爐專用)。
如何安全使用電磁爐
一、使用之前注意:
1、應使用質量好的插座,插座接觸不良會導致燒機或電磁爐無法正常工作。
2、在插頭電線損壞電線或電源插頭未牢固地插入插座時,切勿使用電磁爐。
3、切勿彎曲、綑紮電線或對其施力過度,這會引起損壞。
4、切勿使任何障礙物附在本機插頭或電源插座上。
5、切勿將插頭插入己插有幾個其它電器裝置的插座,電流不得超出插座的極限(本裝置的使用電流約為10A)。
6、切勿在可能受潮或靠近火焰的地方使用電磁爐。
7、電磁爐在放置了一段時間後,若重新使用電磁爐,請先通電10分鐘,使電磁爐內部電子元件穩定後,再開機進行功能操作。
二、使用時注意:
1、切勿放置在不平穩的平面上。
2、切勿阻塞吸氣口或排氣口、避免爐內超溫。
3、切勿在兒童可觸及電磁爐、或兒童能自行使用的地方使用電磁爐。
4、切勿對空鍋加熱或加熱過度。
5、切勿將諸如刀、叉、勺子、鍋蓋與鋁箔等金屬物品放置在頂板上,因為它們會受熱。
6、切勿在盛放鍋具的狀態下搬運電磁爐。
7、切勿在四周空間不足的地方使用電磁爐、應使電磁爐的前部與左右兩側保持乾淨。
8、切勿使用金屬絲和異物進入吸氣或排氣口的縫隙內。
9、切勿使物品跌落在頂板上。如表面出現裂紋,應立即關掉電源,拔出插頭並送往修理。
三、使用之後注意:
1、炒菜鍋在使用後不要置於爐面上,避免下次使用時難以啟動。
2、烹調結束,鍋具產生的高溫熱量會傳導至電磁爐頂板,切勿立即觸摸該頂板。
3、切勿用拉扯電線的方法拔出插頭。
4、在確認不用電磁爐時,切勿使電源線續處於接通狀態。
電磁爐的保養
A 電源要求
(1)使用電磁爐必須使用各項技術指標符合標準帶地線的三孔插座(最好選用有CCC標誌的產品),絕對不可自行換用沒有地線的兩孔插座,因為兩孔插座插頭插上後易鬆動、不牢固且不符和國家標準,這樣易產生瞬時打火,電流增大,較危險。
(2)插座不要位於電磁爐的正上方,防止熱量上升燒燙電源。
(3)若有易使電流發生驟變且較為頻繁的電器,如電焊機、衝擊鑽、電錘等或其它高功率用電器,如冰箱、洗衣機、熱水器等與電磁爐同時使用,則較易損壞電磁爐,應引起注意,最好使用帶有過流保護裝置的插線板或選用穩定電源。最好不同時使用或儘量不在電磁爐工作的同時開關其它用電器,以免損壞電磁爐。
B 電磁爐的散熱
電磁爐工作時機體內部存有一定的溫度,為使電磁爐發揮更好的作用,並正常工作,延長其使用壽命,這部分熱量要及時的排放出去,所以儘量使電磁爐放置的位置有利於空氣流通及散熱。
C 電磁爐的清洗
1,擦洗前請先拔掉電源線。
2,面板髒時或油汙導致變色時,請用去汙粉,牙膏或汽車車蠟擦磨,再用毛巾擦乾淨。機體和控制面板髒時以柔軟的溼抹布擦拭,不易擦拭的油汙,可用中性洗潔劑擦拭後,再用柔軟的溼抹布擦拭至不留殘渣。
3,且勿直接用水衝洗或浸入水中刷洗。
4,經常保持機體的清潔,以免蟑螂,昆蟲等進入爐內,影響機體失靈。
5,吸氣/排氣罩可拆卸用水直接清洗或用棉花棒將灰塵除去,也可用牙刷加少許清潔劑清除。
D 出現意外情況
如果使用電磁爐的過程中發現不正常停機或報警等異常情況,一定要馬上停止使用,及時與廠家維修部進行聯繫和諮詢,如確定有問題,請專業維修人員進行處理,千萬不可自行拆卸。
E 電磁爐的收藏
在長時間不需使用電磁爐時,首先要擦洗乾淨、晾乾機體後收藏起來,不要放在潮溼環境中保存,要放於乾燥處且包裝內儘量放一些乾燥劑和蟑螂藥,避免擠壓,以備再用。
電磁爐的維修及主要元件組成部份
一、簡介:電磁加熱原理(見上圖)
1.1
電磁灶是一種利用電磁感應原理將電能轉換為熱能的廚房電器。在電磁灶內部,由整流電路將50/60Hz的交流電壓變成直流電壓,再經過控制電路將直流電壓轉換成頻率為20-40KHz的高頻電壓,高速變化的電流流過線圈會產生高速變化的磁場,當磁場內的磁力線通過金屬器皿(導磁又導電材料)底部金屬體內產生無數的小渦流,使器皿本身自行高速發熱,然後再加熱器皿內的東西。
1.2
一般的電磁爐,介面有LED發光二極體顯示模式、LED數碼顯示模式、LCD液晶顯示模式、VFD瑩光顯示模式機種。操作功能有加熱火力調節、自動恆溫設定、定時關機、預約開/關機、預置操作模式、自動泡茶、自動煮飯、自動煲粥、自動煲湯及煎、炸、烤、火鍋等料理功能機種。額定加熱功率有700~3000W的不同機種,功率調節範圍為額定功率的85%,並且在全電壓範圍內功率自動恆定。200~240V機種電壓使用範圍為160~260V,
100~120V機種電壓使用範圍為90~135V。全系列機種均適用於50、60Hz的電壓頻率。使用環境溫度為-23℃~45℃。電控功能有鍋具超溫保護、鍋具幹燒保護、鍋具傳感器開/短路保護、2小時不按鍵(忘記關機)
保護、IGBT溫度限制、IGBT溫度過高保護、低溫環境工作模式、IGBT測溫傳感器開/短路保護、高低電壓保護、浪湧電壓保護、VCE抑制、VCE過高保護、過零檢測、小物檢測、鍋具材質檢測。雖然機種較多,且功能複雜,但不同的機種其主控電路原理一樣,區別只是零件參數的差異及CPU程序不同而己。電路的各項測控主要由一塊8位4K內存的單片機組成,外圍線路簡單且零件極少,並設有故障報警功能,故電路可靠性高,維修容易,維修時根據故障報警指示,對應檢修相關單元電路,大部分均可輕易解決。
二、 原理分析
LM339內置四個翻轉電壓為6mV的電壓比較器,當電壓比較器輸入端電壓正向時(+輸入端電壓高於-入輸端電壓),
置於LM339內部控制輸出端的三極體截止, 此時輸出端相當於開路; 當電壓比較器輸入端電壓反向時(-輸入端電壓高於+輸入端電壓),
置於LM339內部控制輸出端的三極體導通, 將比較器外部接入輸出端的電壓拉低,此時輸出端為0V。
2.1.2 IGBT
絕緣柵雙極電晶體(Iusulated Gate Bipolar
Transistor)簡稱IGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優點於一體的高壓、高速大功率器件。目前有用不同材料及工藝製作的IGBT,
但它們均可被看作是一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型電晶體放大的複合結構。IGBT有三個電極(見上圖), 分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)
、集電極C(亦稱漏極) 及發射極E(也稱源極) 。
從IGBT的下述特點中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個致命缺陷, 就是於高壓大電流工作時, 導通電阻大, 器件發熱嚴重,
輸出效率下降。IGBT的特點:
1.電流密度大, 是MOSFET的數十倍。
2.輸入阻抗高, 柵驅動功率極小, 驅動電路簡單。
3.低導通電阻。在給定晶片尺寸和BVceo下, 其導通電阻Rce(on) 不大於MOSFET的Rds(on) 的10%。
4.擊穿電壓高, 安全工作區大, 在瞬態功率較高時不會受損壞。
5.開關速度快, 關斷時間短,耐壓1kV~1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us, 約為GTR的10%,接近於功率MOSFET,
開關頻率直達100KHz, 開關損耗僅為GTR的30%。
IGBT將場控型器件的優點與GTR的大電流低導通電阻特性集於一體, 是極佳的高速高壓半導體功率器件。
目前因應不同機種採了不同規格的IGBT,它們的參數如下:
(1)
SGW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內部不帶阻尼二極體,所以應用時須配套6A/1200V以上的快速恢復二極體(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復二極體(D11)後可代用SKW25N120。
(2)
SKW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內部帶阻尼二極體,該IGBT可代用SGW25N120,代用時將原配套SGW25N120的D11快速恢復二極體拆除不裝。
(3) GT40Q321----東芝公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時42A,100℃時23A, 內部帶阻尼二極體,
該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120時請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極體拆除不裝。
(4)
GT40T101----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時80A,100℃時40A,內部不帶阻尼二極體,所以應用時須配套15A/1500V以上的快速恢復二極體(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復二極體(D11)後可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321,
配套15A/1500V以上的快速恢復二極體(D11)後可代用GT40T301。
(5) GT40T301----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時80A,100℃時40A, 內部帶阻尼二極體,
該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101,
代用SGW25N120和GT40T101時請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極體拆除不裝。
(6) GT60M303 ----東芝公司出品,耐壓900V,電流容量25℃時120A,100℃時60A, 內部帶阻尼二極體。
2.2 電路方框圖
2.3 主迴路原理分析
時間t1~t2時當開關脈衝加至Q1的G極時,Q1飽和導通,電流i1從電源流過L1,由於線圈感抗不允許電流突變.所以在t1~t2時間i1隨線性上升,在t2時脈衝結束,Q1截止,同樣由於感抗作用,i1不能立即變0,於是向C3充電,產生充電電流i2,在t3時間,C3電荷充滿,電流變0,這時L1的磁場能量全部轉為C3的電場能量,在電容兩端出現左負右正,幅度達到峰值電壓,在Q1的CE極間出現的電壓實際為逆程脈衝峰壓+電源電壓,在t3~t4時間,C3通過L1放電完畢,i3達到最大值,電容兩端電壓消失,這時電容中的電能又全部轉為L1中的磁能,因感抗作用,i3不能立即變0,於是L1兩端電動勢反向,即L1兩端電位左正右負,由於阻尼管D11的存在,C3不能繼續反向充電,而是經過C2、D11回流,形成電流i4,在t4時間,第二個脈衝開始到來,但這時Q1的UE為正,UC為負,處於反偏狀態,所以Q1不能導通,待i4減小到0,L1中的磁能放完,即到t5時Q1才開始第二次導通,產生i5以後又重複i1~i4過程,因此在L1上就產生了和開關脈衝f(20KHz~30KHz)相同的交流電流。t4~t5的i4是阻尼管D11的導通電流,
在高頻電流一個電流周期裡,t2~t3的i2是線盤磁能對電容C3的充電電流,t3~t4的i3是逆程脈衝峰壓通過L1放電的電流,t4~t5的i4是L1兩端電動勢反向時,
因D11的存在令C3不能繼續反向充電, 而經過C2、D11回流所形成的阻尼電流,Q1的導通電流實際上是i1。
Q1的VCE電壓變化:在靜態時,UC為輸入電源經過整流後的直流電源,t1~t2,Q1飽和導通,UC接近地電位,t4~t5,阻尼管D11導通,UC為負壓(電壓為阻尼二極體的順向壓降),t2~t4,也就是LC自由振蕩的半個周期,UC上出現峰值電壓,在t3時UC達到最大值。
以上分析證實兩個問題:一是在高頻電流的一個周期裡,只有i1是電源供給L的能量,所以i1的大小就決定加熱功率的大小,同時脈衝寬度越大,t1~t2的時間就越長,i1就越大,反之亦然,所以要調節加熱功率,只需要調節脈衝的寬度;二是LC自由振蕩的半周期時間是出現峰值電壓的時間,亦是Q1的截止時間,也是開關脈衝沒有到達的時間,這個時間關係是不能錯位的,如峰值脈衝還沒有消失,而開關脈衝己提前到來,就會出現很大的導通電流使Q1燒壞,因此必須使開關脈衝的前沿與峰值脈衝後沿相同步。
2.4 振蕩電路
(1) 當G點有Vi輸入時、2腳=0V時, V5等於D12與D13的順向壓降. 而當V6<V5之後,2腳由低轉為高,V5亦上升至Vi,
而V6則由R56、R54向C5充電。
(2) 當V6>V5時,2腳=0v,V5亦降至D12與D13的順向壓降, 而V6則由C5經R54、D29放電。
(3) V6放電至小於V5時, 又重複(1) 形成振蕩。
「G點的電壓越高, 2腳處於ON的時間越長, 電磁爐的加熱功率越大,反之越小」。
2.5 IGBT激勵電路
振蕩電路輸出幅度約4.1V的脈衝信號,此電壓不能直接控制IGBT(Q1)的飽和導通及截止,所以必須通過激勵電路將信號放大才行,該電路工作過程如下:
(1) V8 OFF時(V8=0V),V8<V9,V10為高,Q8和Q3&NBSP;&NBSP;
(2) V8
ON時(V8=4.1V),V8>V9,V10為低,Q8和Q3截止、Q9和Q10導通,+22V通過R71、Q10加至Q1的G極,Q1導通。
2.6 PWM脈寬調控電路
CPU輸出PWM脈衝到由R6、C33、R16組成的積分電路,
PWM脈衝寬度越寬,C33的電壓越高,C20的電壓也跟著升高,送到振蕩電路(G點)的控制電壓隨著C20的升高而升高, 而G點輸入的電壓越高,
V7處於ON的時間越長, 電磁爐的加熱功率越大,反之越小。
「CPU通過控制PWM脈衝的寬與窄, 控制送至振蕩電路G的加熱功率控制電壓,控制了IGBT導通時間的長短,結果控制了加熱功率的大小」。
2.7 同步電路
R78、R51分壓產生V3,R74+R75、R52分壓產生V4, 在高頻電流的一個周期裡,在t2~t4時間
(圖1),由於C3兩端電壓為左負右正,所以V3V5,V7
OFF(V7=0V),振蕩沒有輸出,也就沒有開關脈衝加至Q1的G極,保證了Q1在t2~t4時間不會導通, 在t4~t6時間,C3電容兩端電壓消失,
V3>V4, V5上升,振蕩有輸出,有開關脈衝加至Q1的G極。以上動作過程,保證了加到Q1 G極上的開關脈衝前沿與Q1上產生的VCE脈衝後沿相同步。
2.8 加熱開關控制
(1)當不加熱時,CPU 19腳輸出低電平(同時13腳也停止PWM輸出),
D18導通,將V8拉低,另V9>V8,使IGBT激勵電路停止輸出,IGBT截止,則加熱停止。
(2)開始加熱時, CPU
19腳輸出高電平,D18截止,同時13腳開始間隔輸出PWM試探信號,同時CPU通過分析電流檢測電路和VAC檢測電路反饋的電壓信息、VCE檢測電路反饋的電壓波形變化情況,判斷是否己放入適合的鍋具,如果判斷己放入適合的鍋具,CPU13腳轉為輸出正常的PWM信號,電磁爐進入正常加熱狀態,如果電流檢測電路、VAC及VCE電路反饋的信息,不符合條件,CPU會判定為所放入的鍋具不符或無鍋,則繼續輸出PWM試探信號,同時發出指示無鍋的報知信息(祥見故障代碼表),如1分鐘內仍不符合條件,則關機。
2.9 VAC檢測電路
AC220V由D1、D2整流的脈動直流電壓通過R79、R55分壓、C32平滑後的直流電壓送入CPU,根據監測該電壓的變化,CPU會自動作出各種動作指令:
(1) 判別輸入的電源電壓是否在充許範圍內,否則停止加熱,並報知信息(祥見故障代碼表)。
(2) 配合電流檢測電路、VCE電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應的動作指令(祥見加熱開關控制及試探過程一節)。
(3) 配合電流檢測電路反饋的信息及方波電路監測的電源頻率信息,調控PWM的脈寬,令輸出功率保持穩定。
「電源輸入標準220V±1V電壓,不接線盤(L1)測試CPU第7腳電壓,標準為1.95V±0.06V」。
2.10 電流檢測電路
電流互感器CT二次測得的AC電壓,經D20~D23組成的橋式整流電路整流、C31平滑,所獲得的直流電壓送至CPU,該電壓越高,表示電源輸入的電流越大,
CPU根據監測該電壓的變化,自動作出各種動作指令:
(1) 配合VAC檢測電路、VCE電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應的動作指令(祥見加熱開關控制及試探過程一節)。
(2) 配合VAC檢測電路反饋的信息及方波電路監測的電源頻率信息,調控PWM的脈寬,令輸出功率保持穩定。
2.11 VCE檢測電路
將IGBT(Q1)集電極上的脈衝電壓通過R76+R77、R53分壓送至Q6基極,在發射極上獲得其取樣電壓,此反影了Q1
VCE電壓變化的信息送入CPU, CPU根據監測該電壓的變化,自動作出各種動作指令:
(1) 配合VAC檢測電路、電流檢測電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應的動作指令(祥見加熱開關控制及試探過程一節)。
(2)
根據VCE取樣電壓值,自動調整PWM脈寬,抑制VCE脈衝幅度不高於1100V(此值適用於耐壓1200V的IGBT,耐壓1500V的IGBT抑制值為1300V)。
(3)
當測得其它原因導至VCE脈衝高於1150V時(此值適用於耐壓1200V的IGBT,耐壓1500V的IGBT此值為1400V),CPU立即發出停止加熱指令(祥見故障代碼表)。
2.12 浪湧電壓監測電路
電源電壓正常時,V14>V15,V16
高(V16約4.7V),D17截止,振蕩電路可以輸出振蕩脈衝信號,當電源突然有浪湧電壓輸入時,此電壓通過C4耦合,再經過R72、R57分壓取樣,該取樣電壓通過D28另V15升高,結果V15>V14另
IC2C比較器翻轉,V16=0V,D17瞬間導通,將振蕩電路輸出的振蕩脈衝電壓V7拉低,電磁爐暫停加熱,同時,CPU監測到V16
低,立即發出暫止加熱指令,待浪湧電壓過後、V16由轉高時,CPU再重新發出加熱指令。
2.13 過零檢測
當正弦波電源電壓處於上下半周時,
由D1、D2和整流橋DB內部交流兩輸入端對地的兩個二極體組成的橋式整流電路產生的脈動直流電壓通過R73、R14分壓的電壓維持Q11導通,Q11集電極電壓變0,
當正弦波電源電壓處於過零點時,Q11因基極電壓消失而截止,集電極電壓隨即升高,在集電極則形成了與電源過零點相同步的方波信號,CPU通過監測該信號的變化,作出相應的動作指令。
見圖dcl-12-13
2.14 鍋底溫度監測電路
加熱鍋具底部的溫度透過微晶玻璃板傳至緊貼玻璃板底的負溫度係數熱敏電阻,該電阻阻值的變化間接反影了加熱鍋具的溫度變化(溫度/阻值祥見熱敏電阻溫度分度表),熱敏電阻與R58分壓點的電壓變化其實反影了熱敏電阻阻值的變化,即加熱鍋具的溫度變化,
CPU通過監測該電壓的變化,作出相應的動作指令:
(1) 定溫功能時,控制加熱指令,另被加熱物體溫度恆定在指定範圍內。
(2) 當鍋具溫度高於220℃時,加熱立即停止, 並報知信息(祥見故障代碼表)。
(3) 當鍋具空燒時, 加熱立即停止, 並報知信息(祥見故障代碼表)。
(4) 當熱敏電阻開路或短路時, 發出不啟動指令,並報知相關的信息(祥見故障代碼表)。
2.15 IGBT溫度監測電路
IGBT產生的溫度透過散熱片傳至緊貼其上的負溫度係數熱敏電阻TH,該電阻阻值的變化間接反影了IGBT的溫度變化(溫度/阻值祥見熱敏電阻溫度分度表),熱敏電阻與R59分壓點的電壓變化其實反影了熱敏電阻阻值的變化,即IGBT的溫度變化,
CPU通過監測該電壓的變化,作出相應的動作指令:
(1) IGBT結溫高於85℃時,調整PWM的輸出,令IGBT結溫≤85℃。
(2) 當IGBT結溫由於某原因(例如散熱系統故障)而高於95℃時, 加熱立即停止, 並報知信息(祥見故障代碼表)。
(3) 當熱敏電阻TH開路或短路時, 發出不啟動指令,並報知相關的信息(祥見故障代碼表)。
(4) 關機時如IGBT溫度>50℃,CPU發出風扇繼續運轉指令,直至溫度<50℃(繼續運轉超過4分鐘如溫度仍>50℃,
風扇停轉;風扇延時運轉期間,按1次關機鍵,可關閉風扇)。
(5) 電磁爐剛啟動時,當測得環境溫度<0℃,CPU調用低溫監測模式加熱1分鐘,
1分鐘後再轉用正常監測模式,防止電路零件因低溫偏離標準值造成電路參數改變而損壞電磁爐。見上圖
2.16 散熱系統
將IGBT及整流器DB緊貼於散熱片上,利用風扇運轉通過電磁爐進、出風口形成的氣流將散熱片上的熱及線盤L1等零件工作時產生的熱、加熱鍋具輻射進電磁爐內的熱排出電磁爐外。
CPU發出風扇運轉指令時,15腳輸出高電平,電壓通過R5送至Q5基極,Q5飽和導通,VCC電流流過風扇、Q5至地,風扇運轉;
CPU發出風扇停轉指令時,15腳輸出低電平,Q5截止,風扇因沒有電流流過而停轉。
2.17 主電源
AC220V
50/60Hz電源經保險絲FUSE,再通過由CY1、CY2、C1、共模線圈L1組成的濾波電路(針對EMC傳導問題而設置,祥見註解),再通過電流互感器至橋式整流器DB,產生的脈動直流電壓通過扼流線圈提供給主迴路使用;AC1、AC2兩端電壓除送至輔助電源使用外,另外還通過印於PCB板上的保險線P.F.送至D1、D2整流得到脈動直流電壓作檢測用途。
註解:由於中國大陸目前並未提出電磁爐須作強制性電磁兼容(EMC)認證,基於成本原因,內銷產品大部分沒有將CY1、CY2裝上,L1用跳線取代,但基本上不影響電磁爐使用性能。
2.18輔助電源
AC220V 50/60Hz電壓接入變壓器初級線圈,次級兩繞組分別產生13.5V和23V交流電壓。
13.5V交流電壓由D3~D6組成的橋式整流電路整流、C37濾波,在C37上獲得的直流電壓VCC除供給散熱風扇使用外,還經由IC1三端穩壓IC穩壓、C38濾波,產生+5V電壓供控制電路使用。
23V交流電壓由D7~D10組成的橋式整流電路整流、 C34濾波後,
再通過由Q4、R7、ZD1、C35、C36組成的串聯型穩壓濾波電路,產生+22V電壓供IC2和IGBT激勵電路使用。
2.19 報警電路
電磁爐發出報知響聲時,CPU14腳輸出幅度為5V、頻率3.8KHz的脈衝信號電壓至蜂鳴器ZD,令ZD發出報知響聲。
三、故障維修
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