1.華為專利申請全球第一，任正非：今年研發將超200億美元
2.OPPO帶全鍵盤的保護殼專利曝光，手機秒變掌上電腦
3.【專利解密】晶訊聚震新型FBAR射頻濾波器助力5G市場
1.華為專利申請全球第一，任正非：今年研發將超200億美元
集微網消息，日前根據柏林技術大學和德國智慧財產權研究公司Iplytics最近一項聯合研究，華為是目前全球擁有5G專利數量最多的公司，共有3147項5G專利，其次是三星電子，共有2795項5G專利，排名第三的是中興，擁有2561項5G專利。
華為專利申請第一
從此前華為官方公布的數據來看，華為2019年華為研發費用達1317億元人民幣，佔全年銷售收入15.3%。全球有效專利85000件，發明專利佔比90%，歐盟專利局專利申請3524件排名第一。
按照國家來分類看，根據世界智慧財產權組織(WPIO)最新公布的數據顯示，2019年中國通過專利合作條約(PCT)體系申請了58990件專利，首次超過美國(57840件)，成為世界第一。
中國專利申請領先世界
中美之後，日本(52660件)、德國(19353件)、韓國(19085件)分列第三到第五位，之後是法國、英國、瑞士、瑞典、荷蘭。按照洲際劃分，亞洲佔了52.4％，歐洲為23.2％，北美洲為22.8％。
企業方面，中國華為4411件專利申請遙遙領先，而且連續三年世界第一，之後是日本三菱電機、韓國三星電子、美國高通、中國OPPO、中國京東方、瑞典愛立信、中國平安科技、德國博世、韓國LG電子。
在全球範圍內，中國申請專利已經超越美國成為第一，而企業方面也是來自中國的華為公司領先。當然專利數申請的數量多少並不能完全說明一個國家或者一個企業的科技實力，可是這仍然是一個科技創新的重要指標。
據任正非此前採訪的時候透露，華為計劃把2020年研發預算提高58億美元，而今年他們的整個研發費用要超過200億美元的水平（高於去年的150億美元），約合人民幣超1421億元。
華為要想保持領先，科技創新是必不可少。之前任正非就曾表示，華為每年研發經費中，約20%—30%用於研究和創新，70%用於產品開發。華為已將銷售收入14%以上用於研發經費。未來幾年，每年研發經費會逐步提升到100-200億美元。
有業內人士表示，華為為何一直保持高研發費用，原因在於5G技術的投入，而華為也是業內少數能夠提供5G端到端服務的廠商。對於5G技術，華為一直底氣信心十足。此外任正非也在採訪的時候透露華為在6G技術上的投入，其早已行動，並表示華為對於6G的研發也是領先世界，同時判斷6G將會在十年以後才會正式投入使用。
對於2019年美國的封鎖，任正非表示2019年的銷售收入增長接近20%，利潤大幅度增長，這就證明了客戶對華為的信任並沒有因為美國對我們打擊而產生影響。
有消息指出，華為去年在美國採購了187億美元（約合1324億元）的零部件，過去只有110億美元，大幅增加了對美國零部件採購量。
雖然面臨美國政府方面的制裁和封鎖，但是任正非表示拋開一些其他因素，華為與美國公司方面的合作都是暢順的，並且他強調華為手機、5G基站是可以不用美國元器件的，不過目前並無必要走到那一地步。（校對/譚倫）
2.OPPO帶全鍵盤的保護殼專利曝光，手機秒變掌上電腦
集微網消息 近日OPPO申請的一份智慧型手機外觀設計專利曝光，專利文件顯示，其將QWERT全鍵盤容納進了手機的保護殼之中。
全鍵盤與九宮格之爭從功能機時代延續至智能機時代，雖然某種意義上，全鍵盤已成為復古的元素之一，但仍有大量忠實擁躉存在。尤其在需要頻繁在手機上輸入字體時，外置的全鍵盤是非常理想的選擇。
此前就曾有日本網友推出Physibo，為iPhone X/XS和11 Pro加上物理鍵盤保護套。
今年三月，歐洲一家公司Planet computer發布了一款名為Astro Slide 5G Transformer的新機。這款新機一大亮點就是支持側滑全鍵盤，可以瞬間變成一臺掌上電腦。此前，諾基亞和摩託羅拉等品牌都曾有先例。不過這也讓這款手機不得不增加厚度和重量。
而OPPO的專利設計顯然是兼顧掌上電腦需求和機身厚度的選擇。當然，目前尚不清楚OPPO是否有為其新機推出此配件的打算，鍵盤式保護套是否真的有用，也尚待市場驗證。
事實上，OPPO一直是業界勇於「嘗鮮」的典範。從超窄邊框到水滴屏再到機械升降，從有線閃充到無線閃充再到隔空充電……OPPO一直是探索黑科技的先鋒。其Find系列直接以探索命名。此前有媒體認為，OPPO在技術上的突破以及外觀上的創新，將是國內手機市場的「一枝獨秀」。（校對/諾離）
3.【專利解密】晶訊聚震新型FBAR射頻濾波器助力5G市場
【嘉德點評】晶訊聚震所改進的FBAR濾波器，其空氣腔體嵌入矽柄的二氧化矽層，能夠大大提高濾波器的性能。隨著5G的發展，該濾波器必將大規模應用於射頻前端市場，發揮其性能優勢。
集微網消息，近些年射頻前端市場規模持續擴大，據Yole Development報告預測，濾波器市場從2017-2023年將增長3倍左右。而在前不久，晶訊聚震科技有限公司在珠海正式發布了其自主研製的B41全頻段FBAR濾波器，在支持高功率的同時可以縮小封裝尺寸，擁有大帶寬、高帶外抑制以及低插損等優異性能。
射頻濾波器廣泛應用於無線通信領域，用於對特定頻率帶寬內的信號進行選擇並進理，濾波器核心為一組諧振器，其質量由品質因子Q和壓電薄膜的K2eff給出。為最大化濾波器性能，諧振器使用獨立體聲薄膜構成體聲波濾波器（FBAR），由於薄膜只有在其被使用的邊緣周圍被支撐，因此底電極與載體晶圓間存在一個空氣腔體，影響了FBAR濾波器性能的進一步提高。
在這種情況下，晶訊聚震公司於2018年6月21日提出一項名為「製造具改進腔體的單晶壓電射頻諧振器和濾波器的方法」的發明專利（申請號：201810640995.6），申請人為珠海晶訊聚震科技有限公司。
此專利提出一種FBAR濾波器裝置，包括一個諧振器陣列，每個諧振器包括夾在第一和第二金屬電極之間的單晶壓電薄膜，其中第一電極由空氣腔體上的支撐薄膜支撐，空氣腔體被嵌入矽蓋上的二氧化矽層中，具有穿過矽蓋並進入空氣腔體中的矽通孔。
圖1 腔體限定的諧振器和濾波器流程圖
圖1展示了具有改進腔體限定的壓電射頻諧振器和濾波器設計流程圖。首先製造第一部分A，在矽柄的二氧化矽塊上提供支撐薄膜，溝槽穿過二氧化矽層，第二部分B由可拆卸載體襯底上的壓電薄膜組成，進而將金屬電極夾在壓電薄膜與支撐薄膜之間，然後在步驟D中移除載體襯底，休整壓電層和電極，並施加鈍化層、黏附層和上電極。在每個濾波器陣列周圍製造堅硬的框架，利用框架和焊端製造具有鍵合層的蓋子陣列，放入濾波器陣列。最後削薄穿過矽蓋至二氧化矽的矽蓋蝕刻孔以及部分陶瓷薄膜和塞孔。
圖2 製作金屬層支撐薄膜流程圖
圖1中的支撐薄膜由沉積到矽蓋上的二氧化矽層組成，其製作方式如圖2。利用蝕刻技術穿過薄膜、二氧化矽，並在支撐薄膜31上沉積諸如氮化矽的耐蝕刻塗層，並將其沉積到溝槽圖案，在蓋子上創建對準標記，並用抗蝕刻塗層作為溝槽的襯裡，然後用濾波器填充溝槽。接下來移除填充物圖層，對下支撐薄膜進行拋光並沉澱黏附層、電極層以及鍵合層。由於濾波器陣列包括支撐膜和難以製造尺寸精確的單晶薄膜、以及鈍化層和電極，因此最好在蓋子上製造密封環，並將具有密封環的蓋子和接觸疊層附接到其餘結構
以上就是晶訊聚震所改進的FBAR濾波器，其空氣腔體嵌入矽柄的二氧化矽層，能夠大大提高濾波器的性能。隨著5G的發展，該濾波器必將大規模應用於射頻前端市場，發揮其性能優勢。
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（校對/holly）
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