證券代碼：300102 證券簡稱：
乾照光電公告編號：2018-120
廈門乾照
光電股份有限公司
關於投資VCSEL、高端LED晶片等半導體研發生產項目的公告
本公司及董事會全體成員保證公告內容真實、準確、完整，沒有虛
假記載、誤導性陳述或重大遺漏。
一、對外投資概述
1、為充分發揮廈門乾照
光電股份有限公司（以下簡稱「公司」）已有的技術
優勢、設備優勢、工藝優勢，提升產品結構，加快實現科技成果的轉化，公司擬出
資159,670.49萬元建設VCSEL、高端LED晶片等半導體研發生產項目，其中銀行貸
款85,096.20萬元，其餘由公司以其他方式自籌出資，該項目由公司全資子公司廈門
乾照半導體科技有限公司（以下簡稱「乾照半導體」）負責承辦。
2、公司第四屆董事會第十一次會議以7票同意、0票反對、0票棄權審議通過《關
於投資建設VCSEL、高端LED 晶片等半導體研發生產項目的議案》，根據《深圳
證券交易所創業板股票上市規則》、《公司章程》等相關規定，本事項尚需提交股
東大會審議通過。
3、本次對外投資不涉及關聯交易，不構成《上市公司重大資產重組管理辦法》
規定的重大資產重組。
二、全資子公司基本情況
公司名稱：廈門乾照半導體科技有限公司
統一社會信用代碼：91350200MA2Y49Y47P
公司類型：有限責任公司
法定代表人：金張育
註冊資本：5,000萬元人民幣
企業地址： 廈門火炬高新區（翔安）產業區翔天路267號
主營業務：光電子器件及其他電子器件製造；集成電路製造；半導體分立器件
製造；電子元件及組件製造；照明燈具製造；電光源製造；燈用電器附件及其他照
明器具製造；光伏設備及元器件製造；工程和技術研究和試驗發展；信息技術諮詢
服務；其他電子產品零售；經營本企業自產產品的出口業務和本企業所需的機械設
備、零配件、原輔材料的進口業務（不另附進出口商品目錄），但國家限定公司經
營或禁止進出口的商品及技術除外。
三、投資項目基本情況
（一）項目名稱：VCSEL、高端 LED晶片等半導體研發生產項目
（二）項目地址：福建省廈門市翔安區市頭
（三）項目內容：項目安排在2018年啟動，2019年上半年開工建設，建設期
預計22個月，2021年建成投產，2022年實現滿產運行。
建設周期將設備安裝、調試計算在內，確保能按期完成投產。
項目建設內容主要為主生產廠房、汙水處理站、氫氣站、氮氣站、化學品 庫、
宿舍、其他倉庫等。
（四）項目總投資及資金籌措: 項目建設總資金 159,670.49萬元，其中建設投
資119,622.01萬元，建設期利息3,024.99萬元，流動資金37,023.49萬元。
其中，銀行貸款85,096.20萬元，其餘為
乾照光電以其他方式自籌。
（五）項目主要經濟指標：
本項目投產後，預測達產後年銷售收入96,628.29 萬元，達產年利潤總額
23,690.91萬元，達產年投資利潤率17.71%，投資利稅率18.63%，全部投資所得稅
後財務內部收益率為21.72%；投資回收期6.01年。可見，項目財務效益較好，有
較強的清償債務能力。
（六）項目建設的必要性
1、對公司的戰略發展具有重要意義
砷化鎵/氮化鎵半導體器件主要依附於MOCVD進行外延生產，技術含量高；在
軍用和民用無線通訊等領域需求旺盛，而相關國內廠商稀缺，國家正大力支持該行
業的迅速發展。
乾照光電憑藉在砷化鎵和氮化鎵光電器件領域多年研發和生產的積
累，通過本項目的建設，將有助於
乾照光電在其他市場領域的突破，對公司的戰略
發展具有重要意義。
2、推動LED晶片技術升級、拓展應用範圍及高端產品國產化的需要
我國是傳統照明產品的製造和消費大國，半導體照明作為新型的節能環保技術，
其核心器件產品LED晶片的效率指標以及成本偏高一直是制約我國該產業發展的
重要因素。發光效率的提高取決於LED外延晶片技術的積累和進步，製造成本的降
低則取決於LED晶片生產的規模化以及上遊配套產業鏈的技術發展及成本控制能
力。長期以來，以日本為代表的發達國家佔據著LED晶片生產的大部分市場份額，
我國本土LED晶片企業佔比相對較小，配套產業鏈技術薄弱。近年來，隨著國產LED
晶片技術的不斷提高，晶片產品的性能得到較大提升，在顯示屏、照明、背光等諸
多應用領域得以應用並逐步獲得市場認可，但是，從晶片技術還是無法與日本等發
達國家同臺競技，公司要以發展高端產品倒逼整體晶片技術進步。另要用高端LED
晶片提高市場滲透率，半導體產業在未來3-5年將是跨越式發展的階段，晶片製造企
業必須做好充分準備應對市場需求的快速提升，特別是對高性能低成本的晶片產品。
本項目建成達產後，有利於推動高端可見光半導體LED晶片的國產化進程，降低終
端應用產品的生產成本，促進產業健康發展，完善我國自主的LED產業鏈，提升我
國半導體產業的國際競爭力。
3、提升公司市場競爭力的需要
由於我國是全球最大的照明產品生產國和出口國，所以將來中國是以LED產
業為核心的半導體照明產業的主要聚集區域。LED上遊外延晶片行業對資金和技術
要求較高，這也成為進入該行業的最大門檻。在未來日趨激烈的市場競爭中，具備
規模和技術優勢的企業會逐漸拉開與競爭對手的差距，從而成為行業的主導者。
隨著公司產品品質和知名度的不斷提升，市場對公司產品的認同度也不斷提高，
但與臺灣晶電等國際廠商相比，公司規模仍有較大的提升空間。隨著公司客戶面不
斷拓展和客戶對公司高端產品需求的日益增長，公司現有規劃的產能已無法與公司
的市場地位相稱。產能的不足不僅制約了公司收入和盈利規模的進一步提升，也在
一定程度上影響到公司的市場競爭力。為了提升規模效益，提高客戶忠誠度，進而
保持公司的市場領先地位，擴產項目建設勢在必行。通過該項目的建設，公司生產
規模會更上新臺階，市場競爭力會得到顯著提升,主要體現在以下幾個方面:
（1）節約生產和市場成本的需要
隨著LED晶片行業的快速發展，對於晶片的性價比越來越高，加工的圓片向
大尺寸、高良率、高亮度方向發展。此項目全部採用4寸（或6寸）襯底片（原為
2寸片）加工，用先進的工藝技術提良提亮等，從而帶來成本優勢；同時應用自主
最新研發的成果，生產新品以提高售價，以新的管理模式提產量攤薄固定成本，降
低單位晶片成本，大大提高公司的市場競爭力。
（2）擴大公司發展空間，適應市場的需要
隨著2013年以來，LED行業經歷高速發展，快速投資，產品趨同，已形成短
期結構性過剩，行業的產業鏈各環節，產能規模、市場份額正在聚集到少數技術保
持先進、努力降低成本提高性價比、管理水平良好的企業之中。上遊供應商、下遊
的客戶，也正在用戰略發展的眼光，選擇技術先進、管理好、成本低的外延晶片制
造商作為長期發展的戰略夥伴。
（3）充分發揮規模效益
公司目前在技術上與臺灣最好的外延晶片廠已在同一水平上，在成本和產品性
價比上佔有絕對優勢。但現在受限於場地和排放指標不足，無法滿足進一步開發新
產品和高端產品以適應未來市場的需要。
（七）項目實施的有利條件
1、有國家政策的大力支持，有省市配套的扶持，市領導和火炬高新區管委會
的產業政策傾斜優勢。
2、乾照股份自成立起，一直高度重視技術研發、技術積累、成果轉化、人才
引進、技術儲備和人才儲備。是國家火炬計劃的重點高新技術企業，有國家級博士
後科研工作站、省級工程技術中心、省級企業技術中心。承擔了國家863計劃、國
家級火炬計劃等國家級、省級重點項目，有雄厚的技術力量，對本項目技術有多年
的積累。
3、項目所在地交通十分便利，有通往世界各地的海運和空運，有通往國內大
中城市的高速公路、高鐵動車、鐵路運輸線。
4、乾照股份是創業板上市公司，公司在該產業資本領域具有十分強大的影響
力和號召力，企業資本雄厚，建設資金有保障。
四、行業現狀及發展態勢
用砷化鎵製作的器件，具有高頻、高速和光電性能，主要用於通信產業。而第
三代的材料氮化鎵屬於寬禁帶半導體材料，以其寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、
高飽和電子漂移率、化學性能穩定等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功
率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。
（一）紅外LED
紅外LED光源市場並非「新鮮」，隨著固態照明（SSL）近期的發展而迅速成
長壯大。起初，紅外光源主要應用於光通信領域；進入20世紀80年代，紅外LED
開始被整合到各種消費類應用中，如遙控器；然後，紅外光源市場受夜視應用驅動，
如安防監控攝像機；近期，隨著各種新興應用的出現，例如臉部與虹膜辨識、心跳
血氧感測、虛擬實境（AR）、車用感測等應用出現，使得紅外光LED的產值持續成
長，帶來無限商機。
紅外LED在安防監控領域的具體應用方面，940nm 紅外線LED還能夠在連續
驅動模式下保持較長使用壽命和高功率，十分適合不間斷運行的監控系統。除了應
用於相機的紅外線照明，940nm 紅外線 LED 感測器可應用在IR數據傳輸、車用
感測器、遙控器等領域。
集邦諮詢預估2017年紅外線LED市場規模（不含光學感測元件市場） 約4.39
億美元，2018年估達到5.05億美元，預估至2021年持續成長至6.97億美元，主要
成長動力於安全監控、虹膜及臉部辨識、紅外線觸控面板等，紅外光源市場將迎來
10年的增長，成為LED廠商的新藍海！
公司的紅黃光晶片在現有紅外傳感晶片取得突破的基礎上，繼續拓展高端市場，
進入探測、安防領域。
（二）Mini&MicroLED
Micro LED的英文全名是「Micro Light Emitting Diode」，也可以寫作「μLED」。
以臺灣晶電的定義為例，一般的LED晶粒是介於200～300微米（micrometer, μm），
Mini LED（被稱為Micro LED前身）約50～60微米，而Micro LED則是在15微
米。
由於晶粒尺寸的差異，其各自的應用也就有所不同。一般的LED晶片以照明
與顯示器背光模組為主；Mini LED也會運用在背光應用上，但會是在高階的消費
產品，或者是車用市場，如群創光電的AM miniLED就是運用在車用顯示上；至於
Micro LED，其應用概念跟前兩者則完全不同，將會是一種全新的顯示技術，而它
的競爭對象則會是OLED。
MiniLED有兩方面的應用：一個是背光，一個是電影顯示屏。在Mini LED背
光的方向上，晶片端技術相對成熟，公司給下遊的封裝廠、終端用戶在做送樣配合。
在Mini顯示屏的部分，在Mini顯示屏部分晶片端公司已經完成準備。Mini LED方
面接下來跟應用、封裝廠一起配合做封裝端的突破。
（三）VCSEL
VCSEL（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, 垂直腔表面發射雷射器），雷射
器全名為垂直共振腔表面放射雷射器和·簡稱面射型雷射器。它以砷化鎵半導體材料
為基礎研製，是一種半導體雷射器。基本結構是一個「三明治」結構，由上下兩個
DBR反射鏡和有源區(構成諧振腔)這三部分組成。其雷射垂直於頂面射出，與雷射
由邊緣射出的邊射型雷射有所不同。
2017年，以VCSEL雷射器為核心元器件的3D Sensing 攝像頭在iPhone十周
年機型的應用，將帶動相關細分市場十倍以上級別的爆發。iPhone X 臉部辨識啟動
3D感測應用後，非蘋陣營可望跟進，目前安卓手機陣營中沒有應用國產化的VCSEL
晶片。VCSEL外延片晶片的關鍵技術主要為國際少數幾家大公司所壟斷，也是我
國雷射晶片產業中較為薄弱的環節。
2017年VCSEL全球市場規模大概在1.5億美元左右。2019年，應用於智能手
機的VCSEL晶片出貨量預計將增長至2.4億顆。隨著全球範圍內相關VCSEL供應
商的產能不斷增長，全球VCSEL市場的複合年增長率（CAGR）可達17.3%，市場
規模到2022年或將增長至200億人民幣。2017年，蘋果手機開始應用VCSEL，2018
年國內一線手機品牌開始使用，同年蘋果在2018年的三款iPhone新機種，以及iPad
都要使用3D感測，這不包括2019年二線、三線品牌手機的導入。
（四）空間
太陽能電池
GaAs屬於III-V族化合物半導體材料，其能隙與太陽光譜的匹配較適合，且能
耐高溫。與矽
太陽能電池相比，GaAs
太陽能電池具有較好的性能。GaAs材料早在
1954年就被發現具有光伏效應，70年代，隨著IBM等公司及研究單位的參與，GaAs
作為
太陽能電池開始蓬勃發展。砷化鎵
太陽能電池的優勢有轉化率高、可塑性強、
弱光性好等優勢。
乾照是目前國內規模最大、最具實力的空間用砷化鎵三結
太陽能電池外延片供
應商，公司提供的空間用砷化鎵三結
太陽能電池外延片佔國內空間電源市場的50%
以上。公司自主開發的空間用高效砷化鎵三結
太陽能電池具有轉換效率高、可靠性
優異、抗輻照能力強等優點，產品各項性能指標達到國內領先、國際先進水平，已
被廣泛應用於空間飛行器太陽板陣列。2014年該產品被認定為「國家戰略性創新產
品」。
五、風險及對策
（一）市場風險
雖然我國的半導體照明技術和產品市場起步較晚，但是自2003年國家半導體
照明工程啟動以來，經過十多年的快速發展，已經由最初的跟蹤追趕國外技術的初
級階段發展到目前產業鏈完整、產值規模超過6,500億元的半導體照明產業大國。
LED高效節能的特性在照明、背光、顯示等領域具有巨大的市場發展空間，吸引了
眾多的企業進入半導體照明領域。從外延晶片、器件封裝到各種終端應用，目前國
內相關企業超過4,000家，很多照明巨頭和其它行業企業也紛紛投資LED產業，跨
界進入LED領域，致使行業競爭日趨激烈。為了降低市場風險，本項目將採取以
下防範措施：
1、制定靈活的公司產品策略和營銷策略。基於公司產品的良好組合，針對市
場需求的變化及時調整產品結構，以最快的速度對市場變化做出反應；
2、在項目建設運營過程中，鞏固與下遊客戶的關係並逐步擴大市場，在現有
市場份額的基礎上儘量拓寬應用市場；
3、組建高素質營銷團隊；
4、產品逐漸向中、高端發展，避免形成與低端產品惡性競爭的局面；
5、時刻跟蹤產品走向，及時回饋市場動向，並根據具體情況調整產品結構，
以適應市場需求；
6、採取多種合作方式，加快產品技術研發速度，提升並穩定產品質量，藉此
穩固與客戶的戰略合作關係，保障產品銷售暢通；
7、擴大產能，做大做強，爭取躋身全國前列，依靠資金實力、技術實力和產
品齊全化吸引和穩定客戶。
（二）技術風險
1、技術替代風險
LED光源的替代技術風險主要來自OLED，以OLED製備的平板顯示產品，具
有亮度高、色彩逼真、響應快、可彎曲等特點，在顯示、背光及照明裝飾方面具有
較強的競爭力，對LED光源造成了一定的威脅。另外，新技術的不斷成熟和運用
對現有技術也會形成一定的替代風險，如量子點發光材料等在顯示、背光及照明裝
飾方面的應用，可能會與現有LED產品形成一定的競爭。
2、智慧財產權風險
智慧財產權風險一方面來自國外，跨國公司進入中國市場往往是專利先行，他們
開始越來越頻繁地使用智慧財產權利器，在中國最具有市場潛力的領域進行智慧財產權
布局，同中國企業搶佔市場份額；另一方面來自國內，近年來國內LED專利增長
較快，特別是一些龍頭企業開始注重專利布局，建立自己的專利網，對後進入的企
業造成一定的技術壓力和專利阻力。總的來說，隨著國內智慧財產權意識增強，技術
發展加快，智慧財產權和專利技術問題應當引起LED企業的高度重視。
3、技術人才風險
外延晶片在LED產業鏈中屬技術含量最高的環節，最大的技術風險在於技術
人才的缺乏，主要表現為高端產業化技術人才不足、企業的相關技術人員的流失、
高層次技術人員培養的成本高且周期長等。
4、技術風險應對措施
（1）針對替代技術風險的應對措施：預計未來幾年，LED作為主流的發光技
術仍將處於持續高速增長期，且LED在智能照明、農業、醫療、通訊等領域的應
用越來越廣泛，短期內被其他技術替代的風險較小。
（2）針對智慧財產權風險的應對措施：外延技術方面上的專利絕大部分掌握在
國外幾家大公司手中，公司採取的技術路線是現階段最通行的技術，未涉及近幾年
的最新技術。近幾年的最新技術在國內申請註冊不多，大都集中註冊在日本、美國、
韓國、德國等國家，而公司的產品面向的是國內市場，不對外出口，不易引發知識
產權糾紛。晶片製程工藝的專利主要是雷射剝離、倒裝晶片結構、表面粗化、ITO（透明電極）等，前面幾項涉及的專利較少，所涉及的ITO技術大多情況下也可以
規避。公司可根據生產和銷售需要，在必要時購買部分涉及專利的智慧財產權；也可
與取得授權的企業進行技術合作，間接獲得專利的使用許可。此外，公司可在將失
效的專利基礎上研發並申請自己的專利，待原專利失效後，公司的新專利即可受到
保護。
（3）針對技術人才風險的應對措施：一是加強專業技術人才隊伍的建設和培
養，保持現有專業技術隊伍的穩定性；二是加強與臺灣及國外相關廠商的人才交流
與技術合作，引進吸收業界先進技術、先進工藝和管理經驗，提升企業內部專業技
術骨幹的專業技術水準；三是廣泛與國內科研院所合作，開展多種形式的技術和工
藝研究，間接獲得技術專家的支持。在保障現有產品持續改進的前提下，積極探索
新型產品的研發和生產，將技術風險轉化為技術優勢。
（三）管理及人才風險
本項目新增人員主要為基層管理人員和操作人員，為了控制管理與人才風險，
計劃採取如下措施：
1、管理方面
進一步優化公司治理機構。繼續貫徹執行總經理領導下的分工負責制，發揮各
部門之間的協同效應，保證公司發展戰略執行到位。
建立明確的「績效考核體系」，著重建立對主要高級管理人員、骨幹人才的激
勵制度。通過激勵機制和人才流動政策來吸引技術人才，加快培養中堅力量。
在現有基礎上，繼續開展精益生產、精益管理，保證生產現場管理的接續到位。
加強企業文化建設，建立以人為本的企業文化，堅持以新產品開發為公司的核
心競爭力，儘可能為技術人員提供良好的工作和生活環境。
2、人才方面
公司本著以人為本、科學技術為重的理念，按照引進人才、培養人才、儲備人
才的戰略思想，進行人才的引進和培養。建立人才管理方法和薪酬激勵機制，著重
對技術骨幹的培養，充分發揮各方面人才的優勢，做到人盡其材。
確定內部核心人員，做好核心人員的後備承接力量儲備，以防止人員流失帶來
的技術經驗的損失。
對於生產管理人員，公司從技術和管理兩方面加強對現有人員的培養，並從相
關院校招聘一批有吃苦耐勞精神的應屆畢業生作為基層管理人員的儲備人才，加強
培養。
操作人員對學歷的要求較低，高中以上學歷即可，公司通過在項目所在地和周
邊縣區的招聘可滿足用工需求，但應注意在日常工作中加強對其實踐操作能力的培
訓。
（四）政策風險
節能、環保、低碳經濟、可持續發展將是今後一段時期全球經濟發展的主題，
我國能源緊缺的狀況決定了節能減排也將是我國未來一段時間經濟發展的重點方
向。在此背景下，
乾照光電所屬綠色節能的半導體照明產業仍將會受到政策的大力
支持。《中國製造2025》、《「十三五」國家科技創新規劃》、《「十三五」國家戰略
性新興產業發展規劃》、《「十三五」節能環保產業發展規劃》等國家大政方針的出
臺，為半導體照明產業的發展創造了良好的政策環境。稅收、土地、進出口等多方
面的政策以及各種專項資金補貼措施不僅能夠促進新技術的進步，而且能夠拉動市
場，形成規模效應，推動成本下降，給LED行業發展提供更好的支撐。但如果未
來的產業或行業政策出現變化，公司面臨的市場環境和發展空間可能隨之出現變化，
公司也將面臨政策變化引致的經營風險。
六、可行性研究結論
經論證，本項目的在技術儲備、項目建設、設備購置安裝、原材料供應等方面
完全可以達到項目要求，在項目建設方面可行；本項目的產品方案根據行業市場現
狀及發展趨勢結合項目具體狀況制定，符合市場需求和項目定位，是可行性的；外
延晶片的工藝技術通過自身團隊研究創新，可以達到國內領先水平，符合項目技術
要求。
本項目投產後，預測達產年投資利潤率17.71%，投資利稅率18.63%，全部投
資所得稅後財務內部收益率為21.72%；投資回收期6.01年，可見，項目財務效益
較好，有較強的清償債務能力。
本項目的實施，可以對地區的半導體發展有明顯的推動作用。同時，該項目的
建設對廈門打造半導體高端產業集群計劃的實施具有重要意義。
在環境保護方面，本項目利用原有環保體系，完全可以達到環保標準，不會對
環境造成影響。
綜上所述，從建設條件、產品方案、工藝技術、經濟效益、社會效益、環境影
響等方面分析，本項目是可行的。
特此公告！
廈門乾照
光電股份有限公司董事會
2018年11月6日
中財網