改進的光耦繼電器電路可減少電流消耗,抵抗LED老化!

2020-12-10 華南微半導體
國產光耦替代進口-華南微半導體

在工作不同地電位的電路之間藉助光耦合器建立電流隔離似乎很簡單。光耦合器從隔離電路中汲取功率,並且由於LED老化,切換可能相對緩慢且不確定。提供光耦繼電器的替代產品,例如先進光半導體的APY212S替代進口AQY212S系列。本設計思想描述了一種改進簡單光耦合器的方法。

圖中顯示了兩種流行的0V交流同步設計。嘗試通過降低光耦合器的LED電流並相應增加光耦合器的負載電阻來降低隔離電路的功耗,會產生較慢且不確定的開關。為了實現更快,更清晰的切換,您將不得不犧牲功率效率。但是,由於功率效率和交流電壓幅度之間呈反比關係,因此犧牲的好處受到了限制。

國產光耦廠家-華南微半導體

光耦合器的LED在超過標稱值的幾乎所有交流周期中幾乎連續發光,從而導致低功率效率和光耦合器相對較快的老化。另一個缺點是過大和幾乎無法控制的過零誤差。電路的靈敏度閾值取決於光耦合器的參數。圖中的設計沒有提供理想的方法。就效率而言,它們可以吸收5至100mA的電流,具體取決於光耦合器的電流傳輸比和交流幅度。

圖2中的設計克服了功耗過大,開關不確定以及LED老化的問題。它非常適合寬交流範圍的應用。與圖1中的電路相比,圖2的LED僅在零交叉點附近發光,並從先前充電的電容器接收功率,因此您可以將平均電流消耗降低10到100倍。該設計還提供了更快,更確定性和更清晰地切換。更重要的是,您可以期待更慢的LED老化。圖1中的電阻R1和R2耗散的熱量不少於1.5W,因此將其更改為0.1W的器件可以在同一板面積上放置其他組件。

國產光耦生產廠家-華南微半導體

某些應用不需要施密特觸發器固有的磁滯。它還顯示了如何在D1中不需要最小反向電流的情況下進行管理。但是,該電路更適合純同步,而不適合晶閘管控制。由於LED電流的穩定性,這些設計提供了擴展的輸入交流電壓範圍,這可能對多標準交流供電小工具很有用。有機會設置LED電流而沒有LED過載的風險;並減少了光耦合器不穩定的影響。這些設計的另一個優勢是其固有的安全性。在其端子發生短路的情況下,光耦合器在隔離側和非隔離側之間提供的電流比圖1中的電路少10至100倍。光耦合器還具有優勢。由於佔空比低,您可以在不犧牲功率效率的情況下自由減小光耦合器負載電阻R8的值。這種減少導致較低的過零誤差。

國產光耦替代進口-華南微半導體

華南微半導體是專業的LED光電控制器件、光電耦合器、光MOS繼電器、LED外延晶片的高新設計創新型企業,總部位於廣東省深圳市南山區高新技術園區內,並在杭州、上海和香港設有研發中心和銷售服務支持中心。公司專注於為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、低電容等各類特殊應用的光電耦合器產品,並可根據客戶需要,為客戶提供定製類的產品設計及生產,使客戶的產品更具有市場競爭優勢。  本司的高低壓繼電器光耦具有在行內領先的研發實力,成功設計並量產了60V、400V、600V等不同負載電壓、各種負載電流光電耦合繼電器,廣泛應用於家用電器、智能電網、工業測控、5G通信、工控設備等領域。

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