1.SK 海力士在韓國利川增設封測產線 2019上半年或啟用；
集微網消息，據韓媒報導，近期 SK 海力士展開產線調整，欲將利川廠區內的舊 LCD 產線轉換為半導體封裝及測試用途，同時也會將現有的部分後段製程產線移轉至此，並添購機臺設備進行擴產。
據悉，SK 海力士增設產線的佔地規模約 3000 坪，投資金額約 5000 億韓元(約 4.6 億美元)，完工後後段製程產線規模將比原本大 2 倍，啟用時間暫訂 2019 上半年。
2017 年開始，SK 海力士將 M14 工廠二樓的部分 NAND Flash 產線轉換為生產 DRAM，工程還持續進行，未來每月 DRAM 的晶圓投片量可增加 2 萬片。若搭配擴增的後段製程產線，屆時將有更顯著的產能效益。
韓國業界表示，2017 年底 SK 海力士在重慶投資 3000 億韓元增設後段製程產線，這次在韓國利川增設的封測產線應是針對 DRAM 需求而來。2018 年以來，DRAM 市場持續處於供給短缺狀態，這現象恐長期延續，因此讓 SK 海力士決定在韓國擴大封測產能。
此外，業界認為 10 納米級先進位程使每片晶圓可生產的存儲器晶片數量增加，帶動封測需求量提高，而封裝體積縮小的趨勢令後段製程重要性提高，這些也都是SK海力士決定加強後段製程能力的因素。
利川廠區是 SK 海力士的主要生產基地，礙於韓國法令以無法取得新腹地，目前該廠區由 SK 海力士與現代 Elevator(Hyundai Elevator)共享土地。這次 SK 海力士用來擴增封裝產線的用地是以前現代電子出售 LCD 事業部給京東方時附帶出租的土地，最近土地租約到期回收使用權，SK 海力士才得以擴增產線。
2.臺軍方:嚴禁大陸手機進入臺軍營區；
【環球網綜合報導】臺防務部門負責人嚴德發7日聲稱，絕對禁止臺軍使用中國大陸品牌的智慧型手機。據臺「中時電子報」8日報導，防務部門發言人陳中吉8日也聲稱，嚴禁中國大陸手機進入營區，且任何手機進入營區，都會列管並裝設MDM軟體。
嚴德發昨天在「立法院」備詢時，民進黨「立委」蔡適應表示，美國軍方目前已禁止官兵使用小米、華為等中國大陸品牌的手機，詢問嚴德發目前臺軍手機使用方式。 對此，嚴德發稱，絕對禁止臺軍使用中國大陸廠牌的智慧型手機，在採購方案中也有明文規定，必須註明手機原產地、品牌。
而今天，陳中吉也在記者會上稱，嚴禁中國大陸手機進入營區，且任何手機進入營區前，都會針對機型、手機代碼、用途造冊列管，核定後才會發出認證標籤，並同時加裝MDM軟體，透過管制措施避免發生洩密情事。
《華爾街日報》2日報導稱，美國國防部正採取措施，要求全球美軍基地零售商店停止銷售華為和中興通訊生產的手機，稱其設備可能造成潛在的安全威脅。而美國商務部上月公布了針對中興通訊採購美國零部件的禁令，稱該公司未履行和解協議條款。中興通訊則表示，此舉有失公平，並將上訴。
另外，根據此前報導，臺灣當局上月27日要求聯發科停止向中興通訊出售晶片。該消息在網上引起了熱議。有輿論認為，臺灣在「中美貿易戰」上向大陸「捅刀」。更有人痛斥臺當局「美帝狗腿子」，並發出質問諷刺民進黨「臺灣這麼配合，能獲得什麼好處嗎？百姓沒有，『詐騙黨』絕對有」。 環球網
3.彭博：訂單或流向中國大陸 臺積電面臨大挑戰；
高燦鳴（Tim Culpan）
臺積電董事長張忠謀日前接受英國金融時報專訪時說，中、美貿易衝突對晶片業不利，強調「中國大陸組裝不少終端產品，因此中美之間的貿易糾紛可能也影響我們」。
張忠謀上述的分析可能是在刻意淡化問題，因為他肯定充分了解臺積電更大的風險，不於終端產品製造將受到短期幹擾，而是在於臺積電的晶片製造訂單可能會流向大陸的替代廠商。
目前晶片設計領域幾乎由高通、博通及英偉達壟斷，臺積電則是這些公司的主要供應商。然而，一旦設計廠商有了新的選擇，便可能不再只下單給臺積電。
中國大陸致力於科技自主，包括學會如何在大陸自有工廠製造最先進的半導體。華爾街日報報導，國家集成電路產業投資基金公司將宣布人民幣3,000億元，再度大舉投資晶片產業。
大陸不僅可能在晶片設計領域後來居上，也可能要求美國客戶委託大陸晶圓廠生產。目前大陸有20多座晶圓廠正在發展，由不同政府單位提供獎勵措施。為因應此勢頭，臺積電已在大陸南京設立晶圓廠。張忠謀說，「（中美貿易糾紛）是一項新挑戰，而且是我過去未曾面臨的挑戰」。
臺積電於2000年代初期擺脫聯電及IBM等對手，最近又力圖甩開三星。但一長串現金滿滿且飢腸轆轆的大陸競爭者，才是臺積電當前的真正挑戰，也是張忠謀過去從未遇到過的挑戰。（作者Tim Culpan是彭博專欄作家）
4.前進5納米 臺積電最新技術藍圖全覽；
持續同時朝多面向快速進展的晶圓代工大廠臺積電(TSMC)，於美國矽谷舉行的年度技術研討會上宣布其7納米製程進入量產，並將有一個採用極紫外光微影(EUV)的版本於明年初量產；此物該公司也透露了5納米節點的首個時間表，以及數種新的封裝技術選項。
臺積電也繼續將低功耗、低洩漏電流製程技術往更主流的22/12納米節點推進，提供多種特殊製程以及一系列嵌入式存儲器選項；在此同時該公司也積極探索未來的電晶體結構與材料。整體看來，這家臺灣晶圓代工龍頭預計今年可生產1,200萬片晶圓，研發與資本支出都有所增加；臺積電也將於今年開始在南京的據點生產16納米FinFET製程晶片。
唯一的壞消息是，臺積電的新製程節點是不完全步驟，因此帶來的優勢也越來越薄；而新的常態是當性能增加，功耗下降幅度通常在10~20%左右，這使得新的封裝技術與特殊製程重要性越來越高。
臺積電已經開始量產的7納米製程，預期今年將有50個以上的設計案投片(tap out)，包括CPU、GPU、AI加速器晶片、加密貨幣採礦ASIC、網路晶片、遊戲機晶片、5G晶片以及車用IC。該製程節點與兩個世代前的16FF+製程相較，能提供35%的速度提升或節省65%耗電，閘極密度則能提升三倍。
將採用EUV微影的N7+節點，則能將閘極密度再提升20%、功耗再降10%，不過在速度上顯然沒有提升──而且這些進展需要使用新的標準單元(standard cells)。臺積電已經將所謂的N7+節點基礎IP進行矽驗證，不過數個關鍵功能區塊還得等到今年底或明年初才能準備就緒，包括28-112G serdes、嵌入式FPGA、HBM2與DDR 5介面。
臺積電研究發展/設計暨技術平臺副總經理侯永清(Cliff Hou)預期，該EUV製程在布局IP方面需要多花10%~20%的力氣：「我們開發了一種實用方法以漸進方式來轉移IP。」他表示，經過完整認證的N7+節點EDA流程將在8月份完成；在此同時，該節點的256Mbit測試SRAM良率已經與初期版本的7納米節點相當。
展望未來，臺積電預計在2019上半年展開5納米製程風險試產，鎖定手機與高性能運算晶片應用；相較於第一版不採用EUV的7納米製程，5納米節點的密度號稱可達1.8倍，不過功耗預期只降低20%、速度約增加15%，採用極低閾值電壓(Extremely Low Threshold Voltage， ELTV)技術則或許能提升25%；臺積電並未提供ELTV技術的細節。
EUV功率水準順利朝明年初量產發展
「沒有EUV，他們就無法提供與過去節點相同的微縮優勢；」市場研究機構The Linley Group的分析師Mike Demler表示：「如果你看N7+製程，號稱比N7製程再微縮20%，因此EUV還是更接近傳統摩爾定律(Moore’s Law)微縮水準所需的，而N7到N5節點的微縮效果只會更糟。」
臺積電顯然擁有能在明年初以EUV微影進行量產的好運氣，該公司擁有的系統在4月份以250W維持生產數周，預期明年可達到300W，這是大量生產所需的功率水準。不過要維持每日平均145W的功率，臺積電還需要加把勁；對此該公司研究發展/技術發展資深副總經理米玉傑(Y.J. Mii)表示：「生產量正朝向滿足量產所需發展。」
除了透露在功率以及生產量方面的顯著進步，米玉傑表示，儘管仍超出三分之一，光阻劑量(resist dosage)的減少幅度也朝著該公司在2019年第一季量產的目標邁進；此外EUV光源的光罩護膜(protective pellicle的穿透率目前達到83%，明年應該可以達到90%。
米玉傑以數個案例為證明，表示EUV持續提供比浸潤式步進機更佳的關鍵尺寸(critical dimensions)均勻度；臺積電預期會同時在N7+以及5納米節點的多個層採用EUV，並積極安裝ASML的NXE3400微影設備。
看來臺積電的EUV量產計劃與三星(Samsung)的量產時程差距在六個月之內，後者表示將於今年導入量產，更多相關訊息可望在本月稍晚三星自家活動上曝光。而臺積電與三星的EUV量產時程差距，看來並不足以讓Apple或Qualcomm等大客戶更換代工夥伴；市場研究機構VLSI Research執行長G. Dan Hutcheson表示，只有幾個月的領先在長期看來是微不足道。
仍在萌芽階段的臺積電5納米節點，則預計在6月份釋出0.5版的EDA流程，以及在7月份推出0.5版的設計工具套件；該節點還有許多IP功能區塊要到明年才會完成驗證，包括PCIe 4.0、DDR 4以及USB 3.1介面。
臺積電的目標是在2019年讓10/7納米節點產量增加三倍，達到一年110萬片晶圓；該公司的Fab 18已經在臺灣的臺南科學園區興建中，預計在2020年開始5納米製程量產。
多種封裝技術選項
臺積電已經為GPU與其他處理器打造CoWoS 2.5D封裝技術，還有智慧型手機晶片適用的晶圓級扇出式封裝InFO，除了繼續推廣這兩種技術，該公司還將添加其他新技術選項。
從明年初開始，CoWoS技術將提供具備倍縮光罩(reticle)兩倍尺寸的矽中介層選項，以因應該領域的需求；而具備130微米凸塊間距的版本則將在今年通過品質認證。InFO技術則會有四種衍生技術，其中存儲器基板應用的InFO-MS，將在1x倍縮光罩的基板上封裝SoC與HBM，具備2x2微米的重分布層(redistribution layer)，將在9月通過驗證。
InFO-oS則擁有與DRAM更匹配的背向RDL間距，而且已經準備就緒；一種名為MUST的多堆疊選項，將1~2顆晶片放在另一顆比較大的晶片頂部，然後以位於堆疊底部的矽中介層來連結。最後還有一種InFO-AIP就是封裝天線(antenna-in-package)技術，號稱外觀尺寸可縮小10%，天線增益則提高40%，鎖定5G基頻晶片的前端模組應用等設計。
市場研究機構TechSearch International總裁暨資深封裝技術分析師Jan Vardaman表示：「InFO是重要的平臺，臺積電的以PoP形式整合存儲器與基頻/數據機的InFO封裝令人印象深刻──高度較低、尺寸較小而且性能更佳；基板上InFO技術則會在市場上大受歡迎，因為2微米線寬與間距適合多種應用。」
不只如此，臺積電還發表兩種全新的封裝技術選項。其中在4月底問世的WoW (wafer-on-wafer)封裝直接以打線堆疊三顆裸晶，不過使用者還需要確定其EDA流程是否支援這種打線(bonding)技術；該技術還將在6月推出支援EMI的版本。
最後臺積電還大略描述了一種被稱為「整合晶片系統」(system-on-integrated-chips，SoICs)的技術，採用10納米以下的互連來連結兩顆裸晶，但技術細節還要到明年才會透露；該技術鎖定的應用從行動通訊到高性能運算，而且能連結採用不同製程節點生產的裸晶，看來是某種形式的系統級封裝(SiP)。
一位分析師在臺積電技術研討會的休息時間表示：「日月光(ASE)一直是封裝技術領域的領導者，但現在我得說臺積電才是。」臺積電的動機很明顯，隨著CMOS製程微縮的優勢漸退，封裝技術能有助於性能表現，一部份是透過更快的存儲器存取。
在過去幾年，擁有三種後段製程生產線的臺積電拿到了Apple的大訂單，部份是因為InFO與Xilinx還有Nvidia，也有部份是因為CoWoS。而The Linley Groupe的Demler表示，新的封裝技術選項「看來是在摩爾定律終結之後具備長期潛力的替代方案，但成本相當昂貴，也仍有許多問題待克服。」
填滿主流製程選項
臺積電有超過三分之一的營收來自於28納米以上節點，因此該公司除了提及在特殊製程方面的進展，也有比尖端製程舊一至兩個世代的製程節點新進展。
舉例來說，臺積電正在開發22納米平面製程與12納米FinFET製程的超低功耗與超低漏電版本，號稱能與Globalfoundries和Samsung的FD-SOI製程分庭抗禮。新版本的22納米製程採用28納米設計規則，提供10%的光學微縮(optical shrink)與速度增益，或者能降低20%功耗；該製程與相關IP將於今年底準備就緒，鎖定先進MCU、物聯網與5G毫米波晶片等應用。
12納米版本的低功耗/低漏電製程則採用FinFET架構以及更小巧的單元庫(cell libraries)，可提供比臺積電16FFC 製程高16%的速度，高速Serdes等少數幾個IP則要到明年才問世。
存儲器方面，40納米的電阻式RAM已經準備好取代物聯網晶片中的快閃記憶體，只需要添加兩層光罩，並支援10年的儲存時間以及1萬次讀寫周期。將於今年問世的22納米嵌入式MRAM支援高於快閃記憶體的速度與更長的儲存期限，鎖定汽車、手機、高性能運算等設計；該技術到目前為止號稱在測試晶片上皆具備高良率。
此外，臺積電也提供小型化的微機電系統(MEMS)製程，預期在今年秋天可提供整合10V與650V驅動器的矽基氮化鎵(GaN-on-silicon)製程，明年則可完成蜂巢式通訊功率放大器採用的100V D-HEMT製程驗證。
臺積電也具備車用16FFC製程的經驗證EDA流程以及IP，計劃今年底可提供7納米車用製程，將於2019年第二級通過完整認證。
大陸市場與電晶體研發進展
除了宣布其位於南京的晶圓廠比預期提早數個月展開16納米FinFET製程生產，臺積電也透露了長期研發計劃，以及在製程自動化方面採用機器學習的進度。
臺積電南京廠的第一階段建築包括媲美Apple美國新總部但規模沒那麼大、外觀像太空船的員工餐廳以及管狀的辦公大樓，以及月產量2萬片晶圓的廠房；而該廠區若完成所有建設，月產量最高可達到8萬片晶圓。
臺積電南京廠外觀設計圖
（來源：EE Times）
在此同時，臺積電的研究員在適合2納米以下製程節點應用的下一代電晶體所需之堆疊納米線(nanowires)、納米片(nanosheets)設計上取得了進展，號稱能支援比FinFET更佳的靜電(electrostatics)特性，而且可以藉由調整元件寬度達到功耗與性能的最佳化。
臺積電認為鍺(germanium)是具備潛力的矽替代材料，因為在相同速度下功耗較低；該公司已經在與CMOS相容之介電質中利用該材料，達到了創紀錄的低接觸電阻。臺積電也正在研究各種2D後段材料，包括具備原子級光滑表面的二硫化鉬(molybdenum disulfide)。
此外臺積電也在實驗新方法來放大銅晶粒(copper grain)，以降低互連中的電阻；並正在研發選擇性介電質上介電質(selective dielectric-on-dielectric)沉積製程，以實現銅通孔的(vias)的自動對準(self-aligning)。
在存儲器技術方面，22納米以下節點應用的嵌入式MRAM技術是重點研發項目之一，有可能具備替代性磁結構；在40納米以下電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)部份，高密度的縱橫閂(crossbar)被視為具能源效益的方案，特別是應用於AI加速度晶片。
在製程自動化部份，臺積電正採用機器學習技術系統化分析大量晶圓製程資料，並已經針對特定工具與產品調整了製程參數(recipe)；此外該公司也針對製程變異進行追蹤與分類，以實現找出工具、製程或材料中問題所在的自動化。
臺積電擁有具備超過5萬種製程參數與上千萬製程管制圖(control charts)的資料庫，不過該公司將如何把機器學習運用於自動化任務，以及將運用於何種產品線上，目前並不清楚──毫無疑問，仍有某項工作正在進行中，或許其中也有一些不為外人道的秘方。
編譯：Judith Cheng eettaiwan
(參考原文： TSMC’s Roadmap Full, But Thin，by Rick Merritt)
5.受惠缺貨和漲價效益 環球晶Q1營收實現九連漲；
在缺貨、漲價效應帶動下，半導體矽晶圓廠環球晶圓（6488）第1季財報亮眼，包括營收、毛利率、營業利益、營業利益率、稅後純益、稅後純益率和每股純益均創新高，單季每股純益6.36元（新臺幣，後同），已經超越去年全年的一半。
環球晶圓昨（8）日召開董事會通過首季財報，首季合併營收139.10億元，季增11.8%，年增率31.5%，再創新高，營收連九季成長。
受惠於缺貨和漲價效益，環球晶圓第1季毛利率一口氣拉高到36.2%，季增5.8個百分點，且比去年同期大增16.2個百分點，連續兩季毛利率站上三成，改寫新高。
由於營收和毛利率顯著提升，環球晶首季營業利益39.23億元，營業利益率28.2%，季增近8個百分點，再創新高，也比去年同期顯著提高18.1個百分點。
在營收、毛利率、營業利益率同步拉升的情況下，環晶圓第1季歸屬於母公司的稅後純益達27.79億元，年增率近七倍，季成長四成，每股稅後純益6.36元。
相較於環球晶圓去年全年每股稅後純益12.68元，今年首季每股純益已是去年的一半以上，表現亮眼。法人普遍預估，該公司今年將可賺回一到兩個股本。經濟日報
6.力晶五年還債千億 成功轉型代工廠 毛利率僅次臺積電；
力晶走過轉型低潮期，從動態隨機存取存儲器（DRAM）廠成功轉型為晶圓代工廠，不但營運浴火重生，五年內還清千億元債務（新臺幣），也讓創辦人黃崇仁搏得最會還錢之名。
2008年一場金融海嘯，一度讓多家存儲器廠陷入危機，力晶也是其中之一。當時，力晶曾向銀行申請紓困466億元（新臺幣，後同），總負債一度高達755億元，負債比率達到八成。
2012年12月，力晶在股市上的淨值轉為負數，負債高達1,100億元，被迫下櫃，黃崇仁也因此黯然交出董事長職務。當日，力晶的收盤價只剩下0.29元，可以說是股東們最痛苦的一天。
下櫃後的力晶全力轉型，毅然決然從老本行DRAM轉型為晶圓代工廠，五年過去，順利繳出亮眼的成績單。
黃崇仁日前受訪時就曾自豪地說，在全球的代工公司中，毛利率第一名是臺積電，第二名是力晶，淨利也是第二；好的時候，做300億元生意，能賺到100多億元。
這幾年來，力晶每年獲利都超過百億元，迅速還清千億元的債務，去年每股淨值也重返新臺幣10元大關，甚至有能力開始對股東配發股利，迎向重生之路。經濟日報