MOS場效應管的工作原理及作用詳細資料說明

2020-12-03 電子發燒友

　　場效應管 （MOSFET）是一種外形與普通電晶體相似， 但控制特性不同的半導體器件。 它的輸入電阻可高達 1015W，且工藝簡單， 十分適用於大規模及超大規模集成電路， 根據其導電方式的不同，而分為增強型和耗盡型兩種。由於 P溝道與 N溝道的工作原理大致相同， 僅在導電載流子與供電電壓極性上有所區別，因此本文主要以介紹 N 溝道 MOS 場效應管為主。增強型場效應管所謂增強型是指：當 VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的 VGS後，多數載流子被吸引到柵極，從而「增強」了該區域的載流子，形成導電溝道。常用的增強型場效應管型號： 10n60、4N60F （1）N 溝道增強型場效應管工作原理及作用介紹根據圖 1，N 溝道增強型 MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結構，它是在 P 型半導體上生成一層 SiO2 薄膜絕緣層，然後用光刻工藝擴散兩個高摻雜的 N 型區，從 N 型區引出電極（漏極 D、源極 S）。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極 G。 P型半導體稱為襯底，用符號 B 表示。

相關焦點

  • 場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂
    一、場效應管的工作原理- -概念　　場效應管(FET)是場效應電晶體(field-effect transistor)的簡稱，由於它僅靠半導體中的多數載流子導電
  • MOS管工作原理圖詳解-MOS管工作原理電路圖及結構分析-KIA MOS管
    MOS管工作原理圖電源開關電路詳解這是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡單解釋一下MOS的工作原理圖。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的為增強型MOSMOS管，其內部結構見mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。
  • MOS管自舉電路工作原理及升壓自舉電路結構圖
    MOS管自舉電路介紹：自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極體，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高。有的電路升高的電壓能達到數倍電源電壓。MOS管自舉電路原理：舉個簡單的例子：有一個12V的電路，電路中有一個場效應管需要15V的驅動電壓，這個電壓怎麼弄出來？就是用自舉。
  • 詳細講解MOS管的米勒效應
    米勒平臺形成的基本原理MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程；當Cgs達到門檻電壓之後， MOSFET就會進入開通狀態；當MOSFET開通後，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；但由於米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升
  • mos場效應管工作原理
    場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。MOS場效應管 　　即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬於絕緣柵型。
  • 深度分析MOS場效應管在消費類電子中的電路設計
    當我們還是學生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點學習NPN和PNP三極體的特性：靜態工作特性計算、動態信號分析等等。
  • 場效應管的作用- -八一八場效應管存在的「身份」
    場效應管類似於晶體三極體，也是一種非線性的可控三端器件，因此可實現晶體三極體在電路中起到的作用，如：用作放大管、用作阻抗變換、用作可變電阻、用作恆流源、用作電子開關等，詳細介紹如下：　　場效應管的作用之一就是可以用作放大管。
  • 三極體比MOS管開關功能略勝一籌?
    MOS管用於高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極體，不行的話考慮MOS管實際上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極電晶體和mos電晶體的工作方式才能明白。
  • 場效應管有哪些用途?
    場效應管的用途非常廣泛，現在一些大規模集成電路中都是採用的mos管，即場效應管，基本功能和BJT三極體一樣都是開關和放大，BJT三極體可以使用的地方，基本上它都能用，並且在有些地方表現要比三極體更加出色。
  • 詳解mos管原理及幾種常見失效分析
    mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
  • 三極體和MOS管有啥區別?
    但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在，此時如果集電極-發射極加正電壓，在電場作用下，發射區的電子往基區運動（實際上都是電子的反方向運動），由於基區寬度很小，電子很容易越過基區到達集電區，並與此處的PN的空穴複合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場的作用下集電區的電子加速外集電極運動，而空穴則為pn結處運動，此過程類似一個雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發射極，這就是電晶體的工作原理。
  • 場效應管工作原理
    場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
  • MOS場效應管逆變器自製
    這裡介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。>　　圖1　　工作原理　　一、方波的產生　　這裡採用CD4069構成方波信號發生器。
  • 三極體和MOS管工作原理詳解
    本文連結：https://blog.csdn.net/techexchangeischeap/article/details/71430330PN結原理PN結的形成PN結是三極體以及場效應管中最基本的組成部分，要想徹底搞明白三極體以及場效應管的工作原理，必須先搞清楚PN結形成的原理和工作特性。
  • 解讀「MOS場效應管」的形象原理
    但還有一種半導體電晶體，中間埠的電壓控制著另外兩個埠的電流，這就是「場效應管」。場效應管也有兩種類型，我們可以通過觀察標識箭頭的方向指向外還是指向內進行區分，兩種場效應管是不同類型的金屬氧化物半導體，簡稱MOS管。
  • n溝道mos管工作原理
    打開APP n溝道mos管工作原理 姚遠香 發表於 2018-08-16 15:31:11
  • 場效應管知識 什麼叫場效應管 場效應管工作原
    關於JFET為什麼表示這樣的特性，用圖作以下簡單的說明。 JFET的工作原理用一句話說，就是"漏極-源極間流經溝道的ID ，用以門極與溝道間的pn結形成的反偏的門極電壓控制ID "。更正確地說，ID 流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。
  • 三極體和MOS管具體有哪些區別?
    一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極體，不行的話考慮MOS管。實際上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極電晶體和mos電晶體的工作方式才能明白。但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在，此時如果集電極-發射極加正電壓，在電場作用下，發射區的電子往基區運動（實際上都是電子的反方向運動），由於基區寬度很小，電子很容易越過基區到達集電區，並與此處的PN的空穴複合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場的作用下集電區的電子加速外集電極運動，而空穴則為pn結處運動，此過程類似一個雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發射極，這就是電晶體的工作原理。
  • 10分鐘詳細圖解MOS管的結構原理
    MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）
  • 什麼是MOS管?結構原理圖解
    ）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。另一種電晶體，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過電晶體的電流。