幾款不錯的場效應管功放電路圖

2020-11-22 電子發燒友

幾款不錯的場效應管功放電路圖

軼名 發表於 2016-10-09 17:22:50

　　幾款不錯的場效應管功放電路圖

　　

　　場效應管多管並聯輸出，500W。

　　

　　場管跟普功率最大不同就是場管是用電壓驅動，在驅動級上有些不一樣，沒弄過場管功放，音質怎要看你設計和工藝！

　　

　　IRFB33N15D是一顆非常好的MOS管，其導通內阻低達56mΩ，最大電流為33A，耐壓卻有150V，常用於DC/DC的變換器中，當然，在數字功放中，也經常應用。

　　其也有不足的地方，其輸入電容為2020pF，和常見的MOS管一樣，在驅動它時，就要採用特殊電路來驅動，如同你的電路中的R29和D3並聯電路，也是業界慣用手法，其作用是：

　　當沒有R29時，Q7的柵極直接接前面的IC引腳，其內部都是圖騰柱電路，由於是容性負載，都會有振蕩產生，從而使驅動波形出現振鈴現象，產生的後時是，MOS管開啟不夠，內阻大，效率低。 串入R29可以消除這種振蕩，其和後續的MOS管輸入電容（Ciss）的時間常數要遠小於MOS管的開啟時間13ns，而4.7Ω的2020pF的時間常數為9.5nS，滿足要求。

　　IRFB33N15D用標準電路（相當於R29為3.6Ω）驅動時，其恢復時間長達130nS，這也是MOS管的通病，為了加快關斷（爭取這9.5nS的時間），在關斷時，希望柵級電阻為0，所以會在R29上反向並聯肖特基二極體D3（其工作頻率可以近GHz），來加速放電。

　　IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V這間，實際驅動時，取決於IRS2902S的工作電壓，實際都在10V左右，肖特基二極體D3的正向壓降只有1.2V左右（電流1A，但其ΔV/ΔI約為0，動態內阻極低），已經可以確保Q7和柵極處於低於VGS以下，對關斷沒有影響。 另外，你要學習動態內阻的含義，如同電源，其壓降可能是5V，但其內阻可以低達十幾毫歐。

　　這個電路裡的2顆場效應管不能同時導通，所以，在它們工作的時候，要關斷優先，導通稍緩。D3，D4二極體就能夠在驅動電壓下降的時候，迅速釋放場效應管的柵極結電壓，從而使管子從導通狀態恢復到關斷狀態的時間大大縮短。而驅動電壓上升的時候，要通過R29，R27給管子的柵極結電容充電，從而延緩了管子的導通時間。 就這樣實現了關斷優先，導通稍緩的功能，大大的避免了一個管子還沒退出導通，另一個管子已經進入導通的狀態。

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    場效應管英文縮寫為FET（Field-effect transistor），是一種高輸入阻抗的電壓控制型半導體。場效應管也是一種晶體三極體，也有三個極，分別叫源極S，柵極G，漏極D。
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    場效應管按其結構不同分為兩大類，即絕緣柵型場效應管和結型場效應管。絕緣柵型場效應管由金屬、氧化物和半導體材料製成，簡稱MOS管。M0S管按其工作狀態可分為增強型和耗盡型兩種，每種類型按其導電溝道不同又分為N溝道和P溝道兩種。結型場效應管按其導電溝道不同也分為N溝道和P溝道兩種。下圖所示結型場效應管和絕緣柵 型場效應管的實物外形。
  • 場效應管特性及應用
    普通電晶體在工作時，由於輸入端(發射結)加的是正向偏壓，因此輸入電阻是很低的，場效應管的輸入端(柵極與源極之間)工作時可以施加負偏壓即反向偏壓，也可以加正向偏壓，因此增加了電路設計的變通性和多樣性。場效應管的電壓與電流特性曲線與五極電子管輸出特性曲線十分相似。 場效應管的品種較多，大體上可分為結型場效應管和絕緣柵場效應管兩類，且都有N型溝道(電流通道)和P型溝道兩種，每種又有增強型和耗盡型共四類。 絕緣柵場效應管又稱金屬(M)氧化物(O)半導體(S)場效應管，簡稱MOS管。
  • 場效應管的作用- -八一八場效應管存在的「身份」
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  • 基於場效應管的功率放大器設計
    1 以場效應電晶體為基本元件的放大器優勢明顯就目前在放大器中使用的3種元件而言，電晶體的輸入阻抗太低(大約1 k左右)，電子管的輸入阻抗很高，但輸出阻抗也高，為此，還要增加一個輸出變壓器。使體積較大，耗電也大。所以說兩者都不是理想的輸出管。總體來看，場效應管具有很高的輸入阻抗，也能輸出大電流，很適合應用在單端A類放大器中。中頻飽滿，細膩流暢，彈性十足。
  • 場效應管知識 什麼叫場效應管 場效應管工作原
    場效應管的特徵：(a) JFET的概念圖(b) JFET的符號圖1 JFET的概念圖 作用: 場效應管可應用於放大.由於場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器. 場效應管可以用作電子開關. 場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恆流源.