例如，一個開關電源在3 MHz時具有顯著的輸出電壓紋波，如果它為之供電的電路僅有幾Hz的帶寬，如溫度傳感器等，則該紋波可能不會產生任何影響。但是，如果該開關電源為RF鎖相環(PLL)供電，結果可能大不相同。
為了成功設計一個魯棒的系統，了解噪聲源至關重要。就低壓差(LDO)調節器而言或者說任何電路，噪聲源都可以分為兩大類：內部噪聲和外部噪聲。內部噪聲好比是您頭腦中的噪聲，外部噪聲則好比是來自噴氣式飛機的噪聲。
今天我們只談內部噪聲。內部噪聲有許多來源，各種噪聲源都有自己獨一無二的特性。內部噪聲主要有以下幾類：熱噪聲、1/f噪聲、散粒噪聲、爆裂或爆米花噪聲。
1熱噪聲，隨機但有通式
在絕對零度以上的任何溫度，導體或半導體中的載流子（電子和空穴）會發生擾動，這就是熱噪聲（亦稱詹森噪聲或白噪聲）的來源。熱噪聲功率與溫度成比例。它具有隨機性，因而不隨頻率而變化。熱噪聲是一個物理過程，可以通過下式計算：
Vn = √(4kTRB)
k表示波爾茲曼常數（1.38−23 J/K）。T表示絕對溫度（K = 273°C）。R表示電阻（單位Ω）。B表示觀察到噪聲的帶寬（單位Hz，電阻上測得的均方根電壓也是進行測量的帶寬的函數）
2粉紅浪漫？NO，這裡只有1/f 噪聲
1/f 噪聲來源於半導體的表面缺陷，聲功率與器件的偏置電流成正比，並且與頻率成反比，這一點與熱噪聲不同。即使頻率非常低，該反比特性也成立，然而，當頻率高於數kHz時，關係曲線幾乎是平坦的。1/f 噪聲也稱為粉紅噪聲，因為其權重在頻譜的低端相對較高。
1/f 噪聲主要取決於器件幾何形狀、器件類型和半導體材料，因此，要創建其數學模型極其困難，通常使用各種情況的經驗測試來表徵和預測1/f噪聲。
一般而言，具有埋入結的器件，如雙極性電晶體和JFET等，其1/f 噪聲往往低於MOSFET等表面器件。
3有勢壘的地方的就有散粒噪聲
散粒噪聲發生在有勢壘的地方，例如PN結中。半導體器件中的電流具有量子特性，電流不是連續的。當電荷載子、空穴和電子跨過勢壘時，就會產生散粒噪聲。像熱噪聲一樣，散粒噪聲也是隨機的，不隨頻率而變化。
4低頻噪聲——爆米花噪聲
爆米花噪聲是一種低頻噪聲，似乎與離子汙染有關。爆米花噪聲表現為電路的偏置電流或輸出電壓突然發生偏移，這種偏移持續的時間很短，然後偏置電流或輸出電壓又突然返回其原始狀態。這種偏移是隨機的，但似乎與偏置電流成正比，與頻率的平方成反比(1/f2)。
5爆裂噪聲，幾乎已被消除
爆裂噪聲和爆米花噪聲相同，也是一種低頻噪聲，似乎與離子汙染有關。但由於現代半導體工藝技術的潔淨度非常高，爆裂噪聲幾乎已經被消除，不再是器件噪聲的一個主要因素。
圖1顯示了一個典型器件的噪聲如何隨頻率而變化，以及各類噪聲對總噪聲的貢獻。從1/f區到熱區的躍遷點稱為轉折頻率。
【圖1. 典型噪聲功率與頻率的關係】
對於電子電路，內部噪聲是指任何電子器件內部產生的噪聲，外部噪聲則是指從電路外部傳到電路中的噪聲。外部噪聲源遠多於內部噪聲源，到底都包括哪些呢？
【圖2. 顯示內部和外部噪聲源的簡化LDO框圖】
亞太區領先的元器件授權代理商
世健(Excelpoint)是完整解決方案的供應商，為亞洲電子廠商包括原設備生產商（OEM）、原設計生產商(ODM)和電子製造服務提供商(EMS)提供優質的元器件、工程設計及供應鏈管理服務。
世健與供應商及電子廠商緊密協作，為新的科技與趨勢作出定位，並幫助客戶把這些最先進的科技揉合於他們的產品當中。集團分別在新加坡、中國及越南設有研發中心，專業的研發團隊不斷創造新的解決方案，幫助客戶提高成本效益並縮短產品上市時間。世健研發的完整解決方案及參考設計可應用於工業、無線通信及消費電子等領域。
世健是新加坡的主板上市公司，總部設於新加坡，中國區總部設於香港，並擁有11個分公司及辦事處、1個研發中心及2個物流中心，業務遍及中國多個城市和地區。